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Unidad I CLASE 2 Imperfecciones Cristalinas

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FACULTAD DE INGENIERIA QUIMICA 
 MATERIALES DE INGENIERIA FTC28 
ESP50 
MSc. Ricardo Cuba Torre 
Facultad de Ingeniería Química 
Universidad nacional del Callao 
 
 
 
IMPERFECCIONES CRISTALINAS 
 
Las propiedades de los materiales están relacionadas directamente por la presencia 
de imperfecciones y/o defectos. 
Por ello es importante conocer los tipos de imperfecciones que afectan las 
propiedades físicas y mecánicas de los materiales en diversas aplicaciones. 
No existe un material ideal, la gran mayoría de materiales presentan defectos e 
imperfecciones, sin embargo, el efecto de las imperfecciones no siempre es negativo. 
 
Las imperfecciones se clasifican según su geometría o las dimensiones de las 
imperfecciones en: 
- Defectos puntuales, asociados a una o dos disposiciones atómicas, 
- Defectos lineales, o unidimensionales 
- Defectos interfaciales, o límite de grano. 
 
DEFECTOS PUNTUALES EN METALES 
 
El más simple defecto puntual es la vacante, vacante de red o interrupciones 
localizadas en arreglos atómicos o iónicos. 
 
Vacancia 
 
Es la falta o pérdida de un átomo en una 
posición determinada, debido a: 
- La solidificación o enfriamiento 
- Perturbaciones locales 
- Crecimiento del cristal 
- Reordenamiento atómicos del cristal 
- Movilidad de los átomos. 
 
Está representado por la siguiente ecuación: 
𝑁𝑉 = 𝑁 ∗ 𝑒
−𝑄𝑣
𝐾𝑇 
Donde: 
Nv Número de vacantes en equilibrio por metro cubico 
N Número total de lugares atómicos por metro cubico 
Qv Energía necesaria para formar una vacante (J/mol o eV/átomo) 
T Temperatura absoluta en grados Kelvin 
K Constante de Boltzmann 
 
 
 
 
 
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No es posible crear estructuras cristalinas libres de vacantes. 
“Una de cada 10 000 posiciones de una determinada red está vacía.” 
 
Átomo Intersticial 
 
Se forma cuando un átomo del cristal se coloca en un 
lugar intersticial de la red, que es un pequeño espacio 
vacío que ordinariamente no está ocupado. 
 
Vacantes Intrínsecas 
 
Se forman para asegurar la neutralidad eléctrica 
 
 
 
 
Ejercicio 1 
 
Calcular el número de vacantes por metro cubico de hierro a la temperatura de 
850oC. La energía para la formación de vacantes es de 1,08 eV/átomo, la 
densidad y el peso atómico del Fe son 7,65 g/cm3 y 55,85 g/mol 
respectivamente a 850oC. 
Tenemos para la densidad en Metales 𝜌 =
𝑛𝐴
𝑉𝑐𝑁𝐴
 
Solución: 
 
𝑛
𝑉𝑐
=
𝑁𝐴𝜌
𝐴
 
 
𝑁𝑐 =
𝑛
𝑉𝑐
=
6,022 𝑥 1023
𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
𝑚𝑜𝑙
𝑥 7,65
𝑔
𝑐𝑚3
 
55,85 𝑔 /𝑚𝑜𝑙
 
 
𝑁𝑐 =
𝑛
𝑉𝑐
= 8,25 𝑥 1022 𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠/𝑐𝑚3 
 
Para el número de vacantes, 
𝑁𝑉 = 𝑁𝑐 ∗ 𝑒
−𝑄𝑣
𝐾𝑇 
𝑁𝑉 = 8,25 𝑥10
22
𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
𝑐𝑚3
∗ 𝑒
−1,08 𝑒𝑉
(8,617 𝑥10−5
𝑒𝑉
𝐾
)(850+273)𝐾 
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Ejercicio 2 
Se conoce que la energía de activación para la formación de una vacancia de 
cobre es 0,9 eV. 
Calcular la relación de concentración de vacantes de cobre a 800ºC y 500ºC. 
Solución: 
Tenemos la ecuación, 
𝑁𝑉 = 𝑁 ∗ 𝑒
−𝑄𝑣
𝐾𝑇 
 Entonces la relación de concentración de concentración esta dada por 
𝑅𝑎𝑡𝑖𝑜 =
𝑒
−𝑄𝑣
𝐾𝑇1
𝑒
−𝑄𝑣
𝐾𝑇2
 
 
Donde, Qv energía de activación eV 
 K constante de Boltzmann 
 𝑇1 = 800𝑜𝐶 = 1073𝑜𝐾 
 𝑇2 = 500
𝑜𝐶 = 773𝑜𝐾 
 
Sustituyendo datos en el ratio, 
𝑅𝑎𝑡𝑖𝑜 =
𝑒
−0,9 𝑥 1,6 𝑥 10−19𝐽
1,38𝑥10−23𝐽/𝐾 𝑥 1073𝑜𝐾
𝑒
−0,9 𝑥 1,6 𝑥 10−19𝐽
1,38𝑥10−23𝐽/𝐾 𝑥 773𝑜𝐾
≅ 44 
 
Indica que, el cobre a 800ºC presenta 44 veces mas vacantes que a 500ºC. Si 
las vacantes se forman por el movimiento de los átomos a otros lugares 
regulares de enlace en lugar de sitios intersticiales esto da origen a un cristal 
de mayor tamaño, este constituye el mecanismo de expansión térmica. 
 
Ejercicio 3 
Considere una celda unitaria CS de arista igual a, con 
ocho átomos idénticos de radio R en los vértices. 
Existe un lugar intersticial en el centro del cubo. 
Calcular el radio del lugar intersticial 
Solución: 
La disposición de átomos según figura, 
r= radio del lugar intersticial, entonces la 
longitud de la diagonal es d = a√3, 
por lo tanto, 
𝑎√3 = 2𝑅 + 2𝑟 
Sustituyendo a = 2R 
2√3𝑅 = 2𝑅 + 2𝑟 
Resolviendo obtenemos 
𝑟
𝑅
= √3 − 1 = 0,73 
 
 
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DEFECTOS PUNTUALES EN CERAMICOS 
 
Defecto Frenkel 
Es una imperfeccion combinada Vacancia-
Defecto intersticial, ocurre cuando un ion 
salta de un punto normal dentro de la red a 
un sitio intersticial dejando una vacancia. 
 
Los defectos de Frenkel el numero de pares 
de defectos vacante cationica/intersticial 
cationico (Nfr) donde cada efecto Frenkel se asocia dos efectos puntuales ( un 
cation vacante y un cation intersticial) que depende de la temperatura: 
 
𝑁𝑓𝑟 = 𝑁 ∗ 𝑒
−𝑄𝑓𝑟
2𝑘𝑇 
 
Defecto Schottky 
 
Es un par de vancacias en un material con enlaces ionicos, para mantener la 
neutralidad, deben perderse de la red tanto un cation como un anion. 
De manera similar los defectos Schottky, en un compuesto de tipo AX, el 
numero de equilibrio (Ns) es funcion de la temperatura: 
 
𝑁𝑠 = 𝑁 ∗ 𝑒
−𝑄𝑠
2𝑘𝑇 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Los numeros de defectos Frenkel y Schottky en equilibrio estan en 
funcion de la temperatura y aumentan en forma similar al numero de 
vacantes en metales. 
 
 
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Ejercicio 4 
 
Calcular el numero de defectos Schottky en el KCl por metro cubico a 500oC. La 
energia requerida para formar cada defecto Schottky es de 2,6 eV, 
considerando que la densidad del KCl a 500ºC es de 1,955 g/cm3. 
Dato: 
Utilizar la Ecuacion 𝑁𝑐 =
𝑁𝐴 𝑥 𝜌
𝐴𝐾+ 𝐴𝐶𝑙
 para el calculo del numero de posiciones de la 
red por metro cubico. 
 
Solucion: 
Tenemos el numero de Avogrado 𝑁𝐴 = 6,023 𝑥 1023𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠/𝑚𝑜𝑙 
Remplazamos valores en la Ecuacion, 
 
𝑁𝑐 =
6,023 𝑥1023
𝑎𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠
𝑚𝑜𝑙
𝑥 1,955
𝑔
𝑐𝑚3
𝑥
106𝑐𝑚3
𝑚3
39,10 
𝑔
𝑚𝑜𝑙
+ 35,45 
𝑔
𝑚𝑜𝑙
= 1,58 𝑥 1028 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑟𝑒𝑑/𝑚3 
 
Luego en la Ecuacion de Schottky, 
𝑁𝑠 = 1,58 𝑥10
28𝑝𝑜𝑠𝑖𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑟𝑒𝑑/𝑚3 ∗ 𝑒
− 2,6 𝑒𝑉
2∗8,62∗10−5
𝑒𝑉
𝐾
∗773𝑜𝐾 
 
𝑁𝑠 = 5,31 𝑥10
19𝑑𝑒𝑓𝑒𝑐𝑡𝑜𝑠/𝑚3 
 
Defecto sustitucional 
 
Ocurre cuando un atomo o ion es sustituido por tipo distinto de atomo o ion, 
estos atomos susticionales ocupan el sitio mayor de la red, cuando son mayores 
reducen los espacios interatomicos y cuando son menores aumentan los espacios 
interatomicos. 
 
 
 
Ejemplos: aleaciones Cu – Ni para la aplicación producción de monedas, tubos de 
condensadores y si añade hierro y manganeso mejora la resistencia a la 
corrosión y erosión, se incrementa la resistencia y la temperatura de 
recristialización 
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DEFECTOS LINEALES 
 
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que de una u otra 
manera seria perfecto, se suele introducir en el cristal durante la solidificación 
del material o cuando el material se deforma permanentemente. 
 
Tornillo o Cuña 
Es un defecto lineal centradoalrededor de la línea definida por el extremo del 
semiplano adicional de átomos. 
 
 
 
 
 
 
 
Línea dislocación de cuña 
 
 
 
 
 
 
 La red esta distorsionada los átomos arriba de la línea de dislocación se 
comprimen, mientras que los de abajo están sometidos a tracción. 
 
Dislocación Helicoidal 
 
Se debe a la superficie espiral formada por los planos atómicos alrededor de la 
línea de dislocación y se forman al aplicar un esfuerzo cizallante. 
La parte superior de la región frontal del cristal desliza una unidad atómica a la 
derecha respecto a la parte inferior. 
 
En este caso, el vector de Burgers es paralelo al plano que contiene la dislocación 
y perpendicular al plano de deslizamiento. 
 
La región de distorsión no está bien definida, pero alcanza el ancho del diámetro 
de unos cuantos átomos. 
 
 
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Ejercicio 5 Densidad de Dislocación 
 
En la siguiente aumento se observaron 4 
dislocaciones en los átomos de silicio de 
un material medidos en micras. 
 
Se pide determinar la densidad de 
dislocaciones por cm2. 
 
Solución: 
 
La densidad de dislocaciones está dada 
por las siguiente ecuación; 
 
𝐷𝐷𝑖𝑠𝑙𝑜𝑐𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠 =
𝑁𝑢𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑖𝑠𝑙𝑜𝑐𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠
𝐴𝑟𝑒𝑎
 
Calculamos el área: 
𝐴𝑟𝑒𝑎 = (0,94 𝜇𝑚)(1,1 𝜇𝑚) = 1,03 𝜇𝑚2 
 
𝐴𝑟𝑒𝑎 = 1,03 𝑥10−9𝑐𝑚2 
Reemplazando, 
𝐷𝐷𝑖𝑠𝑙𝑜𝑐𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠 =
4
1,03 𝑥10−9𝑐𝑚2
= 3,88 𝑥 109 𝑑𝑖𝑠𝑙𝑜𝑐𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠/𝑐𝑚2 
 
 
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Dislocaciones Mixtas 
 
Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. Su 
vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la línea de dislocación, 
pero mantiene una orientación fija en el espacio. 
 
 
 
 
 
 
DEFECTOS INTERFACIALES 
 
Estos defectos superficiales son límites pueden ser bordes o planos que dividen 
un material en porciones, cada una de las cuales tiene la misma estructura 
cristalina, características y propiedades, pero en distintas orientaciones 
cristalográficas. 
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Las dimensiones exteriores del material representan superficies en donde 
termina el cristal en forma súbita. Cada átomo en la superficie ya no tiene el 
número adecuado de coordinación y se interrumpe el enlazamiento atómico. Esto 
es un factor muy importante en la fabricación de dispositivos micro electrónico 
a base de Silicio. La superficie exterior también puede ser muy áspera, contener 
muescas diminutas y ser mucho más reactiva en el interior del material. 
 
Estas imperfecciones se clasifican en: 
 
• Borde de grano o límite de grano. 
• Defectos de apilamiento. 
 
Límite de Grano 
Límites de grano de ángulo pequeño: Un límite de grano de ángulo pequeño es un 
conjunto de dislocaciones que produce una pequeña desorientación entre cristales 
vecinos. Como la superficie de la energía es menor que la de un límite de grano 
normal, los límites de grano con ángulo pequeño no son tan eficientes para 
bloquear los deslizamientos. 
Los límites de grano con tamaño pequeño que se forman por dislocaciones de 
borde se llaman límites inclinados los que se forman por dislocaciones de tornillo 
se llaman límites de giro. 
 
Defectos de apilamiento 
 
Se puede observar como la interrupción de la secuencia de apilamiento ordenado 
de las estructuras cristalinas, es decir, son irregularidades en la frecuencia de 
los planos cristalinos del material. 
Se dividen en: 
 
- Maclas, un límite de macla es un plano a través del cual hay una desorientación 
especial de imagen especular de la estructura cristalina. 
Las maclas se producen cuando una fuerza cortante, que actúa a lo largo de 
límite de macla, que hace que los átomos se desplacen de su posición. 
El maclado sucede durante la deformación o el tratamiento térmico de 
ciertos metales. 
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Los límites de macla interfieren con el proceso de deslizamiento y aumentan 
la resistencia del metal. 
 
- Defectos Intrínsecos: naturales, propios del material, salto de los propios 
átomos. 
- Defectos Extrínsecos: impurezas, precipitados. 
 
Identificación de defectos cristalinos 
 
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POSICIONES ATOMICAS EN PLANO TRIDIMENSIONAL 
 
- Se utiliza el sistema cartesiano para localizar los atomos 
- En una celda unitaria 
Eje x es la direccion de inicio 
Eje y es la direccion hacia la derecha 
Eje z es la direccion hacia arriba 
Las direcciones negativas son las direcciones opuestas al positivo 
- La posicion de los atomos estan localizados utilizando unidades de distancia de las 
coordenadas. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Indices de Direccion 
 
- En los cristales cubicos, los indices de direccion son componentes vectores de 
direccion indicados por cada eje. 
- Los indices de direccion son las cordinadas de posicion de una celda unitaria donde 
la direccion del vector surge desde la superficie de la celda despues se convierte 
en integrador. 
 
 
 
 
 
 
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INDICES DE MILLER 
 
Los índices de Miller de un plano cristalográfico están definidos como los 
recíprocos de las intersecciones que el plano determina con los ejes (x, y, z) de 
nuestro sistema de ejes coordenadas tridimensional. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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Algunos ejemplos de los Indices de Miller 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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