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www.usat.edu.pewww.usat.edu.pe DOCENTE: Mtro. Lucio Antonio Llontop Mendoza Escuela de Ingeniería Mecánica Eléctrica Email: lllontop@usat.edu.pe ASIGNATURA: “Ingeniería de los Materiales Sesión N ° 04: Estructura de los Materiales. www.usat.edu.pe2 El estudiante conoce la estructura de los materiales metálicos representación geométrica del orden cristalino de los materiales de ingeniería. Objetivos: www.usat.edu.pe3 Contenidos: Representación geométrica del orden cristalino Celda unitaria. Sistemas cristalinos y redes cristalinas. Intersticios: sitios intersticiales en las estructuras cristalinas de los metales. www.usat.edu.pe4 ✓Sin Orden: En el caso de los gases como el argón, los átomos no tienen orden y llenan de manera aleatoria el espacio en el cual está confinado el gas. Niveles de Arregló Atómico ✓Orden de Corto Alcance: El arreglo espacial de los átomos se extiende sólo en los vecinos de dicho átomo. Ej.: Las vidrios y los polímeros, son materiales amorfos y a menudo tiene propiedades físicas únicas. www.usat.edu.pe5 ✓Orden de Largo Alcance: El arreglo atómico especial se repite a lo largo de todo el material. Los átomos forman un patrón repetitivo regular en forma de rejilla o de red (conjunto de puntos). Ej.: Metales, semiconductores y cerámicos. www.usat.edu.pe6 Sólidos Cristalinos: Regularidad externa. Se aprecian planos y ángulos diedros en su configuración, dando origen a formas poliédricas más o menos complejas. Cierta irregularidad sistemática en las propiedades, variables según la dirección que se considere en el cristal. Sólidos Amorfos: Presenta irregularidad externa. Presenta independencia de propiedades con respecto a las direcciones que se pudieran considerar. www.usat.edu.pe7 ✓ Apilamiento simétrico de átomos en el espacio llamado red cristalina y es propio de cada elemento. ✓ Constante reticular o parámetro de red: distancia entre dos átomos consecutivos. ✓ Constante reticular + tipo de red= estructura cristalina. ✓ Elemento más pequeño representativo: malla o célula estructural Estructura Cristalina: www.usat.edu.pe8 Los Siete Sistemas Cristalinos: www.usat.edu.pe9 Sistemas cristalinos: www.usat.edu.pe10 Sistemas Cristalinos Cúbica simple Cúbica centrada en las caras Cúbica centrada en el cuerpo Tetragonal simple Tetragonal centrada en el cuerpo www.usat.edu.pe11 Ortorrómbica simple Ortorrómbica centrada en las caras Ortorrómbica centrada en el cuerpo Hexagonal Ortorrómbica centrada en las bases Sistemas Cristalinos www.usat.edu.pe12 Sistemas Cristalinos Romboédrica Monoclínica simple Monoclínica centrada en las bases Triclínica www.usat.edu.pe13 Número de átomos equivalentes por celda Si consideramos que cada punto de la red coincide con un átomo, cada tipo de celda tendrá un número de átomos que se contarán de la siguiente forma: ✓ Átomos ubicados en las esquinas aportarán con 1/8 de átomo, ya que ese átomo es compartido por 8 celdas que constituyen la red. ✓ Átomos ubicados en las caras de las celdas aportarán con ½ de átomo, ya ese átomo es compartido por 2 celdas que constituyen la red. ✓ Átomos que están en el interior de las celdas aportan 1 átomo. www.usat.edu.pe14 Números de átomos por celda www.usat.edu.pe15 Números de átomos por celda www.usat.edu.pe16 Números de átomos por celda www.usat.edu.pe17 Cúbico simple (CS) Cúbico centrado en el cuerpo (BCC) Cúbico centrado en las caras (FCC) Ejercicio Calcule la cantidad de átomos por celda en el sistema cristalino cúbico. www.usat.edu.pe18 Sistema cúbico Volumen = a3 www.usat.edu.pe19 Parámetros de red y radio (SC) a = 2r www.usat.edu.pe20 Parámetros de red (BCC) www.usat.edu.pe21 Parámetros de red (FCC) www.usat.edu.pe22 Volumen = a2.c. cos30º c = 1,633 a Hexagonal Compacto www.usat.edu.pe23 Número de átomos vecinos más cercanos. Número de coordinación BCC FCC HC www.usat.edu.pe24 Un metal cristaliza en la red cúbica centrada en las caras (FCC). Si su radio atómico es 1,43 Å. ¿Cuántos átomos existirán en 1 cm3? Ejercicio www.usat.edu.pe25 𝐹𝑎𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝐸𝑚𝑝𝑜𝑎𝑞𝑢𝑒𝑡𝑎𝑚𝑖𝑒𝑛𝑡𝑜 = 𝑁ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝐶𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑈𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎 𝑥 𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝑁ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝐶𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑈𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎 𝐷𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑 = 𝐶𝑎𝑛𝑡𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝐶𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑈𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎 𝑥 𝑀𝑎𝑠𝑎 á𝑡𝑜𝑚𝑖𝑐𝑎 𝑑𝑒𝑙 á𝑡𝑜𝑚𝑜 𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒𝑛 𝐶𝑒𝑙𝑑𝑎 𝑈𝑛𝑖𝑡𝑎𝑟𝑖𝑎 𝑥 𝑁ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝐴𝑣𝑜𝑔𝑎𝑑𝑟𝑜 Sistemas Cristalinos: ❖Cúbica Centrada en las Caras (FCC) ❖Cubica Centrada en el Cuerpo (BCC) ❖Hexagonal Compacta (HCP) www.usat.edu.pe26 Ejercicio 2 1. Calcule el factor de empaquetamiento para la celda (cs). 2. Calcule el factor de empaquetamiento para la celda (FCC). 3. Calcule el factor de empaquetamiento para la celda cúbica centrada en el cuerpo (BCC). 4. ¿Quién tiene mayor factor de empaquetamiento?. www.usat.edu.pe27 Características Estructura a en función de r Átomos por celda Número de coordinación Factor de empaquetamiento Metales típicos Cúbica simple (CS) a=2r 1 9 0,52 Ninguno Cúbica centrada en el cuerpo (BCC) a=4r/√3 2 8 0,68 Fe, Ti, W, Mo, Nb, Ta, K, Na, V, Cr, Zr Cúbica centrada en la cara (FCC) a=4r/√2 4 12 0,74 Fe, Cu, Al, Au, Ag, Nb, Ni, Pt Hexagonal compacta (HC) a=2r C=1,633 a 2 12 0,74 Ti, Mg, Zn, Be, Co, Cd www.usat.edu.pe28 Ejercicio 3 a) El aluminio tiene una estructura cúbica centrada en la cara y un radio atómico de 1,430 Aº. Calcular su densidad. b) El cromo tiene una estructura BCC y un radio atómico de 1,25 Aº. Calcular el % de empaquetamiento. www.usat.edu.pe29 Ejercicio 4 1. Un gancho de pelo pesa 0,65 g y es de hierro BCC. Calcule: a) La cantidad de celdas unitarias en el clip. b)La cantidad de átomos de hierro en el clip. a = 2,866 Å Masa atómica = 55,847 g/mol Densidad = 7,87 g/cm3 2. Un mineral que contiene un metal X contiene un 0,5% de este metal. Si este es cúbico simple. Calcule: a) La cantidad de celdas unitarias del metal X. b)La cantidad de átomos del metal en el mineral a =1,786 Å Masa atómica = 196,876 g/mol. Densidad metal = 0,317 lbf/pulg3 www.usat.edu.pe30 Alotropismo www.usat.edu.pe31 Polimorfismo Diagrama de fase del SiO2 www.usat.edu.pe32 1. Determinar la densidad del hierro BCC, que tiene un parámetro de red de 0,2866 nm. 2. La celda elemental del cromo es cúbica centrada en el cuerpo (BCC), su masa molecular es 52,1 y su densidad 7,19 g/cm3. Calcular: a) masa de un átomo, b) número de átomos en un miligramo, c) número de átomos y de moles por m3, d) masa de una celda unidad, e) número de celdas en un gramo de metal, f) volumen y arista de la celda unidad, g) factor de empaquetamiento atómico. 3. El aluminio cristaliza en una red FCC con un parámetro de red de 4,049 Ǻ. Siendo su masa molar 26,97 g/ mol y su densidad 2,7 g/ cm3 . Calcule: • Masa de la celda unidad. • Número de celdas unidad contenidas en 1,5 g • Número de átomos en 1,75 g • Tamaño atómico. Ejercicios 5 www.usat.edu.pe33 Estructura amorfa ✓No tiene cadenas repetitivas en el patrón de sus cristales. ✓Se incluyen los gases, líquidos, vidrios, polímeros. ✓Gases: Su estructura se reduce a moléculas individuales. • PV=nRT. ✓Líquidos: Tienen una estructura de corto rango en que las distancias interatómicas entre los primeros vecinos son casi uniformes. ✓Vidrio: Considerados líquidos superenfriados y son ✓Los poliméros tienen cadenas entrecruzadas y reticuladas www.usat.edu.pe34 Defectos o Imperfecciones Cristalinas ✓ Los materiales cristalinos presentan imperfecciones que afectan el comportamiento del material. ✓ Mediante el control de estas imperfecciones se pueden obtener materiales más resistentes, con mejor desempeño. ✓ Los defectos pueden ser agregados de manera intencional a fin de producir un conjuntodeseado de propiedades mecánicas y físicas. ✓ La imperfecciones son responsables de ciertas propiedades de los materiales: ductilidad de los metales, comportamiento de los semiconductores, resistencia mecánica de las aleaciones, color, etc. www.usat.edu.pe35 Las imperfecciones de la red cristalina se clasifican conforme a su geometría y forma: ✓Defectos puntuales o de dimensión cero. ✓Defectos de línea o de una dimensión (dislocaciones). ✓Defectos de dos dimensiones: Límites de grano interno y de superficie. ✓Defectos macroscópicos o tridimensionales Estos defectos pueden ocurrir de forma individual o combinados. Defectos oImperfeccionesCristalinas www.usat.edu.pe36 Vacante de red • Es el más simple. • Lugar normalmente ocupado por un átomo ahora ausente. • Se produce durante la solidificación y como consecuencia de las losvibraciones que desplazan átomos de sus reticulares normales. Autointersticial • Defecto producido por el desplazamiento de un átomo de un cristal a un lugar intersticial. • Producen distensiones grandes en los átomos adyacentes. Defectosdepunto www.usat.edu.pe37 Defectos depunto:impurezas Se presentan cuando se realiza una solución sólida, se adicionan átomos de soluto a un material disolvente, manteniéndose la estructura cristalina sin formar nuevas sustancias. ImpurezaSustitucional ✓Los átomos de impurezas o soluto remplazan o sustituyen a los átomos del disolvente. ✓Condiciones: ▪ Tamaño (diferencia entre radios atómicos menor al 15%). ▪ Factor electroquímico, es decir pequeña diferencia de electronegatividades. ▪ La estructura cristalina debe ser similar. ▪ Valencia similar, el átomo de mayor valencia presenta mayor tendencia a solubilizar que un metal de valencia inferior. ✓Ej.: Aleación de Cu y Zn ImpurezaIntersticial ✓ Los átomos de impurezas llenan los vacíos o los intersticios atómicos del disolvente. ✓ Condiciones: Tamaño, los diámetros atómicos de las impurezas son considerablemente menores que los disolvente. Concentración de los átomos intersticiales es bajo. ✓ Ejemplo: Fe y C www.usat.edu.pe38 Ejercicio1 1. ¿El cobre y el níquel satisfacen la primera y segunda regla de Hume Rothery para solubilidad completa? 2. ¿El cobre y el níquel satisfacen la tercera y cuarta regla de Hume Rothery para solubilidad completa? 3. Compara las respuestas. Puedes predecir si el Cu y el Ni presentan o no, solubilidad completa o parcial? www.usat.edu.pe39 DefectodeSchottky •En cristales iónicos los defectos puntuales son más complejos debido a la necesidad de mantener su neutralidad eléctrica. •El defecto se produce cuando dos iones opuestamente cargados faltan en un cristal iónico, creándose una divacante aniónica-catiónica. DefectodeFrenkel • Efecto creado cuando un catión se desplaza a un hueco intersticial en un cristal iónico, creando una vacante catiónica en la posición primitiva del ion. • La presencia de estos defectos en cristales iónicos aumenta su conductividad eléctrica. DefectosdePunto: Impurezas www.usat.edu.pe40 ✓Son defectos producidos en sólidos cristalinos. Dan lugar a una distorsión de la red centrada en torno de una línea. Se crean : ✓Durante la solidificación de los sólidos cristalinos ✓Por deformación plástica del sólido cristalino. Los principales tipos de dislocaciones son: ✓Tipo de Cuña o Borde ✓Tipo helicoidal o Tornillo ✓Mezcla Defectos delínea:Dislocaciones www.usat.edu.pe41 Defectosdelínea:Dislocaciones ✓Tipo de Cuña o Borde www.usat.edu.pe42 Dislocación Helicoidal o Tornillo ✓Se crea en un cristal perfecto por aplicación de esfuerzos de cizalladura (corte). ✓Estos esfuerzos introducen en la red una región de distorsión en forma de espiral o rampa helicoidal que los planos atómicos trazan alrededor de la línea de dislocación. ✓En torno a la dislocación helicoidal se crea una región de tensión de cizalla en la que se almacena energía. ✓El deslizamiento o vector de Burgers de la dislocación helicoidal es paralelo a la línea de dislocación. Defectosdelínea:Dislocaciones www.usat.edu.pe43 La mayor parte dislocaciones de de las los cristales son una mezcla de ambas, tienen componentes de cuña y helicoidal. Defectos delínea:Dislocaciones Dislocación Mixta www.usat.edu.pe44 Defectosdedos dimensiones ✓ Son defectos interfaciales que se dan en materiales policristalinos. ✓ Son límites que separan granos o cristales de diferentes orientaciones. ✓ En los metales los límites de grano se crean durante la solidificación, cuando los cristales se han formado a partir de diferentes núcleos que crecen simultáneamente, juntándose unos a otros. ✓ Su forma viene determinada por las restricciones impuestas por el crecimiento de los granos más próximos. ✓ Las agrupaciones de celdas que comienzan a solidificar, crecen tridimensionalmente hasta toparse unas con otras, deteniendo el crecimiento. Esto produce zonas en las cuales la red cristalina está ordenada llamadas granos y zonas denominadas límites de grano o fronteras de grano, en donde no existe orden alguno. www.usat.edu.pe45 ✓ Los defectos superficiales incluyen superficies externas, límites de grano, límites de macla, y límites de fase. ✓ La superficie externa representa el límite de la estructura cristalina, donde termina. ✓ Los límites de grano separan los pequeños granos o cristales que tienen diferentes orientaciones cristalográficas. ✓ Límites de macla, límite de grano a través del cual existe una simetría de red especular. Pueden se mecánica o de recocido Defectosdedos Dimensiones www.usat.edu.pe46 DefectosTridimensionales Los poros y grietas son huecos debidos a atasco de gases, contracción durante la solidificación o tensiones producidas en los procesos de fabricación de las piezas. Las inclusiones se forman por reacción de impurezas provenientes de la materia prima, por ejemplo, fósforo, azufre, silicio. www.usat.edu.pe47 Conclusiones: Las representaciones cristalinas nos ayudan a determinar como están distribuidos estos elementos dentro de los metales. Donde se puede apreciar las representaciones y también ver los intersticios que se forman para dar lugar al comportamiento de los materiales y bajo que reglas se manejan. www.usat.edu.pe48 Gracias www.usat.edu.pe http://www.facebook.com/usat.peru https://plus.google.com/+usateduperu https://twitter.com/usatenlinea https://www.youtube.com/user/tvusat
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