Aplicacion-del-circuito-integrado-MOC-8102-como-dispositivo-electronico-de-interfaz-en-una-rebanadora-de-embutidos

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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA 
 DE MÉXICO 
 
 
 
 FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES 
 ARAGÓN 
 
“APLICACIÓN DEL CIRCUITO INTEGRADO MOC 8102 COMO 
DISPOSITIVO ELECTRÓNICO DE INTERFAZ EN UNA REBANADORA 
DE EMBUTIDOS” 
 
 T E S I S 
 QUE PARA OBTENER EL TÍTULO DE 
 INGENIERO MECÁNICO ELECTRICÍSTA 
 ÁREA ELÉCTRICA - ELECTRÓNICA 
 
 PRESENTA: 
 FERNANDO MEJÍA DÍAZ 
 
 ASESOR 
 
 ING. FORTUNATO CERECEDO HERNÁNDEZ 
 MÉXICO 2015 
Lourdes
Texto escrito a máquina
Ciudad Nezahualcóyotl, Estado de México
 
UNAM – Dirección General de Bibliotecas 
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respectivo titular de los Derechos de Autor. 
 
 
 
i 
 
ÍNDICE 
 
INTRODUCCIÓN………………………………………………………………….. 
JUSTIFICACIÓN…………………………………………………………………… 
OBJETIVOS………………………………………………………………………….. 
CAPÍTULO 1: FUNDAMENTOS DE OPTOELECTRÓNICA 
 
1.1 Introducción………………………………………………………………………. 
1.2 Características de la luz………………………………………………………. 
1.3 Espectro electromagnético…………………………………………………. 
1.4 Parámetros de la luz…………………………………………………………… 
1.4.1 Fotometría……………………………………………………………………… 
1.4.2 Radiometría…………………………………………………………………… 
1.5 Dispositivos emisores de luz………………………………………………… 
1.5.1 Diodo emisor de luz…………………………………………………………. 
1.5.2 Diodo laser de inyección…………………………………………………… 
1.6 Dispositivos detectores de luz……………………………………………… 
1.6.1 Características……………………………………………………………….. 
1.6.2 Fototransistor………………………………………………………………… 
1.6.3 Fotodiodo……………………………………………………………………… 
1.6.4 Fotoceldas……………………………………………………………………… 
 
CAPÍTULO 2: PRINCIPIOS DE OPTOAISLADORES 
 
2.1 Introducción……………………………………………………………………… 
2.2 Interfaz…………………………………………………………………………….. 
2.3 Dispositivos electrónicos y magnéticos de interfaz………………… 
2.3.1 Relevador……………………………………………………………………….. 
2.3.2 Transformador de aislamiento…………………………………………. 
2.3.3 Optoaisladores………………………………………………………………… 
2.3.3.1 Encapsulado………………………………………………………………… 
2.3.3.2 Parámetros generales…………………………………………………… 
 
 
 
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2.3.3.3 Parámetros eléctricos…………………………………………………… 
2.3.3.4 Emisor………………………………………………………………………… 
2.3.3.5 Fotodetector……………………………………………………………….. 
 
CAPÍTULO 3: CIRCUITO INTEGRADO MOC 8102 
 
3.1 Introducción………………………………………………………………………. 
3.2 Circuito integrado MOC 8102………………………………………………. 
3.2.1 Funcionamiento………………………………………………………………. 
3.2.2 Terminales de conexión…………………………………………………… 
3.2.3 Parámetros eléctricos………………………………………………………. 
3.2.4 Diodo emisor………………………………………………………………….. 
3.2.4.1 Rendimiento………………………………………………………………… 
3.2.4.2 Circuito de protección…………………………………………………… 
3.2.5 Fotodetector…………………………………………………………………… 
3.2.6 Encapsulado……………………………………………………………………. 
3.2.7 Curvas de operación………………………………………………………… 
 
CAPÍTULO 4: APLICACIÓN DE CIRCUITO INTEGRADO MOC 
8102 
 
4.1 Introducción………………………………………………………………………. 
4.2 Aplicación del optoaislador MOC 8102………………………………….. 
4.2.1 Análisis funcional…………………………………………………………….. 
4.2.2 Resistor limitador de corriente para el emisor…………………….. 
4.3 Transistor de potencia TBJ …….…………………………………………. 
4.4 Circuito de potencia, el puente H…………….…………………………… 
4.5 Cálculo de potencia máxima en carga…………………………………. 
4.6 Mediciones………………………………………………………………………… 
4.7 Diagrama general de conexiones…………………………………………. 
 
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iii 
 
CONCLUSIÓN………………………………………………………………………. 
GLOSARIO…………………………………………………………………………… 
FUENTES DE CONSULTA ……………………………………………………… 
ANEXOS……………………………………………………………………………….. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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1 
 
INTRODUCCIÓN 
 
La tecnología, como aplicación y desarrollo de la ciencia, ha permitido a lo largo de 
las últimas décadas hallar soluciones a diversas problemáticas para la industria o el 
hogar. Con el avance de la tecnología, y en consecuencia de la electrónica, se 
descubrieron nuevos dispositivos electrónicos que de acuerdo a sus características 
eléctricas, electrónicas y físicas de fabricación presentan ventajas como la eficiencia, 
ahorro en consumo de energía y reducción en su espacio físico. 
 
Aunado a lo escrito en el párrafo anterior, utilizar elementos electrónicos de 
nueva generación permite diseñar circuitos electrónicos cada vez más reducidos y, 
por otro lado, también se pueden aplicar para la sustitución de dispositivos que, por 
el paso del tiempo y también por el número de operaciones mecánicas o eléctricas, 
presentan fallas debido a la naturaleza de sus elementos que lo constituyen. 
 
Una aplicación de la tecnología en la industria es la optoelectrónica, en la cual 
se aprovecha las propiedades de los semiconductores con la óptica. En ésta área de 
la electrónica, se pueden hallar soluciones por medio de la aplicación de dispositivos 
ópticos, con la finalidad de acoplar o remplazar circuitos que utilizan diferente 
tecnología. Así, en el campo de la electrónica de control y potencia, no siempre se 
puede realizar una conexión directa entre dos o más secciones, debido a las 
características eléctricas incompatibles de un circuito y otro, por ejemplo, entre uno 
de control con voltajes generalmente de 5 a 24 Vcc y uno de potencia con voltajes 
 
2 
 
de 120 a 220 Vca. Para solucionar el problema del acoplamiento se utilizan de forma 
básica dos métodos como los siguientes: 
 
1. Magnético. 
2. Optoelectrónico. 
 
En el acoplamiento de tipo magnético se utilizan como dispositivos de interfaz 
el relevador o el transformador de aislamiento. Sin embargo, en este último 
dispositivo se genera entre sus partes eléctricas el llamado efecto corona. El mismo 
fenómeno también aparece a través de la superficie del aislante, destruyéndolo y 
por consiguiente se generan interferencias de radiofrecuencias que afectan a 
equipos y circuitos complementarios. 
 
Por otra parte, en el relevador se generan arcos eléctricos (efecto corona 
como se mencionó anteriormente) en sus terminales o nodos de conexión, 
comúnmente llamados platinos, situación que es de alto riesgo en lugares donde se 
concentran ambientes explosivos. 
 
En un segundo método de acoplamiento se encuentra el optoelectrónico. Aquí 
se emplea el optoacoplador, comúnmente llamados optoaislador. Su principio es 
emplear un haz de luz para transferir energía, a través de una zona de aislamiento, 
de un circuito a otro sin ninguna conexión eléctrica entre sí. Para ello se utilizan 
básicamente un emisor de luz y un fotodetector. 
 
3 
 
Se espera que el tema de la presente tesis profesional sea de utilidad para 
comprender el funcionamiento y utilidad de los optoaisladores, así como la amplia 
gama que existe de ellos. 
 
En el primer capítulo se citan los aspectos principales que se relacionan con 
la optoelectrónica, como las característicaspropias de la luz y los diversos 
dispositivos emisores y fotodetectores de esta. 
 
En el segundo capítulo se presentan las características fundamentales e 
inherentes de los optoaisladores para su aplicación como interfaz, así como un 
panorama general de las interfaces magnéticas. 
 
En el tercer capítulo presenta el circuito integrado MOC 8102, dispositivo 
electrónico del cual se proporciona parámetros eléctricos, terminales de conexión y 
curvas de operación para su aplicación como interfaz. 
 
Por último en el cuarto capítulo se presenta la implementación del 
optoaislador MOC 8102 como interfaz y de igual manera como controlador del 
movimiento del motor, así como un panorama general del puente “H” 
 
 
 
 
 
4 
 
JUSTIFICACIÓN 
 
La rebanadora automática de productos embutidos marca Bizerba modelo A330 es 
un equipo electromecánico que se ubica dentro de cámaras de refrigeración, donde 
las temperatura en el interior es de 0 ºC a 5º C, con la finalidad de mantener los 
embutidos en buen estado para su conservación y para preservar la consistencia del 
producto en el momento de ser rebanado, evitando perdidas monetarias. 
 
El funcionamiento del equipo inicia cuando un relevador activa un motor en 
función de avance, esto hace pasar embutidos a través de la cuchilla para ser 
rebanados. Posteriormente, un accesorio llamado bastidor sujeta la pieza rebanada 
para que al terminar de girar un mecanismo acomodador deposite el producto en 
una charola receptora. Cuando el primer relevador es bloqueado, un segundo 
relevador permite que el mismo motor realice la acción contraria, es decir, gira en 
retroceso. 
 
Sin embargo, las condiciones climáticas mencionadas no son las ideales para el 
funcionamiento de relevadores, ya que en estos dispositivos suelen acumular sarro 
entre sus componentes, especialmente en los platinos de su interruptor. Ello provoca 
que la actividad de apertura y cierre de sus contactos sea defectuoso, provocando 
que el funcionamiento del equipo sea inestable, generando problemas en la 
producción. 
 
 
5 
 
Para solucionar el problema descrito se propone utilizar optoaisladores en 
donde se combina las propiedades de los semiconductores y la óptica, para sustituir 
el funcionamiento. 
 
Se plantea aplicar esta tecnología ya que es de bajo costo y su mantenimiento 
preventivo y correctivo es menor que en un relevador. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6 
 
OBJETIVOS 
1. GENERAL 
 
Aplicar el método de acoplamiento optoelectrónico como una alternativa en 
sustitución de una interfaz electromecánica. 
 
2. ESPECÍFICOS 
 
Proporcionar las configuraciones, fundamentales y parámetros eléctricos de 
los diversos tipos de optoaisladores. 
 
Proporcionar las características y parámetros eléctricos del optoaislador MOC 
8102 y del transistor de potencia. 
 
Aplicar el circuito MOC 8102 como interfaz para el acoplamiento de voltajes 
de corriente continua, en sustitución de relevadores. 
 
Implementar el optoaislador MOC 8102 como un controlador de giro de un 
motor, aplicado con un puente “H”. 
 
 
 
 
 
7 
 
CAPÍTULO 1 
FUNDAMENTOS DE OPTOELECTRÓNICA 
 
1.1 INTRODUCCIÓN 
La optoelectrónica es el acoplamiento de la radiación luminosa y la corriente 
eléctrica en elementos semiconductores, la referida interacción permite la fabricación 
de dispositivos que cubren una amplia gama de funciones: algunos generan señales 
luminosas, con longitudes de onda que abarcan desde el infrarrojo hasta el 
ultravioleta, a partir de corrientes eléctricas como el diodo emisor de luz y el diodo 
láser o, por el contrario, como el fotodiodo, el fototransistor y la fotocelda; 
elementos que convierten la energía luminosa en corrientes eléctricas. 
 
Los dispositivos optoelectrónicos son una alternativa para su implementación 
como indicadores en paneles de control, emisores de luz infrarroja, optoaisladores o 
como fotodetectores de silicio, los cuales se utilizan ampliamente en la electrónica. 
 
1.2 CARACTERÍSTICAS DE LA LUZ 
Antes de iniciar el siglo XIX, la luz se consideraba como una corriente de partículas 
que se emitían por una fuente luminosa y que después estimulaban el sentido de la 
vista al entrar en el ojo. El impulsor principal de ésta teoría corpuscular de la luz fue 
Isaac Newton, quien explicó sobre las bases de la teoría corpuscular algunos hechos 
experimentales relacionados con la naturaleza de la luz, principalmente las leyes de 
la reflexión y la refracción. Sin embargo, surgió otra teoría, que argumentaba la 
 
8 
 
existencia de la luz como un movimiento de tipo ondulatorio. En 1678, el físico y 
astrónomo holandés Cristian Huygens (1629-1695) demostró que la teoría 
ondulatoria de la luz podría explicar también las leyes de la reflexión y la refracción; 
dicha teoría indica que “cada frente de onda primario sirve como foco de ondas 
esféricas secundarias que avanzan con una velocidad y frecuencia igual a las de la 
onda primaria. El frente de onda primario al cabo de cierto tiempo es la envolvente 
de estas ondas elementales”.1 
 
La mayoría de los científicos de esa época rechazaron la teoría ondulatoria y 
se adhirieron a la teoría corpuscular de Newton; ello se debió en gran parte a la 
reputación de Newton como científico. La primera demostración de la naturaleza de 
la luz se obtuvo en 1801 por conducto de Thomas Young (1773-1829) quien 
demostró que, en condiciones apropiadas, los rayos luminosos interfieren entre sí. El 
físico francés Agustín Fresnel (1788-1829) efectuó varios experimentos relacionados 
con la interferencia y la difracción varios años después. En 1850, Jean Foulcault 
(1791-1868) proporcionó pruebas adicionales de lo inadecuado de la teoría 
corpuscular al demostrar que la velocidad de la luz en vidrios y líquidos es menor 
que en el aire. De acuerdo con el modelo de partículas, el efecto sería inverso. 
James Clerk Maxwell en 1873 afirmó “que la luz era una forma de onda 
electromagnética de alta frecuencia”.2 Enrique Hertz proporcionó la confirmación 
experimental de la teoría de Maxwell al producir y detectar ondas electromagnéticas. 
 
 
1
Tipler, Paul A. 1999. Física para la ciencia y la tecnología. Volumen 2. Cuarta edición. Reverte. España. p. 1088. 
2 
Serway, Raymond. Física, Tomo II. Cuarta edición. Mc. Graw Hill. p.1026. 
 
9 
 
 Albert Einstein (1879-1955) utilizó el concepto de cuantización, desarrollado 
por Max Planck (1858-1947). El modelo indica que la energía de una onda de luz se 
presenta en paquetes de energía llamados fotones; entonces se dice que la luz está 
cuantizada, y de acuerdo con la teoría de Einstein, la energía de un fotón es 
proporcional a la frecuencia de la onda electromagnética. Eq. 1.1. 
 
hfE …………………………(1.1) 
 
Donde: 
341063.6h js (constante de Planck). 
f = Frecuencia (Hz). 
E = Energía del fotón. 
 
1.3 ESPECTRO ELECTROMAGNÉTICO 
Las comunicaciones por radio o televisión, los rayos X, y por supuesto la luz tienen 
una característica en común: todos son radiaciones electromagnéticas. La longitud 
de onda en la luz visible se sitúa en el margen desde los 400 nanómetros (nm) hasta 
los 700 nm, las longitudes de onda menores a 400 nm se denominan radiaciones 
ultravioleta, y las mayores a 700 nm se denominan radiaciones infrarrojas. La Figura 
1.1 muestra la división del espectro electromagnético. La velocidad a la que se 
desplazan las ondas electromagnéticas en el vacío es de 299, 792,457 m/s, es decir, 
casi 300, 000,000 m/s. 
 
 
10 
 
ULTRAVIOLETA 
INFRARROJO 
BANDA 
VISIBLE 
FRECUENCIA ( Hz ) LONGITUD DE ONDA (m) 
17 10 
16 10 
13 10 
14 10 
15 10 
12 10 
9 10 
8 10 
7 10 
7 10 
5 10 
6 10 
1 nm 
400 - 450 nm VIOLETA 
450 - 500 nm AZUL 
500 - 555 nm VERDE 
555 - 600 nm AMARILLO 
600 - 650 nm NARANJA 
650 - 700 nm ROJO 
La relación matemática correspondiente parala longitud de onda es. Eq 1.2. 
f
c
…………………………(1.2) 
Donde: 
 = Longitud de onda (m/ciclo). 
c = Velocidad de la luz (300, 000, 000 m/s). 
 = Frecuencia (Hz). 
Es preciso señalar que el ojo humano es sensible a todas las frecuencias, 
donde es más susceptible al color verde que tiene una longitud de onda de 500 nm. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 1.1 Espectro de longitudes de ondas electromagnéticas. 
 
11 
 
Emisor Fotodetector 
 Flujo radiante 
1.4 PARÁMETROS DE LA LUZ 
La fotometría y la radiometría son dos sistemas básicos de uso común para describir 
y realizar medidas en los sistemas ópticos; a continuación se describen ambos. 
 
1.4.1 FOTOMETRÍA 
La fotometría utiliza y mide únicamente las ondas luminosas visibles al ojo humano. 
La respuesta del ojo humano al brillo de una superficie iluminada depende de la 
longitud de onda de la luz. Es decir, para la misma cantidad de iluminación, los 
diferentes colores del espectro tienen diferentes grados de brillo. En el sistema 
fotométrico, la potencia de salida del emisor se llama flujo luminoso (Φv). La unidad 
de medida del flujo luminoso es el lumen (lm). 
 
1.4.2 RADIOMETRÍA 
La radiometría es la medida de la energía electromagnética (energía radiante) 
emitida por una fuente, o la energía captada por un receptor. La radiación puede 
estar en las regiones del infrarrojo y ultravioleta en el espectro electromagnético, así 
como en la región visible. La potencia total de salida del emisor se llama flujo 
radiante (Φe) y se expresa en watts (W). La Figura 1.2 muestra un sistema 
radiométrico básico formado por un emisor, un medio de transmisión y un 
fotodetector. 
 
 
Figura 1.2 Sistema radiométrico. 
 
12 
 
1.5 DISPOSITIVOS EMISORES DE LUZ 
En electrónica existen dispositivos que tienen la propiedad de transformar la 
corriente eléctrica en energía luminosa. Estos dispositivos son básicamente el diodo 
emisor de luz y el diodo láser de inyección. 
 
1.5.1 DIODO EMISOR DE LUZ 
El diodo emisor de luz (LED, por light-emitting diode) es una de las fuentes de luz 
más utilizadas en la industria. Los LED son diodos que cuando se polarizan en 
directa radian energía luminosa. La energía puede ser visible, como el V-LED (por 
visible light-emitting diode), o invisible como el diodo emisor de luz infrarroja (ILED, 
por infrared light-emitting diode). El V-LED o LED es útil como luz indicadora o de 
advertencia, debido a que se encuentra en la banda visible para el ojo humano. El 
ILED produce radiación no visible para el ojo, pero se puede detectar mediante un 
dispositivo especial para detectar luz infrarroja. 
 
El diodo emisor de luz es un dispositivo de unión p-n, se fabrica casi siempre 
con un material semiconductor como el arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de galio 
(GaP) o combinaciones sólidas conocidas como fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) y 
arseniuro de aluminio y galio (AlGaAs). Para obtener colores especiales se utilizan el 
seleniuro de zinc (ZnSe) y el carbono de silicio (SiC). 
 
Los LED emiten luz por emisión espontánea como resultado de la 
recombinación de electrones con huecos. Cuando tienen polarización directa, los 
 
13 
 
portadores minoritarios se inyectan a través de la unión p-n. Una vez que se rebasa 
la unión, esos portadores minoritarios se recombinan con portadores mayoritarios y 
desprenden energía en forma de luz. Éste proceso es esencialmente el mismo que 
en un diodo semiconductor convencional, pero en los LED se eligen ciertos 
materiales semiconductores y dopantes tales que el proceso es radiativo; esto es, se 
produce un fotón. En los diodos semiconductores convencionales (por ejemplo, de 
germanio y de silicio) el proceso es principalmente no radiativo. 
 
La longitud de onda del fotón determina el color de la luz emitida; ésta se 
obtiene con la siguiente expresión. Eq. 1.3. 
 
 
240,1
…………………………(1.3) 
 
Donde: 
 = longitud de onda del fotón (en nanómetros). 
 = energía de fotón. 
 
El GaAs tiene una energía que produce fotones en la región del infrarrojo, 
con una longitud de onda de aproximadamente 900nm. El GaP puro produce fotones 
en la región del verde visible aproximadamente a 550nm. La aleación del 60% de 
GaAs con el 40% de GaP que se utiliza en la fabricación de algunos LED produce 
fotones en la región del rojo visible, alrededor de 655nm. 
 
14 
 
El cuadro 1.1 muestra los diferentes tipos de materiales para la elaboración 
del LED y las longitudes de onda que se producen. 
 
 
MATERIAL 
 
DOPANTE 
LONGITUD 
MÁXIMA DE 
ONDA 
 
COLOR 
AlGaAs 
GaAs 
GaP 
GaP 
GaP 
GaAsP 
GaAsP 
GaAsP 
SiC 
ZnSe 
- 
Zn,Si 
N 
N, N 
Zn, O 
- 
N 
N 
- 
- 
900 
900 –1020 
500 
590 
700 
650 
632 
589 
490 
490 
Infrarrojo 
Infrarrojo 
Verde 
Amarillo 
Rojo 
Rojo 
Naranja 
Amarillo 
Azul 
Azul 
 
Cuadro 1.1 Material y longitud de onda del LED. 
 
Los LED ofrecen ventajas que los colocan como dispositivos insustituibles 
en diversas aplicaciones dentro de la electrónica. A continuación se indican algunas 
propiedades de los LED. 
 
15 
 
Ánodo (A) Cátodo (K) 
+ - 
 
 Los LED disipan poco calor, por lo tanto es posible montarlos cerca de 
componentes sensibles al calor. Sin embargo, Cuando se produce un 
incremento de calor, la luz de salida disminuye ligeramente debido al 
coeficiente de temperatura (-1%°C). 
 
 Los LED pueden soportar trabajos físicos excesivos debido a que son 
dispositivos de estado sólido. 
 
 Los LED consumen poca corriente. 
 
 Los LED no generan ruido de radiofrecuencia, por lo que se puede utilizar 
cerca de dispositivos sensibles a la RF. 
 
La Figura 1.3 muestra el símbolo del LED. 
 
 
 
 
Figura 1.3 Símbolo y terminales del LED. 
 
 
 
 
 
 
16 
 
1.5.2 DIODO LÁSER DE INYECCIÓN 
El diodo láser de inyección (ILD, por injection laser diode) produce la emisión láser 
cuando el diodo de unión p-n se polariza en directa; como consecuencia, la corriente 
provoca que en la unión se genere luz por emisión espontánea a una frecuencia 
determinada por la banda prohibida del material semiconductor. Cuando se llega a 
determinado valor de la corriente, la cantidad de portadores minoritarios y de 
fotones que se producen comienzan a chocar con portadores mayoritarios 
previamente excitados. Esto causa un aumento en el nivel de la energía de 
ionización y provoca que los portadores sean inestables; al suceder tal evento, un 
portador minoritario se recombina con uno mayoritario con una energía que es 
mayor a su valor normal antes de la colisión. 
 
A continuación se mencionan algunas propiedades de los diodos láser de 
inyección. 
 
 Los ILD crean una emisión de luz más dirigida. 
 
 La potencia radiante de salida de un ILD es mayor que la de un LED. Una 
potencia normal de salida de un ILD es 5 mW (7 dBm), en comparación con 
0.5 mW (–3 dBm) para los LED. Esto permite que los ILD proporcionen una 
mayor potencia de activación. 
 
 
17 
 
A pesar de que los ILD proporcionan ventajas en su aplicación, éstos 
presentan algunas desventajas en comparación con los LED. 
 Los ILD cuestan más que los LED. 
 
 Los ILD trabajan con mayores potencias, por lo tanto suelen tener una vida 
trabajo más corta comparado con los LED. 
 
 Los ILD dependen más de la temperatura que los LED. 
 
1.6 DISPOSITIVOS DETECTORES DE LUZ 
En el campo de la optoelectrónica existen dispositivos semiconductores como los 
detectores de luz (también llamados fotodetectores), los cuales tienen la 
característica de efectuar la acción inversa de los LED o ILD; es decir, transforman la 
energía luminosa en corriente eléctrica. Algunos ejemplos de detectores de luz son 
el fotodiodo, el fototransistor, la fotorresistencia y la fotocelda. 
 
1.6.1 CARACTERÍSTICASLas características o conceptos más importantes que se manejan en los detectores 
de luz son: 
 
1. Respuesta inmediata. Es la relación entre la corriente de salida y la 
potencia óptica que recibe un fotodetector. 
 
 
18 
 
2. Corriente oscura. Es la corriente de reposo que pasa por un fotodetector 
cuando no hay entrada luminosa. Se debe a portadores generados térmicamente en 
el dispositivo. 
 
3. Tiempo de tránsito. Es el tiempo que tarda un portador inducido por la 
luz en cruzar la región de agotamiento. 
 
4. Respuesta espectral. Es el intervalo de longitudes de onda que se puede 
usar con determinado fotodetector. En general, la respuesta espectral relativa se 
grafica en función de la longitud de onda o de la frecuencia. 
 
5. Sensibilidad a la luz. La sensibilidad es la potencia óptica mínima que 
puede recibir un detector para producir una señal eléctrica útil de salida. 
 
1.6.2 FOTOTRANSISTOR 
El fototransistor es eléctricamente similar al transistor de baja potencia, como el BC 
547 por ejemplo, la diferencia estructural es la unión colector-base es más grande y 
es expuesta a la luz. 
 
 El material de la base es delgado para que la luz incidente pueda chocar con 
la unión colector-base; cuando la luz incide sobre ésta unión se crean pares de 
electrón-hueco. De ésta forma se crea la corriente de base, la cual se amplifica por 
la ganancia de corriente que presenta el fototransistor; entonces, la unión 
 
19 
 
 
C 
E 
B 
colector-base actúa como una fuente de corriente. Aunque la corriente del fotodiodo 
necesita amplificación, la del fototransistor no; la corriente generada en este, se 
amplifica automáticamente en el colector. 
 
 Los fototransistores se presentan en formato de dos o tres terminales. En el 
encapsulado de dos pines son conectados el colector y el emisor, la base no está 
eléctricamente disponible para su polarización. La única excitación en éste 
dispositivo es la luz que incide sobre la unión colector-base (cb). El encapsulado de 
dos terminales es el formato más común de los fototransistores. 
 
El formato con tres terminales permite la conexión eléctrica de la base para 
propósitos de polarización, sin embargo decrece la sensibilidad del dispositivo. 
 
La Figura 1.4 muestra el símbolo del fototransistor. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 1.4 Símbolo del fototransistor. 
 
20 
 
 
1.6.3 FOTODIODO 
El fotodiodo es un dispositivo de la familia de los detectores de luz, éste se polariza 
en forma inversa y la corriente de saturación inversa se controla por la intensidad de 
luz que incide sobre el diodo. La luz genera pares electrón-hueco, los cuales inducen 
corriente. El resultado es una fotocorriente, que es proporcional a la intensidad 
efectiva de la luz sobre el dispositivo. El diodo se comporta como un generador de 
corriente constante siempre que el voltaje no supere el voltaje de avalancha. Los 
tiempos de respuesta son menores que 1µs. La sensibilidad del fotodiodo puede 
incrementarse si el área de la unión se hace más grande, ya que se absorben más 
fotones, aunque lo anterior también incrementa el tiempo de respuesta debido a que 
aumenta la capacitancia de la unión p-n. La Figura 1.5 muestra el símbolo del 
fotodiodo. 
 
 
 
Figura 1.5 Símbolo y terminales del fotodiodo. 
 
La corriente del fotodiodo ( Ip ) se puede calcular a partir de la expresión 
matemática siguiente: 
 
gqHIp …………………………(1.4) 
 
 
 
Ánodo (+) A Cátodo (-) K 
 
21 
 
Donde: 
g = Eficiencia cuántica. 
q = Carga de un electrón ( 19106.1 ). 
H = uA Intensidad luminosa en fotones/s. 
u = Densidad de flujo de fotones en fotones/s - 2cm . 
A= Área de la unión p-n en 2cm . 
Ip = Corriente del fotodiodo. 
 
 
1.6.4 FOTOCELDAS 
Las fotoceldas son dispositivos que producen una variación eléctrica en respuesta a 
un cambio en la intensidad de la luz, y se clasifican como fotovoltaicas o 
fotoconductivas. 
 
La celda fotovoltaica es una fuente de energía cuyo voltaje de salida varía en 
relación con la intensidad de la luz que incide sobre su superficie. La Figura 1.6 
muestra el símbolo que representa a una celda fotovoltaica. 
 
 
 
 
 
Figura 1.6 Símbolo de una celda fotovoltaica. 
 
22 
 
La celda fotoconductiva varía su resistencia eléctrica como respuesta a los 
cambios en la intensidad de la luz incidente; esto se produce cada vez que aumenta 
o disminuye tal intensidad. El símbolo que se utiliza para representar una celda 
fotoconductiva se muestra en la Figura 1.7. 
 
 
 
 
 
Figura 1.7 Símbolo de la celda fotoconductiva 
 
La ventaja principal de las celdas fotoconductivas es su sensibilidad; la 
resistencia eléctrica de las celdas puede variar de más de 1MΩ a menos de 1KΩ a 
medida que se gradúa la intensidad de la luz. Las celdas fotoconductivas se eligen 
sobre las fotovoltaicas cuando se requiere una respuesta altamente sensible a las 
condiciones cambiantes de luz. Cuando se requiere de una respuesta rápida, las 
celdas fotovoltaicas son preferibles a las fotoconductivas. De la misma manera, si 
una fotocelda debe conmutarse rápidamente entre encendido y apagado, se 
seleccionan las celdas fotovoltaicas debido a que pueden conmutarse a frecuencias 
mayores que las fotoconductivas. 
 
 
 
 
23 
 
CAPÍTULO 2 
PRINCIPIOS DE OPTOAISLADORES 
 
2.1 INTRODUCCIÓN 
Los optoaisladores se utilizan dentro de la industria electrónica como interfaz para 
acoplar y aislar circuitos o etapas electrónicas que tienen características eléctricas y 
electrónicas incompatibles. Los optoaisladores se basan en la utilización del haz de 
luz para el acoplamiento de los circuitos sin conexión eléctrica directa. 
 
Los principales fabricantes de optoaisladores son: General Electric, Hewlett-
Packard, Motorola, Monsanto/General Instrument, Fairchild y Texas Instruments, así 
como varios fabricantes en menor escala que se dedican específicamente a la 
optoelectrónica como Litronix, Optron y Spectronics. 
 
En el presente capítulo se proporcionan los fundamentos y características 
eléctricas inherentes a los optoaisladores; de igual manera, se entregan los 
parámetros. 
 
2.2 INTERFAZ 
Una interfaz es un circuito o dispositivo del tipo eléctrico, electrónico o magnético, 
que tiene la capacidad de acoplar o interconectar secciones de un circuito para la 
transferencia de energía cuando es imposible la conexión directa entre éstas. Su 
función consiste en recibir la señal de control o mando de baja potencia, 5 Vcc por 
 
24 
 
ejemplo, para su transferencia, acoplamiento y aislamiento con una etapa de 
potencia en donde se manejan voltajes mayores a la etapa de control, por ejemplo 
127 Vca. El circuito de interfaz, de acuerdo con Ronald Tocci, “es aquel que se 
conecta entre el manejador y la carga”.3 
 
El diagrama a bloques de la Figura 2.1 muestra la misión de una interfaz en 
un sistema electrónico. 
 
 
 
Figura 2.1 Diagrama a bloques: etapa de control, interfaz, etapa de potencia y carga. 
 
2.3 DISPOSITÍVOS ELECTRÓNICOS Y MAGNÉTICOS DE INTERFAZ 
El acoplamiento y aislamiento entre circuitos de control y potencia se llevan a cabo 
con la utilización de alguna de las siguientes dos interfases: 
 
1. Interfaz optoelectrónica. 
2. Interfaz magnética. 
 
La primera se realiza con circuitos integrados llamados optoaisladores; 
mientras que la segunda se realiza con transformadores de aislamiento o 
relevadores. 
3 
Tocci, Ronald. Sistemas digitales. Sexta edicion. Prentice-Hall Hispanoamericana. Mexico. p.448. 
ETAPA DE 
CONTROL 
 Entrada 
 INTERFAZ 
 Acoplamiento 
ETAPA DE 
POTENCIA 
 Salida 
CARGA 
 RL 
 
25 
 
El objetivo de éste proyecto se enfoca en el acoplamiento vía 
optoelectrónica; sin embargo, se presenta un panorama general de la interfaz 
magnética. Al final del mismo, se exponen lasrazones por las cuales se utiliza el 
acoplamiento optoelectrónico. 
 
2.3.1 RELEVADOR 
El relevador es un dispositivo que se utiliza como interfaz magnética. Su 
funcionamiento básicamente es el siguiente: cuando la señal de mando activa la 
bobina se genera un campo magnético que provoca el cierre o apertura de los 
platinos, también llamados contactos metálicos, que forman el interruptor. La 
apertura y el cierre de los platinos, según su configuración normalmente cerrado 
(NC) o normalmente abierto (NO), generan el desgaste en su superficie de contacto 
provocando con ello arcos eléctricos, con lo cual se da origen a un funcionamiento 
intermitente; tal acción es de alto riesgo en lugares donde se concentran atmósferas 
explosivas. La Figura 2.2 muestra la estructura interna y la vista externa de un 
relevador. 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.2 Estructura interna y vista externa de un relevador. 
 
26 
 
2.3.2 TRANSFORMADOR DE AISLAMIENTO 
El transformador de aislamiento es una interfaz magnética, que tiene por objetivo 
proporcionar un acoplamiento magnético entre las etapas de control y potencia. Sin 
embargo, el transformador de aislamiento presenta fallas en el dieléctrico debido a 
los voltajes de corriente alterna a los cuales son expuestos los devanados primarios 
o secundarios de éste. 
 
Las fallas que se presentan en un transformador de aislamiento son el 
flashover y el alargamiento superficial del aislante (creepage). El flashover es la 
formación del arco eléctrico entre las partes del transformador mientras que el 
alargamiento superficial es la formación del arco eléctrico sobre la superficie del 
aislante; por lo tanto, al presentarse dichas fallas se generan interferencias que 
provocan alteraciones en el funcionamiento en los circuitos electrónicos 
involucrados. 
 
2.3.3 OPTOAISLADORES 
Los optoaisladores, también llamados optoacopladores, son dispositivos que se 
utilizan como interfaz optoelectrónica, y contienen al menos un diodo emisor de luz 
infrarroja acoplados a un fotodetector (también conocido como controlador o 
detector) permitiendo comunicar y aislar circuitos de control con circuitos de 
potencia. 
 
En general para cualquiera de las configuraciones de los optoaisladores el 
 
27 
 
Z
O
N
A
 D
E
 A
IS
L
A
M
IE
N
T
O
E
M
IS
O
R
D
E
T
E
C
T
O
R
principio de funcionamiento es similar; de tal manera que cuando una señal de 
mando o salida de la etapa de control polariza en directa al LED, la energía luminosa 
que produce el emisor cruza la zona de aislamiento e incide sobre el fotodetector, 
provocando con ello el paso de una corriente hacia la base o compuerta (según el 
tipo de detector) para la activación del dispositivo de potencia. 
 
La zona de aislamiento en los optoaisladores es una área que se localiza 
entre el emisor y el detector la cual evita cualquier contacto físico entre ambos 
elementos del optoacoplador; con ello se permite únicamente el paso del haz de luz 
hacia el fotodetector. La zona de aislamiento en los optoaisladores proporciona una 
resistencia del orden de los megahoms (MΩ), motivo por el cual se logran aislar 
voltajes de aproximadamente 8,000V. La Figura 2.3 ilustra la zona de aislamiento y 
los sectores que ocupan el emisor y el detector de una interfaz optoelectrónica en 
un circuito integrado. Así mismo, en ésta figura se observa que la señal de mando 
(Vcc) manipula al emisor; mientras que el fotodetector es operado con voltajes de 
corriente continua de mayor potencia o con voltajes de corriente alterna. 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.3 Zona de aislamiento, emisor y detector en un optoaislador. 
 Señal de mando 
Voltajes de corriente continúa 
Voltajes de corriente continúa 
 
 o 
 
Voltajes de corriente alterna 
 
 
28 
 
Led 
Acabado exterior 
Zona de 
aislamiento 
Detector Cavidad 
En un optoacoplador, el emisor y el detector se colocan en una cavidad con 
el propósito de protegerlos de las agresiones ambientales o físicas como lo son el 
ruido, las interferencias y las presiones mecánicas que se presentan al ser 
manipulados. 
 
La Figura 2.4 muestra a un LED y a un detector los cuales se colocan frente a 
frente dentro de una cavidad; éste tipo de configuración recibe el nombre de 
opuesta por la posición de sus elementos. 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.4 Dispositivos en configuración opuesta. 
 
La Figura 2.5 muestra una cavidad en forma oval, en donde el emisor y el 
detector son colocados horizontalmente dentro de una cubierta tipo domo, ésta 
configuración recibe el nombre de coplanar por la posición de sus dispositivos. 
 
 
 
 
29 
 
Domo 
Iled Detector 
Cavidad 
Acabado exterior Zona de aislamiento 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.5 Dispositivos en configuración coplanar. 
 
2.3.3.1 ENCAPSULADO 
Los optoaisladores en general se encapsulan con base en el formato de doble fila de 
conexiones (DIP, por Dual In Line Package), con una presentación de 4, 6, 8 y 16 
terminales de conexión. 
 
Para una configuración de cuatro terminales, los pines 1 y 2 corresponden al 
emisor, mientras que en las terminales 3 y 4 es ubicado el detector. Un optoaislador 
con seis pines presenta cierta similitud con el anterior formato debido a que contiene 
un solo emisor, y éste se localiza en las mismas terminales; para el detector se 
tienen reservados los pines 4, 5, y 6 sin embargo esto depende exclusivamente del 
tipo de detector a utilizar. 
 
El optoacoplador con ocho terminales de conexión contiene más de un 
emisor ubicados en los pines 1, 2, 3 y 4. Los detectores se encuentran disponibles 
en las terminales 5, 6, 7 y 8; y su ubicación depende del tipo de detector. 
 
30 
 
El optoacoplador con dieciséis terminales contienen ocho emisores como 
máximo distribuidos desde el pin 1 hasta el 8; sus detectores ocupan 
frecuentemente la terminal 10 hasta la 16. 
 
 La Figura 2.6 muestra el encapsulado tipo DIP con ocho terminales de 
conexión en un optoaislador. 
 
 
 
 
 
Figura 2.6 Encapsulado tipo DIP en un optoaislador con ocho terminales. 
 
2.3.3.2 PARÁMETROS GENERALES 
Los parámetros de mayor importancia que se utilizan en los optoaisladores son: 
 
1. Eficiencia. 
2. Aislamiento eléctrico. 
3. Temperatura. 
4. Velocidad de respuesta. 
 
La eficiencia se define como la cantidad mínima de corriente que se requiere 
para obtener en el detector una respuesta. Para optoaisladores con detectores tipo 
 
31 
 
100
Entrada
Salida
I
I
RTC
transistor o darlington a éste parámetro se le conoce como relación de transferencia 
de corriente (RTC), su expresión matemática es la siguiente: 
 
 ………………………(2.1) 
 
Para el caso de optoaisladores con detectores a scr y triac, la RTC no se 
aplica ya que el emisor se polariza con voltajes de corriente continua; mientras que 
el detector se polariza con voltajes de corriente alterna. La relación de transferencia 
se puede observar en la Figura 2.7, en donde se compara la corriente del LED, la 
cual establece el flujo luminoso, con la corriente del colector resultante del transistor 
de salida (cuya corriente de base es determinada por el flujo incidente). 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.7 Gráfica de transferencia en un optoaislador con salida a transistor. 
 
 
32 
 
El aislamiento es un parámetro de suma importancia que debe tener un 
optoaislador, ya que el aislamiento entre una etapa de control y una etapa de 
potencia debe ser altamente efectivo para evitar fallas en los sistemas electrónicos.Como ya se mencionó anteriormente, la mayoría de los optoacopladores 
proporcionan un aislamiento eléctrico del orden de los megaohms para acoplar 
voltajes de hasta 8 Kv. 
 
La temperatura de trabajo es un parámetro que influye en la corriente de 
salida y así mismo en el rendimiento del optoaislador. En la Figura 2.8 se observa el 
efecto de la temperatura en un optoacoplador a medida que ésta aumenta o 
disminuye. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.8 Efecto de la temperatura en un optoaislador. 
 
 
33 
 
La velocidad de respuesta es un parámetro que determina la rapidez con la 
cual opera un optoaislador y depende por completo de las características del 
detector. 
2.3.3.3 PARÁMETROS ELÉCTRICOS 
Los siguientes términos eléctricos se aplican exclusivamente en los optoaisladores y 
se detallan a continuación: 
 
 Corriente de entrada o trabajo (IFT): Se define como la 
corriente que circula por las terminales correspondientes al 
emisor cuando se polariza en directa, también se denomina IF. 
 
 Corriente de salida (IO): Se define como la corriente que 
circula por las terminales correspondientes al fotodetector. 
 
 Resistencia de aislamiento (RIO): Se define como la resistencia 
entre el emisor y el fotodetector, debiendo presentar valores 
elevados para un buen aislamiento. 
 
 Voltaje de trabajo (VF): Se define como el voltaje que se 
puede aplicar continuamente al emisor en condiciones 
normales de funcionamiento sin dañar el dispositivo, también 
se denomina VFT. 
 
 
34 
 
 Transferencia de señal (T): Representa la relación entre dos 
magnitudes eléctricas del optoacoplador, una de entrada y 
otra de salida, indicándose para cada dispositivo las 
magnitudes elegidas. 
 
2.3.3.4 EMISOR 
El diodo emisor de luz infrarroja es el dispositivo que se utiliza como fuente óptica 
en los optoaisladores, y es a su vez quien recibe la señal de mando del circuito de 
control. No obstante que hay distintos tipos el más común es el AIGaAs, el cual 
tiene una emisión cercana al infrarrojo (750-900nm), y el GaAs con una longitud de 
940nm. El material del emisor que se elige tiene que acoplarse a la respuesta 
espectral del detector para garantizar su compatibilidad. El arseniuro de aluminio y 
galio es el que se utiliza con mayor frecuencia, ya que su longitud de onda puede 
variarse fácilmente alterando la relación galio-aluminio, asimismo, el AIGaAs necesita 
una baja corriente de trabajo, por lo cual se puede controlar directamente por 
circuitos digitales. 
 
2.3.3.5 FOTODETECTOR 
Los optoaisladores utilizan diferentes tipos de fotodetectores como salidas para 
acoplar y aislar la señal en una etapa de potencia. Los controladores que se utilizan 
son: 
 
 
 
35 
 
1. Transistor. 
2. Darlington. 
3. SCR. 
4. Diac de cruce por cero. 
5. Diac. 
 
El detector formado por un transistor de juntura bipolar (tbj) es de bajo costo 
con una velocidad de funcionamiento típica de 100-500Khz y una relación de 
transferencia de corriente mínima entre el 10% y el 100%. La salida a transistor de 
un optoaislador se utiliza para controlar básicamente transistores tbj y transistores 
de potencia. Ésta configuración se muestra en la Figura 2.9. 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.9 Optoaislador salida a transistor. 
 
 
 
 
 
1 
2 
3 4 
5 
6 
 
36 
 
La salida a darlington tiene una relación de transferencia entre el 100% y el 
600%. La velocidad de funcionamiento es relativamente baja, la cual se sitúa entre 
los 2kHz y 10kHz. La salida a darlington de un optoacoplador también se utiliza para 
controlar transistores tbj y de potencia. La Figura 2.10 presenta el esquema de un 
optoacoplador con controlador darlington. 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.10 Optoaislador salida darlington. 
 
La salida a SCR de un optoacoplador se muestra en la Figura 2.11. Éste tipo 
de configuración se utiliza para controlar básicamente al rectificador controlado de 
silicio (SCR, Silicon Controlled Rectifier) y puede trabajar con voltajes de corriente 
continua o alterna, esto depende de la función en turno del SCR. 
 
 
 
 
 
 
1 
2 
3 4 
5 
6 
 
37 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.11 Optoaislador salida SCR. 
 
La Figura 2.12 presenta un optoacoplador con salida tipo diac, mejorado, con 
un circuito de cruce por cero. Éste tipo de optoaislador se utiliza exclusivamente 
para controlar triodos de corriente alterna. 
 
El circuito de cruce por cero evita que las corrientes parásitas, las cuales se 
originan por la emisión de fotones del diodo emisor de luz infrarroja, activen el 
controlador con salida a diac. El detector de cruce por cero permite que un triac de 
potencia se conmute en los puntos de cruce por cero de la red de corriente alterna, 
por lo tanto se minimiza la generación de interferencias de radiofrecuencias (RF). 
 
 Las interferencias se pueden originar por el cambio brusco de tensión que se 
produce al conectar el circuito a la red de corriente alterna así como las 
desconexiones aleatorias de la red. 
 
 
 
1 
2 
3 4 
5 
6 
 
38 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.12 Optoaislador salida tipo diac con circuito de cruce por cero. 
 
El optoacoplador con salida tipo diac se utiliza para controlar básicamente 
triacs. La Figura 2.13 muestra el tipo de optoaislador mencionado. 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 2.13 Optoaislador salida diac. 
 
 
 
Circuito detector 
de cruce por cero 
1 
2 
3 4 
5 
6 
 
1 
2 
3 4 
5 
6 
 
39 
 
CAPÍTULO 3 
CIRCUITO INTEGRADO MOC 8102 
3.1 INTRODUCCIÓN 
El circuito integrado MOC 8102 es una interfaz de tipo optoelectrónico contiene en 
su interior dos dispositivos semiconductores como el diodo emisor de luz infrarroja y 
el fototransistor. Un optoaislador, como se menciona en capítulos anteriores, 
permite acoplar y aislar voltajes de diferente naturaleza o magnitud. 
 
En el presente capítulo se entregan los datos, parámetros y características 
eléctricas importantes que se relacionan con el circuito integrado MOC 8102 para su 
posterior implementación. 
 
3.2 CIRCUITO INTEGRADO MOC 8102 
El circuito integrado esta fabricado en seis terminales de conexión. Contiene dentro 
de su encapsulado los siguientes dispositivos: 
 
 Diodo emisor de luz infrarroja, fabricado de la combinación de Arsenio 
y Galio. 
 Fototransistor, elaborado esencialmente de Silicio. 
 
 
 
 
 
40 
 
3.2.1 FUNCIONAMIENTO 
El funcionamiento del optoaislador se explica con la utilización del esquema 
simplificado de la Figura 3.1. Cuando una corriente fluye a través del LED se genera 
una radiación infrarroja que incide sobre el fotodetector provocando el paso de la 
corriente de colector hacia la base de transistor de potencia. El estado de 
conducción permanece hasta que la corriente que fluye a través del detector cae por 
debajo de su valor mínimo. 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.1 Funcionamiento optoaislador 
 
3.2.2 TERMINALES DE CONEXIÓN 
Las terminales de conexión del circuito integrado MOC 8102 se distribuyen como se 
muestra en la Figura 3.2, y se mencionan a continuación: 
 
 
 
 
 R 
 + - 
 V 
+ 
 
 - 
Corriente I 
 
 Señal de mando 
 
Salida a la base 
del transistor 
de potencia 
 
41 
 
FOTOTRANSISTOR 
NC 
NC 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.2 Terminales de conexión del circuito integrado MOC 8102. 
 
 Ánodo, pin 1. En este punto de conexión se localiza el ánodo 
del LED de luz infrarroja del optoaislador. En ésta terminal se 
conecta el resistor limitador de corriente para el LED. 
 Cátodo, pin 2. En éste punto de conexión se localiza el cátodo 
del LED. Generalmente, cuando la señal de mando es 1 lógico, 
ésta terminal se conecta directamente al polo negativo de la 
fuente de alimentación. 
 No Conexión, pin 3. Terminal sin conexión. 
 Emisor de fototransistor, pin 4. Ésta terminal se conecta con la 
base del transistor depotencia, para poder controlarlo. 
 Colector de fototransistor, pin 5. En este punto, se conecta el 
resistor limitador generalmente con valor de 100 a 1 000 
ohms, o un arreglo resistivo. 
 Terminal Principal (pin 6). No conexión. 
 
LED 
 
42 
 
3.2.3 PARÁMETROS ELÉCTRICOS 
Las especificaciones eléctricas que Motorola proporciona del circuito integrado MOC 
8102, se muestran en las siguientes tablas. 3.1 y 3.2. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Tabla 3.1 Especificaciones máximas eléctricas MOC 8102. 
 
 
 
 
 
 
 
43 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Tabla 3.2 Especificaciones generales eléctricas MOC 8102. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
44 
 
3.2.4 DIODO EMISOR 
 
El diodo emisor de luz infrarroja es la combinación de GaAs es el dispositivo emisor 
utilizado en el C.I, tiene un voltaje mínimo y máximo de trabajo de 1.0 y 1.5 V 
respectivamente con voltaje de polarización inversa (VR) de 6 V. La corriente máxima 
de trabajo que el dispositivo puede soportar es de 60 mA, éstos datos pueden ser 
consultados en las tablas 3.1 y 3.2. El objetivo de éste es emitir un haz de luz 
infrarroja hacia el fototransistor, a través de la zona de aislamiento, cada vez que el 
emisor recibe un pulso digital. 
 
3.2.4.1 RENDIMIENTO 
Todos los diodos emisores de luz disminuyen gradualmente su rendimiento, es decir, 
su potencia decae con respecto al tiempo de utilización, además, si la temperatura 
de trabajo es más alta que la sugerida por el fabricante, el LED tiende a desgastarse 
de una forma más acelerada. 
 
Para prolongar el tiempo de vida del LED, se recomienda que éste trabaje 
con corrientes cercanas a los 20mA, es decir a 1/3 de IFT, las cuales se pueden 
obtener con la implementación de un resistor limitador de corriente. 
 
3.2.4.2 CIRCUITO DE PROTECCIÓN 
El manual del fabricante del optoacoplador MOC 8102 proporciona y recomienda 
utilizar un circuito de protección para el emisor, este circuito blinda al LED contra 
 
45 
 
variaciones que se pudieran presentar en la señal de mando. La Figura 3.3 muestra 
el circuito de protección para el circuito emisor. 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.3 Circuito electrónico de protección para el emisor. 
 
3.2.5 FOTODETECTOR 
El fototransistor del circuito integrado 8102 es su dispositivo fotodetector. Figura 
3.4. El objetivo del detector es convertir el haz de luz proveniente del LED en 
corriente eléctrica para conducir e introducir la corriente de disparo hacia base de un 
transistor de potencia, para controlar el movimiento del motor. 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.4 Fotodetector en CI. 8102 
 
FOTOTRANSISTOR 
 
46 
 
3.2.6 ENCAPSULADO 
El circuito integrado MOC 8102 es encapsulado en base al formato DIP (Dual In 
Line Package) con seis terminales de conexión. 
 
El encapsulado protege o proporciona al circuito integrado: 
 
 Resistencia al medio de trabajo. 
 Inmunidad al ruido. 
 Inmunidad a interferencias de RF. 
 
La Figura 3.5 es una imagen ampliada del optoaislador MOC 8102. 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.5 Optoaislador MOC 8102. 
 
 
 
 
 
 
47 
 
3.2.7 CURVAS DE OPERACIÓN 
Las curvas de operación del circuito integrado MOC 8102 son proporcionadas por el 
fabricante a través del manual del optoaislador, las cuales se reproducen a 
continuación. Figuras 3.6, 3.7, 3.8 y 3.9. 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.6. Voltaje y corriente en LED, con polarización directa. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.7 Corriente de entrada y corriente de salida. 
 
 
48 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.8 Corriente de salida y temperatura ambiental 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 3.9 Corriente en colector y voltaje en colector-emisor 
 
 
 
 
 
 
 
 
49 
 
CAPÍTULO 4 
APLICACIÓN DEL CIRCUITO INTEGRADO MOC 8102 
4.1 INTRODUCCIÓN 
En el capítulo cuatro y último, se presenta la implementación del circuito integrado 
MOC 8102 como interfaz optoelectrónica. Su función específica consiste en recibir un 
voltaje de corriente continua de 5 Vcc para acoplarse con un circuito de potencia de 
mayor voltaje. 
 
4.2 APLICACIÓN DEL OPTOAISLADOR MOC 8102 
La implementación del circuito integrado MOC 8102 como interfaz consiste en 
analizar y calcular: 
 
1. El resistor limitador de corriente para emisor del circuito integrado MOC 
8102. 
2. La potencia eléctrica en motor de 24 Vcc. 
3. Análisis del puente H. 
4. Mediciones eléctricas. 
 
Es fundamental señalar que al utilizar dos optoaisladores, uno para avance y 
otro para retroceso, y ser de la misma configuración y a su vez de similares 
parámetros eléctricos, los cálculos se realizarán para un circuito integrado pero se 
aplicarán a ambos optoaisladores. 
 
 
50 
 
4.2.1 ANÁLISIS FUNCIONAL 
El funcionamiento de cada dispositivo en la implementación del circuito integrado 
MOC 8102 se presenta en el siguiente análisis funcional, y se indica a continuación: 
C.I 1: es el circuito integrado MOC 8102, número 1, que se utiliza como interfaz 
optoelectrónica. 
C.I 2: es el circuito integrado MOC 8102, número 2, que se utiliza como interfaz 
optoelectrónica. 
24 Vcc: es el voltaje que se suministra para el funcionamiento del puente H, motor 
y fototransistor de los circuitos integrados MOC 8102. 
5 Vcc: es el voltaje (señal de avance o retroceso) que proporciona el circuito de 
control para activar el led del circuito integrado MOC 8102, números 1 y 2. 
MT1: es el motor de 24 volts de corriente continua que genera movimientos de 
avance y retroceso en el acomodador de producto de la rebanadora de embutidos. 
Sw1: es el dispositivo encargado de conducir y enviar el voltaje de 5 vcc hacia el 
circuito integrado 1 MOC 8102. 
Sw2: es el dispositivo encargado de conducir y enviar el voltaje de 5 vcc hacia el 
circuito integrado 2 MOC 8102. 
D5 y D6: son diodos semiconductores 1N4002 utilizados en el circuito de protección 
del diodo emisor de luz infrarroja para los optoaisladores MOC 8102, números 1 y 2. 
Q5 y Q6: son transistores BC 547 utilizados en el circuito de protección para el 
diodo emisor de luz infrarroja del circuito integrado MOC 8102, números 1 y 2 
respectivamente. 
 
51 
 
R1 y R3: son resistores que se utilizan para limitar la corriente en el diodo emisor 
en el circuito integrado MOC 8102, números 1 y 2 respectivamente, sus valores se 
calculan. 
VR1: es un resistor variable de precisión que se utiliza para calibrar la corriente que 
entrega R1. 
VR2: es un resistor variable de precisión que se utiliza para calibrar la corriente que 
entrega R3. 
R2 y R4: son resistores de 47Ω utilizado para el circuito de protección del emisor. 
R5 y R6: son resistores de 100Ω utilizados para polarizar la base del fototransistor 
en los optoaisladores 1 y 2. 
R7: es un resistor de 10 KΩ utilizado para interconectar la base de los transistores, 
TIP 41 C, Q1 y Q4. 
R8: es un resistor de 10 KΩ utilizado para interconectar la base de los transistores, 
TIP 41 C, Q2 y Q3. 
Q1, Q2, Q3 y Q4: son transistores npn, TIP 41C, empleados para formar el puente 
H que permite la rotación del eje del motor hacia la izquierda o derecha. 
D1, D2, D3 y D4: son diodos semiconductores 1N4002 para limitar corrientes 
parasitas provocadas por devanados del motor. 
 
 
 
 
 
 
52 
 
La Figura siguiente, 4.1, muestra la conexión de cada elemento mencionado 
para su referencia. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 4.1 Referencia y conexión de los dispositivos. 
 
 
 
 
 
53 
 
4.2.2 RESISTOR LIMITADOR DE CORRIENTE PARA EL EMISOR 
El resistor limitador de corriente para el emisor, R1 y R3, es un dispositivo pasivo 
que tiene por función, como su nombre lo indica, limitar el paso de la corriente hacia 
el LED y permitir que su rendimiento aumente al igual que su vida útil. Su valor se 
calcula utilizando el diagrama dela Figura 4.2. 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 4.2 Resistor limitador de corriente para LED en MOC 8102. 
 
Aplicando el método de mallas en donde se utiliza la Ley de Kirchhoff para 
voltajes (LKV) se tiene que. Eq. 4.1. 
 
0LEDLEDLEDCC VIRV …………………………. (4.1) 
 
Al despejar LEDR de 4.1, se obtiene la expresión 4.2 para calcular el resistor 
para el LED. 
 
5 Vcc 
 
54 
 
LED
LEDCC
LED
I
VV
R ………………………………(4.2) 
Donde: 
LEDR = Valor del resistor limitador de corriente del emisor. 
CCV = Voltaje de la señal de avance o retroceso. 
LEDV = Voltaje de trabajo del LED infrarrojo. 
LEDI = Corriente de trabajo del LED infrarrojo. 
El resistor limitador de corriente se conecta en el ánodo del ILED (pin 1 del 
circuito integrado MOC 8102) para recibir la señal de avance o retroceso. 
 
El valor de los resistores limitadores R1 y R3 de corriente para el diodo emisor de luz 
infrarroja se calcula a partir de la expresión 4.2: 
 
 
LED
LEDCC
LED
I
VV
R 
 
ILED de acuerdo al fabricante debe trabajar 1/3 de su valor máximo que es de 60 mA, 
entonces ILED = 20 mA 
Asignando valores, se tiene que: 
CCV = 5V 
LEDV = 1.5V 
LEDI = 20mA 
LEDR = ? 
 
55 
 
Los datos obtenidos, se sustituyen en 4.2 para encontrar el valor del resistor. 
 
02.0
5.15
LEDR 
 
 175LEDR Ω 
 
El resistor de 175Ω no es un valor comercial, por lo tanto, se sustituye por un 
dispositivo de 150Ω a ½ watt ya que este valor es cercano a 175Ω con la ventaja 
que se encuentra en el mercado de la electrónica, y en consecuencia la corriente 
que circula por el diodo emisor de luz infrarroja rondará en los 20mA. 
 
La corriente que circula por el LED cuando LEDR = 150Ω se obtiene al despejar 
LEDI de la expresión matemática 4.1. 
 
LED
LEDCC
LED
R
VV
I ……………………………….. (4.3) 
 
Donde: 
CCV = 5V 
LEDV = 1.5V 
LEDR = 150Ω 
LEDI = ? 
 
56 
 
Se realizan las sustituciones, con los valores citados anteriormente, en la 
expresión 4.3 para obtener el resultado de la corriente. 
 
150
5.15
LEDI 
 LEDI = 0.0233A = 23.3 mA 
 
El resultado indica que el valor del resistor de 150Ω limita la corriente de 
trabajo en 23.3mA, con una diferencia de 3.3mA con respecto a un uso virtual de un 
resistor de 175Ω. Sin embargo, es posible acondicionar la LEDI a 20mA con la 
adición de un resistor variable de precisión con un valor de 100Ω conectado en serie 
con el resistor de 150Ω. 
 
 El valor total de un arreglo de resistores en serie se puede calcular con la 
aplicación de la expresión 4.4. En donde la resistencia total es igual a la suma de 
cada uno de sus elementos. 
 
NTOTAL RRRR 21 …………………. (4.4) 
 
Donde: 
1R = 150Ω 
2R = Resistor variable = 100Ω 
 
 
57 
 
Es necesario aclarar, de aquí en adelante, que LEDR no es un componente 
único, sino es la suma del resistor de 150Ω más el resistor variable de 100Ω. Por lo 
tanto: 
LEDR = 150Ω + 100Ω = 250Ω 
 
 Se observa que LEDR adquiere valores en un intervalo de 150 hasta 250Ω; 
la resistencia de 175Ω se ubica precisamente dentro del intervalo, por lo tanto, solo 
es necesario realizar el ajuste en el resistor variable de precisión para obtener dicho 
valor. La Figura 4.3 muestra el diagrama de conexión entre el diodo emisor de luz 
infrarroja del optoaislador MOC 8102 y los dispositivos auxiliares (resistores de 47 y 
150Ω, diodo semiconductor 1N4002, transistor npn BC 547, resistor variable de 
precisión de 100Ω). La conexión entre estos dispositivos permite en primer lugar el 
manejo de una señal de mando, que polariza en directa al LED infrarrojo, siendo 
ésta un voltaje de corriente continua y, en segundo lugar para la protección del 
mismo diodo emisor contra posibles alteraciones en la señal de 5 Vcc. 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 4.3 Referencia de R1 y conexión de los dispositivos complementarios. 
 
58 
 
4.3. TRANSISTOR DE POTENCIA TBJ 
El transistor bipolar de unijuntura (TBJ), es un dispositivo con tres terminales de 
conexión llamadas; base (B), colector(C) y emisor(E): donde la primera es de 
entrada y puede admitir corrientes pequeñas para su operación, la segunda es de 
salida ya que deja pasar hacia la carga altas corrientes y la tercera puede ser 
entrada y/o salida. 
 
Internamente está formada por tres capas de material semiconductor, por 
lo cual existen dos tipos de transistores NPN Y PNP. Por las junturas o uniones el 
transistor se llama de juntura y bipolar porque existen cargas (+ y -). El nombre 
transistor significa transferir el valor alto de entrada a uno bajo de salida. Su símbolo 
eléctrico del transistor TBJ se muestra en la siguiente Figura 4.4. 
 
1) TBJ NPN 2) TBJ PNP 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 4.4 Símbolo eléctrico de los transistores TBJ 
 
 
59 
 
El transistor TBJ es un dispositivo que se utiliza en algunos casos como son 
los siguientes: 
 
a) Control de motores. 
b) Activación de relevadores. 
c) Fuentes de alimentación reguladas y conmutadas. 
d) Amplificadores de potencia. 
 
En el presente proyecto se utiliza el transistor TBJ de potencia TIP41C, como 
interruptor, para controlar el movimiento del motor en avance y retroceso aplicado 
en un circuito puente “H”. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
60 
 
4.4 CIRCUITO DE POTENCIA, EL PUENTE H 
Un Puente H es un circuito electrónico que controla la rotación en un motor 
eléctrico en sentidos de avance o retroceso. 
 
 El término "puente H" es una representación gráfica y técnica del circuito 
para su entendimiento. El puente H se construye con 4 interruptores mecánicos o 
electrónicos. Cuando los transistores Q1 y Q4 se encuentran en estado de 
conducción, y Q2 - Q3 abiertos, se aplica una tensión positiva en el motor 
haciéndolo girar en un sentido. Cuando los transistores Q1 y Q4 pasan al estado de 
corte, y Q2 y Q3 a conducción, el voltaje se invierte, permitiendo el giro en sentido 
inverso del motor. La Figura 4.5 es una representación gráfica del puente H. 
 
 
Figura 4.5 Puente H 
 
 
La siguiente Figura 4.6 es la representación simbólica del puente H con 
transistores NPN 
 
 
Q1 
Q2 
Q3 
Q4 
 
61 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 4.6 Puente H con transistores 
 
El motor, que realiza la acción de avance y retroceso en el acomodador de 
producto, utilizado en la rebanadora de embutidos Bizerba es un dispositivo que 
requiere una alimentación de 24Vcc a 0.5, según el dato de placa. El motor debe 
cumplir con las siguientes acciones: 
 
I. Realizar movimientos hacia su derecha para avanzar en sentido a las 
manecillas del reloj. 
 
II. Girar hacia su izquierda para retroceder en sentido contrario a las manecillas 
del reloj. 
El puente H, para la presente implementación, esta formado por cuatro 
transistores tipo NPN de potencia con la siguiente nomenclatura: TIP 41 C. cada 
 
62 
 
transistor funciona, en modo de conducción o corte, de forma simultánea de la 
siguiente forma: 
 
 
 Q1 y Q4. 
 Q2 y Q3 
 
Dónde: 
 Q1 y Q4 permiten la rotación del motor en forma de avance cada vez que el 
switch 1 permite el paso de la señal hacia el optoaislador 1, mientras que Q2 
y Q3 permanecen inactivos. 
 
 Q2 y Q3 permiten la rotación del motor en forma de retroceso, cada vez que 
el switch 2 permite el paso de la señal hacia el optoaislador 2, mientras que 
Q1 y Q4 permanecen inactivos. 
 
 
 
 
 
 
 
63 
 
4. 5 CÁLCULO DE POTENCIA MÁXIMA EN CARGA 
La potencia máxima demandada en la carga se calcula a partir de la aplicación de la 
Ley de Watt en la siguiente expresión 4.8 
 
maxmaxmax IVP ……………….. (4.8) 
 
 
Donde: 
maxP = Potencia máxima 
maxV = Voltaje = 24 Vcc 
maxI = Corriente máxima en carga 
 
 
Se sustituyen valores en 4.8; por lo tanto: 
 
maxmaxmax IVP 
5.024maxP 
WP 12max 
 
El resultado indica que el motor genera un potencia eléctrica de 12Watts a 
24 volts de corriente continua y 0.5 amperes de corriente. 
 
 
64 
 
4.6 MEDICIONES 
Las mediciones se realizan con el objetivo de conocer y comprobar los resultados 
teóricos obtenidos, éstas se concentran en el cuadro 4.1 para el emisor. 
 
PARÁMETRO VALOR 
TEÓRICO 
VALOR 
MEDIDO 
UNIDAD DE 
MEDIDA 
IILED (C.I 1) 20 18.1 mA 
RILED (C.I 1) 175 174 Ω 
VILED (C.I 1) 1.5 1.99 Vcc 
IILED (C.I 2) 20 18.2 mA 
RILED (C.I 2) 175 176 Ω 
VILED (C.I 2) 1.5 1.99 mA 
 
Cuadro 4.1 Mediciones de corrientes y voltajes. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
65 
 
4.7 DIAGRAMA GENERAL DE CONEXIONES 
El diagrama general de conexiones de la Figura 4.7 muestra el diseño final 
del circuito electrónico en conjunto; así mismo se presenta, simbólicamente, 
cada uno de los dispositivos con su respectiva nomenclatura y valor para su 
referencia e identificación en la tarjeta de circuito impreso PCB (Printed 
Circuit Board). 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Figura 4.7 Diagrama general de conexiones 
 
66 
 
CONCLUSIÓN 
 
El método de acoplamiento optoelectrónico a través de la utilización del circuito 
integrado MOC 8102 elimina la necesidad de utilizar relevadores o transformadores 
de aislamiento. Esto se debe principalmente a las ventajas operativas y físicas del 
circuito integrado, como las siguientes: 
 
 El optoaislador no sufre desgaste con arcos eléctricos y su vida de 
trabajo es más prolongado. 
 
 El método de acoplamiento óptico es superior en muchas aplicaciones, 
pues elimina algunas características menos deseables de los 
relevadores. 
 
 Ocupa menos espacio con la tarjeta impresa y su mantenimiento se 
vuelve más económico, evitando el constante reemplazo de piezas. 
 
 Permite comunicar y aislar circuitos de control con circuitos de 
potencia. 
 
 El circuito integrado MOC 8102 aplicado como interfaz electrónica, con 
él se logra reducir costos en el mantenimiento correctivo constante 
por lo cual se pierde menos tiempo en la producción. 
 
 
 
67 
 
 
 Dentro de su cavidad el circuito integrado MOC 8102 se protege de 
agresiones ambientales ó físicas como el ruido, las interferencias y las 
presiones mecánicas que presentan al ser manipulados. 
 El circuito MOC 8102 es un dispositivo confiable para controlar 
básicamente transistores TBJ de potencia y tiene un tiempo de vida 
más largo que los relevadores. 
 Con el circuito MOC 8102 como interfaz electrónica y aplicado con el 
puente “H” tiene un mejor control con el movimiento del motor. 
Por otro lado al utilizar el puente “H” es un circuito que puede controlar 
la rotación de un motor DC en sentido de avance y retroceso. 
 El TIP 41C como interruptor, tiene un tiempo de vida más largo y 
un mejor funcionamiento. 
 El transistor de potencia como interruptor de estado sólido 
aplicado en el puente “H”, tiene un mejor control en la rotación 
del motor. 
 
 
 
 
 
 
 
68 
 
GLOSARIO 
 
 
Acoplamiento optoelectrónico. Técnica de acoplamiento y aislamiento de 
señales de entrada de alto voltaje a señales lógicas de bajo voltaje, o viceversa, por 
una interfaz aislada y vinculada por medios fotoeléctricos entre dos circuitos 
electrónicos. 
 
Celda fotoconductiva. Fotocelda pasiva en la cual su resistencia varía en relación 
a la intensidad de luz que incide sobre su superficie. 
 
Celda fotovoltaica. Fotocelda que produce un voltaje de salida el cual cambia en 
relación a la intensidad de luz que incide sobre su superficie. 
 
Circuito integrado. Dispositivo que contiene sus propios transistores, resistencias 
y diodos. Un CI que emplee estos componentes microscópicos se puede fabricar de 
tal forma que solo ocupe el espacio de un transistor discreto. 
 
 
Fotocelda. Dispositivo que produce una variación eléctrica en respuesta al cambio 
en la intensidad de luz. 
 
Fototransistor. Transistor que responde a la intensidad de luz sobre su lente; 
frecuentemente utilizado con un LED para acoplamiento óptico. 
 
PCB. Siglas en el idioma inglés de Printed Circuit Board, referido a las tarjetas de 
circuito impreso. 
 
Semiconductor. Material de silicio o germanio, el cual se dopa con impurezas 
pentavalentes o trivalentes para obtener materiales N o P, que son las bases para la 
elaboración de circuitos integrados, diodos, transistores, tiristores. 
 
69 
 
Señal digital. La señal digital es aquella cuya información se conceptúa como del 
“todo o nada”; 0 y 1 lógicos; on-off, sin existir valores intermedios en el paso de un 
nivel alto de voltaje a un nivel bajo o viceversa (cambio súbito de 0-1, y de 1-0). 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
70 
 
FUENTES DE CONSULTA 
 
1. Boylestad, Robert y Nashelsky Louis. Fundamentos de electrónica. Cuarta 
edición. Rodolfo Navarro Salas, traductor. Prentice-Hall Hispanoamericana. 
México. 
 
 
2. Chilet Seguí, Salvador, et al. Fundamentos básicos de la electrónica de potencia. 
Alfa Omega. 
 
 
3. Gualda Gil, Juan Andrés; Martínez García Salvador; Martínez Martínez, Pedro 
Manuel. Electrónica industrial: Técnicas de potencia. Alfa Omega marcombo. 
España. 
 
 
4. Humphires, James y Leslie, Sheets.1996. Electrónica industrial. Paraninfo. 
 
 
5. Maloney, Timothy. Electrónica industrial moderna. Tercera edición. David 
Morales Peaje, traductor. Prentice-Hall Hispanoamericana. México. 
 
 
 
6. Microelectrónica: teoría y aplicaciones. Marcombo Boixareu. Barcelona-México. 
 
 
7. Motorola. Optoelectronics device data. U.S.A. 
 
 
8. Morris, N.M. Fundamentos de electrónica industrial. Segunda edición. Luis Ibáñez 
Morlan, traductor. Marcombo Boixareu. Barcelona-México. 
 
 
9. Serway, Raymond. Física. Tomo II. Cuarta edición. Gabriel Nagore Cazares, 
traductor. Mc. Graw-Hill. 
 
 
10. Tipler, Paul A. 1999. Física para la ciencia y la tecnología. Volumen 2. Cuarta 
edición. Editorial Reverte, S.A. España. 
 
 
11. Tocci, Ronald. 1996. Sistemas digitales. Sexta edición. Francisco G. Noriega, 
traductor. Prentice-Hall Hispanoamericana. México. 
 
 
 
71 
 
ANEXOS 
DIMENSIONES EXTERNAS DEL CIRCUITO INTEGRADO MOC 8102 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
72 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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73 
 
 
REBANADORA BIZERBA 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
	Portada
	Índice
	Introducción
	Justificación 
	Objetivos
	Capítulo 1. Fundamentos de Optoelectrónica
	Capítulo 2. Principios de Optoaisladores
	Capítulo 3. Circuito Integrado MOC 8102
	Capítulo 4. Aplicación del Circuito Integrado MOC 8102
	Conclusión
	Glosario
	Fuentes de Consulta
	Anexos