Resumen EA1

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Resumen 
Electrónica aplicada 1
Contenido
1. BÁSICOS
2. TBJ: Desarrollo de mono etapas
3. MOS: Desarrollo de mono etapas
4. Recta de cara para TBJ
5. Fuentes
6. Diferenciales
7. LM741: análisis por etapa
8. Amplificadores operacionales 
9. Disipadadores
10. Potencias en tbj
11. Otros
• embalaje térmico
• símbolos mos
• JFET con derivado en r
Bibliografia
Este resumen se hizo utilizando material de la cátedra, del ing. Galli, ing. Comas, entre otros. 
Autores
Ramiro Fontalva
Josefina Perez del Cerro
Juan Martín Casas Bruno
· V + =27mW
↳ Ayuda memoria para cuadripolo TB]
·Efeibe
~
Ro = =
- Ixro+ /hielles)
Ig -- -25
-
7x =1a(1 +e)RS +hie
Ro =ro.(s) +hie/IRS
AVS RI RO
Emisor 
comun
Emisor 
Común
S/P
Base 
comun
Colector
Comun
-
muy alta
t
↓ma
- ro.(s)
+
muy baja niells)
muy alta
may alta
=1
·ras=VEca
Rs=
0/ puenteddo
AVS RI RO
Drain
Comun
Source
Comun
Gate
Comun/
5. Fuentes
Fuente espejo
Espejo con más Ro
al Fair, R oV ebe
van
mit En Io
=Blugs-vel2 Ro= roa
van
VDD t ves
=ID
↑
R =Vx +
1
+VBe
Tr o Eng
no =ro(tre) hiellan
REn
↳
van
Widlar
Io
=
hen()se resuelve poritoración
t Fair
Re ↳
IR = VoctUbe UTh
=26mW
van
Ube =ven en (5) rees
Ro =ro (1 +e) -Rellhie
Ubea-Uben - loRe - 0
ven de (s) - Vehen() =toREIS
((*)
=to
Cascode
-
R =vc +2Ube
· Fran,
R
IO
↑ Ro:neFrau
van
VDD +2 UgS
=IDR
↑
0 B eI Rof
=rds, 11 +gfsidsz) +rdsw
a
van
Wilson
Resistencias de salída en fuentes
ast 1 B
Io =ube
↑att Fr &3 Rot =e
van
Espejo ro ⑤
-I
cascode I rohte
Wilson 2
Espejo so ( +hte
Re
Grada/Mej Re+hie+ 1/gr
Widlar
·enele
&+s
 6. Diferenciales
Diferencial tbj sin carga activa -
Modo diferencial
Modo común
-
en
van
Ra
Vidl2
↑
↓
5
-vid/2
vidin
* -I
↑
2,. Aud-s - gm Rallto
-
↑ ↓ 2
->
Ard= - grm Re//ro
I 2
Gid=
ga
·Uc
Ra
Ra
- ↑ 5R
-rot
Rotbe ↓ IO
voFat Arc=No/N,-ga eI 1+gm2Rof
RRMC=AndgrR
Diferencial tbj carga activa
Calculo rid
↑ puc
d
I Fau
Ard =grm,RCRe
RC =roullrow
-Fan mzy
ANc= - ron
Robe hey Rot
I
~
·Uc
Rid==ibhiertibleen 5i t
Rid=Whie hie -mto
Rs, 4 Ren
Rea ↳ Rso
⑱
·Uc vd
5 Rai t Rid:=Ib(Rsthie)+1cRenIb
hie
Rid=[RS +hie +(hfe +1)Re1]. 2
Oud
Calculo GMD 
Calculo GMD y rld carga activa
Tt
~
Gad=F=
Ic ·Uc
52 Ibhie
Gad= hte =Im
i t
2hie ne-
5Rs, 4 Ren
Ree Rso
⑱
·Uc vd
E 5
Ra
Grd =IO = ICi t Ud 2 [Ib (hie +RSn)+1c Ren]
Gmd= 9m
Oud 2)1 t gamiren +e))
~
Y E Gand-gran, -hieF I
E E Rid:Whie
hie
⑱
vd
Diferencial mos sin carga activa
Modo diferencial Modo común
Diferencial mos carga activa
Modo diferencial Modo común
q
2
5 Y
I
↓En laI I -sI
ro+
I ANd=-gtRd
Ava = - gfs. Rd
2 1
+
gts.2Rot
Rid -0 Rd =rds//RD
q
I
& 5
↑
d S
->
sid
↑ I I
·L A e I-
I
·
I
I-
Arc-
Rot2
ro+
I And =gfs ron//row
Rid
Gadg
=
E
=
Egtsvd/
=
g
7. Análisis LM741
• Q1, Q2: Seguidores de emisor, elevan la resistencia de entrada
• Q3, Q4: Par diferencial base común
• Q5, Q6: Carga activa del par diferencial
• Q16: seguidor emisor separador de etapas
• Q17: emisor común carga actva (Q13B), etapa amplificadora
• Q23: seguidor emisor, evita que la etapa de salida sobrecargue a Q17
• Q14, Q20: Salida Clase AB
• Q13B: PNP multicolector. 
• Q12, Q13: Fuenta de polarización
• Q11, Q10 Fuente tipo Widlar 
•
I IA
I
i
I
I
IB =1S.3/4
It =75 114
8. Amplificadores operacionales 
Condiciones ideales
Configuraciones básicas
Inversor
Sumador inversor
Ri- ⑧ Reso
RRMC - 00 And -> ⑧
Re
-te
I
Re vo -- Vievi V - -
-> vo
A
t
I
Re
Re
-te usomos teoremo
1oth
-
-> vo
de la superporcion
Vie④Vietn
Volvi,Vie Volvirvir
Volu:-Volvi.*"vie*- (vie +Vie)
vie
9. Disipadores
.
.Est Ojd
=SO
Timáx - Tc =Pdmax
Ojc
A *
=
pdmáx
Hallar un disipador -> Hallar Oda
Disipador calor inf -> OjA =Oje
10. potencias en tbj
Potencia de la fuente
Potencia disipada por el tbj
Potencia activa
Potencia activa máxima
Vcemax sale de la máxima excursión
Rdin es todas las resistencias que recorre ec en modo dinámico
Pac =VcIq
PDS =UdS IDq
PS =Uce Icq
E
PS =Iarmáx" Rdic
2
1comáx Unemáx
Rin
Usemax =ICqRd [no tengo en wenta Uce]
En BC -> VCBq
=VCC -VBE = IcqRd
e
VCE =VCB
11.Otros
11. 1. Embalamiento termico
El embalamiento termico sucede cuando aumenta la potencia disipada, lo que hace que 
aumente la temperatura de juntara y esto hace que aumente la ICQ, como PDS=VceIcq. Si 
aumenta ICQ, aumenta PDS, aumenta Tj. 
Podemos evitarlo agregando diodos entre la base y tierra, buscando un dIcq dT=0
mit Sra
oUc calculo UBB
va - IRn. =VBB
- IRN +UD =VBB
Sus
Ere VBB
=(Vcc - vp) R2
+VD
- R, +Rg
rede Rth =11//(R2 +1/gm) =R1//R2↳
IC
=UBB - Ube arfast para evitarRe+
e embalamientovio UCC
2
11.2 Símbolos MOS
CANAL P
CANAL N
11.3 JFET con derivación en R
VDD
un
it
sedin"
en o(V8is**(a+
· RA >RB
Adminisen Ferres res
Ugs =vi-vo↳tigenes ro an Ii*O es una variación sobre el valor
.. de continua de igss
V - vi
gevi= Y8+E t Vogm
As = Im
gm I
l
t
1
t
1
RA +RB rd RL
vi - Vo RB Vo =ViAN
RiA =Vi Ii = RA +RB
Ij RG
RiA = RG RiS =RS + RiA
1 -
Aur
RO= -> Vi
=1: - RS =O
ROA =Rol(RA +B)
Ro=gtllr=gm