DDR4_Memory_Guide_V1 0 0 es

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Guía DDR4 de 
Eden
Esta guía se ha escrito en respuesta a la aparentemente gran cantidad de información errónea 
sobre el overclocking de DDR4, como reglas/relaciones de temporización "meme" inventadas y 
conceptos erróneos sobre la importancia de determinadas temporizaciones. También trata de 
solucionar la falta de una fuente centralizada de características de overclocking de circuitos 
integrados DDR4; la guía enumera las características de overclocking de los circuitos 
integrados más comunes (y algunos menos comunes pero interesantes).
Se supone que ya estás razonablemente familiarizado con la configuración de la BIOS de tu 
placa base. También querrás estar preparado para borrar CMOS, en caso de que ciertas 
configuraciones causen una situación de no POST. La guía se centra en Intel, aunque algunas 
secciones también tratan sobre AMD. En general, la mayoría de las partes de la memoria de 
reloj son similares entre los dos, aparte de maximizar la frecuencia.
No es necesario que leas toda la guía. La sección Procedimiento de overclocking es la única 
parte que debes leer para establecer tu overclocking, pero utilizar la guía de identificación de 
circuitos integrados junto con las características de los circuitos integrados de tu DRAM 
puede acelerar el proceso de overclocking y darte una mejor idea de lo que puedes esperar.
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Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
Índice
Introducción
Pruebas de estabilidad y 
utilidades Procedimiento de 
overclocking
Procedimiento general de overclocking
Encontrar la máxima 
frecuencia Intel 6th-10th 
gen
Intel 12ª y 13ª 
generación Ryzen 
3000/5000 Consejos 
generales
Segundos tiempos 
tRRD y tFAW 
tRFC y tREFI 
tRTP
tWR 
tWTR
Primeros tiempos
tRCD/tRP 
tRAS/tRC 
tCAS
Tercer tiempo
tRDRD y tWRWR 
tRDWR
tWRRD
Características del CI 
DDR4 SK Hynix
4 Gbit MFR 
4 Gbit AFR 
8 Gbit MFR 
8 Gbit AFR 
8 Gbit CJR 
8 Gbit JJR 
8 Gbit DJR
16 Gbit AJR/CJR 
Micron
4 Gbit revisión A 
8 Gbit revisión A 
8 Gbit revisión B 
8 Gbit revisión D
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
8 Gbit revisión E 
8 Gbit revisión H 
16 Gbits
Samsung
4 Gbit D-die 
4 Gbit E-die 
8 Gbit B-die 
8 Gbit C-die 
8 Gbit D-die
16 Gbit Samsungs 
Nanya
8 Gbit B-die
Guía de 
identificación de 
CI Corsair
G.Skill 
Kingston 
Crucial
Módulos desnudos (incluidos los módulos OEM)
Información complementaria
Consejos y resolución de 
problemas Consejos 
generales sobre frecuencias
Apretar cualquier sincronización provoca 
inestabilidad tREFI no ejecuta valores altos
Resistencias de terminación y tensión de 
referencia Intel 6-10th gen tweaks
Resumen de 
temporización DDR4 
tCCD
tCAS/CL 
(t)CWL
tRRD/tFAW 
tRCD
tRP 
tRAS/tRC 
tRTP
tWR 
tREFI 
tRFC
Revisiones e ID de diseño de 
Micron Reglas de temporización 
de Meme
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0Registro de cambios
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
Introducción
La memoria de doble velocidad de transferencia de datos (DDR), como sugiere su nombre, 
transfiere datos dos veces por ciclo de reloj. Por tanto, la memoria DDR4-3200 funcionará a 
una velocidad de reloj de 1600 MHz y tendrá una velocidad de transferencia de 3200 MT/s 
(megatransferencias por segundo). Algunos fabricantes de memorias anuncian incorrectamente 
la velocidad de transferencia como velocidad de reloj, por lo que es posible que la memoria 
DDR4-3200 se venda como "3200 MHz" cuando en realidad funciona a 1600 MHz. Esta guía 
utiliza exclusivamente MHz para referirse a la velocidad de reloj real, tal y como se muestra en 
utilidades como CPU-Z o HWiNFO. Normalmente, el valor utilizado en la BIOS será la 
velocidad de transferencia, por lo que basta con duplicar los valores indicados para obtener el 
valor a utilizar en la BIOS.
La temporización de las memorias DDR suele medirse en ciclos de reloj y no en latencia 
absoluta. Esto significa que, para obtener la misma latencia de temporización, tendrás que 
ajustar el valor de la marca de temporización proporcionalmente al ajustar la frecuencia. Por 
ejemplo, los tiempos 16-16-16 a 1600 MHz (1,6 GHz) tienen la misma latencia (10 ns) que los 
tiempos 20-20-20 a 2000 MHz (2,0 GHz). Por tanto, siempre merece la pena aumentar la 
frecuencia mientras los tiempos aumenten linealmente con la frecuencia, ya que esto permite 
un mayor ancho de banda.
Las siguientes fórmulas se pueden utilizar para convertir entre tiempos en ticks y latencia 
absoluta:
𝑡𝑖𝑚𝑖𝑛𝑔 (𝑛𝐶𝐾) = 𝑙𝑎𝑡𝑒𝑛𝑐𝑦 (𝑛𝑠) × 𝑓𝑟𝑒𝑞𝑢𝑒𝑛𝑐𝑦 (𝐺𝐻𝑧)
������� (��) = ������ (���) / ��������� (���)
Esta guía utiliza en gran medida latencias absolutas en nanosegundos para que las 
recomendaciones sean aplicables a múltiples frecuencias, por lo que resulta útil familiarizarse 
con las unidades y la conversión. Considera los dos ejemplos siguientes:
Una temporización de 16 en DDR4-4000 (2 GHz) tendría una latencia de 8 ns, y una latencia 
de 300 ns en DDR4-3600 (1,8 GHz) requeriría un valor de temporización de 540 ticks.
Al convertir la latencia absoluta en tiempos, es mejor redondear hacia arriba si el resultado no 
es un número redondo.
Uno de los aspectos más importantes del overclocking de DRAM son los circuitos integrados o 
chips de memoria utilizados en los módulos de memoria a los que se aplica el overclocking. 
Contrariamente a la creencia popular, los fabricantes de módulos de terceros como Corsair y 
G.Skill no fabrican ellos mismos la DRAM que utilizan en sus módulos, sino que la compran a 
fabricantes de primera línea como Samsung, Micron y SK Hynix.
Aunque suele haber diferencias significativas en las propiedades de overclocking entre las 
memorias DRAM de los distintos fabricantes, las distintas revisiones, "troqueles" o "steppings" 
de un mismo fabricante también pueden ser muy diferentes. Para obtener información sobre 
cómo identificar los circuitos integrados de memoria, consulte Identificación de circuitos 
integrados DDR4.
Una propiedad que puede variar entre los distintos circuitos integrados DRAM es la densidad o 
capacidad. Suele medirse en gigabits. Para DDR4, las densidades típicas son 4 Gb, 8 Gb y 16 
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V1.0.0Gb. A modo de comparación, 1 gigabyte (GB) equivale a 8 gigabits (Gb, nótese la diferencia), 
lo que significa que un circuito integrado de 4 Gbits tendría una capacidad de 0,5 GB por chip. 
En los módulos DDR4, varios chips se combinan en un rango, y en los módulos de consumo 
normal un rango suele constar de 8 circuitos integrados.
Guía DDR4 de 
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V1.0.0Tenga en cuenta que un módulo puede constar de uno o dos rangos, lo que significa que los 
mismos circuitos integrados de capacidad pueden utilizarse para dos tamaños de módulo en 
función del número de rangos.
Por lo general, existe la siguiente relación entre la densidad, los rangos y la capacidad total del 
módulo: Capacidad (GB) = rangos * densidad (Gbits)
Por ejemplo, un módulo de rango único con circuitos integrados de 4 Gbit tendría una 
capacidad de 4 GB, un módulo de rango doble con circuitos integrados de 8 Gbit tendría una 
capacidad de 16 GB y un módulo de rango único con circuitos integrados de 16 Gbit también 
tendría una capacidad de 16 GB.
Además, hay que tener en cuenta que los rangos sólo son relevantes por canal para el 
rendimiento y la carga del controlador de memoria. Para obtener los rangos por canal, suma los 
rangos de los módulos de cada canal. 2 módulos de rango único por canal (4 en total en una 
plataforma de doble canal) y 1 módulo de doble rango por canal darían como resultado 2RPC 
(2 rangos por canal). A veces se hace referencia a 2RPC como "doble rango" y a 1RPC como 
"rango único", aunque prefiero evitar esta nomenclatura debido a la posible confusión entre 
rangos por canal y rangos por módulo. Ten en cuenta además que no existen los "kits de doble 
rango" o similares, ya que el número de rangos por canal de un kit dependerá de cómo se 
instale/configure.
El fabricante,
la densidad y la revisión/stepping/die suelen utilizarse para identificar los 
circuitos integrados y distinguir sus capacidades de overclocking. Por ejemplo, Samsung 
tiene 8 Gbit B-die y 8 Gbit C-die con características de overclocking distintas, al igual que 
sus 4 Gbit E-die y 8 Gbit E-die también tienen características de overclocking diferentes. Ten 
en cuenta que los nombres de las revisiones no indican intrínsecamente el rendimiento de 
overclocking; el E-die puede ser mejor que el D-die para una densidad, pero peor para otra.
Pruebas de estabilidad y utilidades
Es esencial probar la estabilidad de tu overclock cuando lo utilices a diario. Un overclock de 
memoria inestable no sólo puede perturbar tu uso diario (con cuelgues, pantallas azules y otros 
problemas más sutiles), sino que también puede causar la corrupción de datos, programas o tu 
sistema operativo, lo que en el peor de los casos puede impedir que tu sistema operativo se 
cargue. Ten en cuenta que esto también puede ocurrir cuando estás configurando y probando 
tu overclock. Por lo tanto, yo recomendaría hacer una instalación separada de Windows para 
las pruebas de estabilidad, o realizar al menos algunas pruebas rápidas en una prueba de 
memoria de arranque como MemTest86 o stressapptest en una instalación portátil de Linux 
antes de arrancar en su sistema operativo principal.
A continuación se indican algunas pruebas populares de estabilidad de la memoria:
● HCI MemTest (Windows con versión de arranque de pago)
● MemTest86 (de arranque, se recomiendan las pruebas 0-9)
● TestMem5 (Windows, necesita una buena configuración para ser eficaz)
● Karhu RAM Test (Windows, de pago)
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V1.0.0● Google stressapptest (Linux, se puede utilizar en una distro de unidad USB portátil)
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V1.0.0● Mezcla Prime95/grandes FFT con alto uso de memoria
● OCCT (Windows)
● prueba de resistencia de componentes y-cruncher
● LinPack (prueba general razonable, aunque en general no es la mejor en nada)
Tanto en mis pruebas como en las de otras personas, Karhu ha resultado ser el más rápido a la 
hora de detectar overclocks inestables, aunque es de pago y se ejecuta en Windows (véanse 
los riesgos potenciales más arriba). Algunas pruebas centradas en la CPU, como prime95, 
también son sorprendentemente eficaces en las pruebas de RAM, aunque las pruebas de 
memoria reales suelen ser ligeramente mejores.
Otras utilidades:
● CPU-Z, para ver los tiempos y la información sobre los módulos
● HWiNFO, para supervisar los sensores del sistema
● Asrock Timing Configurator o utilidad similar, para ver los tiempos (Intel)
● ZenTimings (igual que arriba para Ryzen)
Procedimiento de overclocking
Procedimiento general de overclocking
El procedimiento general de overclocking consiste en optimizar un ajuste hasta el punto en que 
es obviamente inestable, y luego reducirlo hasta alcanzar la estabilidad. La ventaja de este 
método frente al de empezar con un método estable y avanzar hacia la inestabilidad es que 
suele ahorrar mucho tiempo; si empiezas con un valor estable y avanzas hacia la inestabilidad, 
puedes pasar mucho tiempo probando parámetros de estabilidad que no están ni cerca del 
límite. En cambio, si un parámetro es inestable, la inestabilidad suele aparecer rápidamente en 
las pruebas, lo que permite avanzar rápidamente hacia la estabilidad.
Para los tiempos, esto normalmente significa reducir el tiempo hasta que no haya POST* (o 
el valor mínimo configurable si es aplicable), y aumentar el tiempo hasta que se alcance la 
estabilidad si es inestable. Una excepción a esto es tREFI, donde valores más altos son 
mejores para el rendimiento. Un concepto similar se aplica a la frecuencia, sólo que en su 
lugar desea aumentar la frecuencia hasta la inestabilidad obvia y luego reducirla hasta que 
se estabilice.
*POST significa que el sistema se inicializa con éxito sin entrar en modo seguro/de 
recuperación. Es esencialmente equivalente a ver la pantalla de la BIOS o poder entrar en la 
BIOS. POST no incluye el arranque del sistema operativo. Ten en cuenta que es probable que 
te encuentres sin POST un buen rato durante el proceso de overclocking. Si tu placa base no 
tiene una buena recuperación automática, esto requerirá un borrado de CMOS, así que 
asegúrate de que estás familiarizado con ese proceso antes de empezar.
Guía DDR4 de 
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V1.0.0
Encontrar la frecuencia máxima
Para alcanzar la máxima frecuencia de reloj, hay algunos parámetros que deberás configurar 
en función de la plataforma (es decir, la arquitectura de la CPU/placa base) que estés 
utilizando.
Intel 6ª-10ª generación
El controlador de memoria Intel de 10ª generación suele ser bastante potente y, por lo general, 
se puede esperar que alcance entre 2200 y 2400 MHz con total estabilidad para 
configuraciones 1RPC, en función del CI de memoria específico y la muestra de CPU, y las 
configuraciones 2RPC no suelen tener una frecuencia de reloj mucho peor.
La mayoría de las placas base Z490 y posteriores son razonablemente buenas y no deberían 
frenar demasiado el overclocking de la memoria, aunque hay algunas excepciones. Las 
generaciones anteriores de Intel tienen fundamentalmente la misma arquitectura, pero menos 
refinada, y la memoria de reloj es ligeramente peor en promedio por cada generación que 
retrocede. Sin embargo, muchas placas base Z390 y más antiguas son deficientes para el 
overclocking de memoria, por lo que es probable que éstas te frenen más que el controlador de 
memoria de la CPU.
Los dos voltajes principales que ayudan con el overclocking de memoria para estas CPUs son 
el voltaje SA (también conocido como VCC-SA o voltaje del Agente del Sistema) y el voltaje IO 
(también conocido como VCC-IO ). 1,40 V SA debería ser un buen comienzo. Un voltaje aún 
mayor podría ayudar a estabilizar 2200+ MHz o 4RPC a frecuencias más bajas, aunque 
generalmente no será necesario para la mayoría de las configuraciones. Hasta 1,50 V debería 
ser seguro (según lo especificado por Intel), aunque incluso voltajes más altos no han 
demostrado ser perjudiciales en
pruebas a medio plazo. El voltaje IO es un poco más complicado, ya que suele tener un punto 
dulce, más allá del cual más voltaje no ayuda o incluso empeora la estabilidad. Esto puede ser 
en cualquier lugar desde el alto rango de 1,2 V hasta el bajo rango de 1,4 V dependiendo de la 
CPU específica. En general, recomiendo empezar en 1,30 V. Los usuarios ambiciosos pueden 
ajustarlo con precisión, lo que podría ayudar si una determinada frecuencia está justo en el 
límite de la estabilidad.
Intel 12ª y 13ª generación
Estas CPU presentan diferentes "modos de marcha". Para el 99% de los usuarios, la velocidad 
1 será la óptima, por lo que esta guía se centrará en ella. Las CPUs desbloqueadas de la 12ª 
generación deberían ser capaces de correr alrededor o un poco por encima de los 2000 MHz 
en el modo 1. Las CPUs de la 13ª generación suelen ser ligeramente mejores. Las CPUs de 
13ª generación suelen ser ligeramente mejores. Para alcanzar estas frecuencias, será 
necesario aumentar el voltaje del agente del sistema (voltaje SA o VCC-SA ). El rango de 1,3 V 
suele ser un buen punto en el que situarse, ya que el escalado con voltajes superiores es 
menor. Cabe señalar que las CPU bloqueadas (no K) no permiten ajustar el voltaje SA, lo que 
las limita a entre 1650 y 1800 MHz. Normalmente, 2RPC no afecta mucho a la frecuencia 
máxima en comparación con 1RPC en estas CPU.
Guía DDR4 de 
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V1.0.0De nuevo, asegúrese de que la marcha 1 está seleccionada. En algunas placas base, se 
trata de un ajuste independiente. Las placas base MSI listarán múltiples frecuencias 
idénticas, donde algunas especifican "G1" o "G2" para la marcha 1 y la marcha 2 
respectivamente. Para que el engranaje 2 tenga sentido, es necesario estar ejecutando 
frecuencias muy altas que están más allá del alcance de esta guía.
Guía DDR4 de 
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V1.0.0
Ryzen 3000/5000
Estas CPU ofrecen la opción de ejecutar el reloj
IMC a la mitad del reloj de la memoria, de 
forma similar a los modos de engranaje de Intel. Esto conlleva una penalización por latencia 
que tiende a afectar negativamente al rendimiento más que cualquier velocidad de memoria 
extra que la desincronización de los dos relojes pueda aportar. Por lo tanto, asegúrate de que 
la relación entre MCLK y UCLK es de 1:1.
Las CPU Ryzen incorporan además otro reloj, conocido como FCLK. A menos que la velocidad 
de la memoria sea muy baja, el mejor rendimiento se consigue con este reloj igual a UCLK. 
Dependiendo de la placa base, este puede o no ser el comportamiento por defecto, así que 
asegúrate de comprobar que terminan en el mismo valor. El FCLK suele alcanzar una 
velocidad de reloj máxima en torno a los 1900 MHz, que con el funcionamiento sincronizado 
1:1 limita la velocidad de la memoria al mismo reloj. Utiliza esta frecuencia como objetivo. Un 
poco más alta, como 1933 o 1966 MHz, en raras ocasiones también puede ser totalmente 
estable. Si 1900 MHz no POST, podría valer la pena probar frecuencias ligeramente superiores 
ya que algunas CPUs tienen "agujeros de frecuencia FCLK". Si 1900 MHz o superior no es 
estable, 1766 MHz suele ser una opción segura, suponiendo que la placa base o la memoria no 
sean un factor limitante.
Los principales voltajes relevantes son los dos VDDG: IOD y CCD. Un VDDG IOD de 1,05 V 
tiende a ser bueno, mientras que un buen valor para CCD estaría en torno a 0,90 V. Estos 
voltajes se derivan del voltaje SOC utilizando LDOs, por lo que el voltaje SOC debe ser 
ligeramente superior al más alto de estos voltajes para alcanzar los valores deseados. Un SOC 
de 1,10-1,15 V debería ser suficiente.
Consejos generales
El factor limitante de la frecuencia será el más débil del subsistema de memoria, que puede ser 
el controlador de memoria de la CPU, la placa base, los circuitos integrados de memoria o las 
placas de circuito impreso de los módulos de memoria. En algunos casos, también puede ser 
una combinación de estos factores, por ejemplo, si el BIOS de la placa base está mal 
optimizado para determinados módulos PCB o IC. Esto puede ser particularmente el caso en 
Z390 y anteriores.
Para probar la frecuencia máxima, suele ser una buena idea ejecutar una prueba de estrés más 
centrada en la CPU además de la prueba de memoria, especialmente si se acerca la frecuencia 
a los límites de frecuencia comunes de las distintas plataformas. Buenas opciones para esto 
incluyen prime95 large FFTs o blend test, y-cruncher component stress test con pruebas VST, 
N32 y N64, o una variación moderna de LinPack que utilice AVX. Tenga en cuenta que debe 
ejecutar la prueba de CPU y la prueba de memoria de una en una, y no al mismo tiempo.
Para encontrar la frecuencia máxima, todos los tiempos no primarios deben estar en 
automático y la tasa de comandos debe establecerse en 2T. Recomiendo desactivar XMP e 
introducir los tiempos manualmente. El voltaje de la DRAM de 1,35 V es un buen voltaje 
general, aunque algunos circuitos integrados pueden beneficiarse de un voltaje mayor o 
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V1.0.0menor. Si tu voltaje XMP es superior a 1,35 V, también puedes usarlo.
Guía DDR4 de 
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V1.0.0Para encontrar la frecuencia máxima, se pueden utilizar los siguientes tiempos primarios:
DDR4-3600 e inferiores 18-22-22-44
DDR4-3601-4000 20-24-24-48
DDR4-4001-4400 22-26-26-52
DDR4-4401+ 24-28-28-56
Segundos tiempos
Empezaremos optimizando los segundos tiempos porque son los que más influyen en el 
rendimiento y también los que más posibilidades tienen de hacer que los demás tiempos sean 
inestables cuando se ajustan. Por lo tanto, es más fácil y más impactante ajustar estos primero.
tRRD y tFAW
Asus nombre: Retraso de RAS a RAS y tiempo de WIN de CUATRO ACTOS
Comience con 4-4-16 (tRRD_S-tRRD_L-tFAW) y aumente la temporización de tRRD_L si es 
inestable. Si tRRD_L tan alto como 8 sigue siendo inestable, intente aumentar tRRD_S o tFAW 
y si eso ayuda, intente reducir tRRD_L de nuevo. 95+% de los módulos de memoria serán 
capaces de ejecutar tRRD_S 4 y tFAW 16, por lo que sólo en casos raros tendrá que aumentar 
estos.
En algunos casos pueden afectar ligeramente a la frecuencia máxima, por lo que puede 
merecer la pena probar con una frecuencia de memoria ligeramente inferior si 4-x-16 tRRD es 
inestable. Unos tFAW y tRRD altos también pueden ayudar a enmascarar otras 
inestabilidades, como las causadas por una placa base con un overclocking deficiente. En 
general, estos tiempos tienen un impacto tan grande en el rendimiento que puede valer la pena 
bajar la frecuencia un poco para conseguir tFAW y tRRD_S ajustados.
tRFC y tREFI
Nombre Asus: Tiempo de ciclo REF (1) e Intervalo de actualización
Estos tiempos controlan durante cuánto tiempo se refresca la DRAM y con qué frecuencia lo 
hace, respectivamente. Dado que la DRAM no puede completar otras operaciones durante el 
refresco, un tRFC más bajo y un tREFI más alto son mejores para el rendimiento.
En la mayoría de los casos, la brecha entre no POST y completamente estable es muy 
pequeña para tRFC; recomiendo reducir tRFC en pasos de 10 o 20 hasta que no POST, 
entonces fijarlo 20-30 ticks por encima del valor más bajo que hizo POST dependiendo de lo 
bueno que sea su flujo de aire alrededor de la memoria. Como punto de partida se puede 
utilizar el valor de sincronización automática, o un valor un poco por encima del tRFC típico 
para su CI. Si tu placa base tiene una buena recuperación automática, realizar una búsqueda 
binaria también puede ser una opción viable.
Guía DDR4 de 
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V1.0.0Para tREFI, 65k debería ser un valor seguro a menos que la memoria esté extremadamente 
mal refrigerada, como en una caja con una entrada de aire muy limitada o con una 
refrigeración mayoritariamente pasiva. Para estas configuraciones, un valor de 42069 suele 
funcionar. Para la 10ª generación y anteriores, 65535 es el límite, mientras que la 11ª 
generación y posteriores permiten valores de hasta 262k (aunque algunas placas base siguen 
limitadas al antiguo valor de 65k).
El tREFI es extremadamente sensible a la temperatura, por lo que pueden pasar muchas horas 
antes de que aparezca la inestabilidad, ya que el sistema necesita calentarse por completo. Si 
quiere superar los 65k, le recomiendo que deje esto para el final. Ten en cuenta también que 
no suele ser efectivo hacer pequeños ajustes en tREFI. Un aumento de temperatura de 10 °C 
normalmente requerirá reducir a la mitad el tREFI, por lo que si encuentra errores poco 
después de comenzar la prueba de estabilidad, es posible que tenga que reducir mucho el 
tREFI para tener en cuenta que los módulos de memoria se calientan más cuanto más tiempo 
ejecute la prueba.
tRTP
Nombre Asus: LEER a PRE
Empiece con 6 y aumente si es inestable. Dejar tRTP y ajustarlo usando tRDPRE (si está 
disponible) puede producir resultados más consistentes.
tWR
Nombre Asus: WRITE Recovery
La inestabilidad causada por esta sincronización suele tardar horas en aparecer, y el 
beneficio para el rendimiento es sólo moderado. Recomiendo dejarlo en automático o 
ajustarlo en último lugar. Si se sintoniza, empezar en 10.
Por lo general, es mejor aumentar en pasos de 2, ya que un solo paso sólo podría mejorar 
ligeramente la estabilidad.
En algunos escenarios en placas base Intel, es mejor dejar tWR en automático y 
controlar su valor efectivo a través de tWRPRE (si está disponible), donde tWRPRE = 
tWR + CWL + 4. Como recomiendo dejar tWR para el final, ya habrás sintonizado CWL 
cuando llegues a él.
tWTR
Nombre Asus: WRITE to READ
En Intel, se recomienda dejar estos tiempos en automático, ya que están controlados por los 
tiempos tWRRD que se tratarán más adelante. En AMD, 4-8 (S-L) es un buen punto de 
partida. Si es inestable, aumente la temporización L. Si sabes que tienes circuitos integrados 
Micron, podría valer la pena intentar 2-6 o incluso más bajo.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
Primeros tiempos
tRCD/tRP
Nombre Asus: Retraso de RAS a CAS
En
la 10ª generación de Intel y anteriores, estos tiempos están vinculados. En determinadas 
placas base, esto también puede ocurrir en generaciones posteriores de Intel.
Los valores mínimos dependen en gran medida del circuito integrado. Reduzca hasta que no 
haya POST y trabaje hacia la estabilidad. Samsung y Nanya 8 Gbit B-die son los únicos 
circuitos integrados comunes donde estos tiempos escala en absoluto con el voltaje.
tRAS/tRC
Asus nombre: RAS ACT time
Estos controlan efectivamente la misma temporización. En AMD, ajuste tRAS a 21 y controle 
esta temporización mediante tRC. Intel simplifica las cosas omitiendo tRC y utilizando sólo 
tRAS. Normalmente 28 tRAS funcionará en todos los ICs no Micron. tRAS en los ICs Micron 
varía dependiendo de la muestra y la frecuencia, pero generalmente necesita alrededor de 40.
En el caso de Intel de 11ª generación y posteriores, es posible utilizar menos de 28 tRAS en 
función de la placa base, aunque la ventaja de rendimiento suele ser insignificante.
Obsérvese que tRC y tRAS están relacionados de la siguiente manera: tRC = tRAS + tRP
Dado que el valor efectivo de tRC suele ser el factor limitante, en Intel conviene sintonizar tRP 
antes que tRAS, lo que excluye la temporización tRC redundante.
tCAS
tCAS, también conocida como latencia CL o CAS, suele ser la principal o única temporización 
que varía con el voltaje de la memoria. Sin embargo, el impacto que tiene en el rendimiento 
suele ser mínimo (aunque sea el tiempo principal que anuncian los vendedores de memorias 
de terceros). Dejaré que sea el usuario final quien decida si merece la pena aumentar el voltaje 
para reducir en 1 o 2 puntos esta temporización insignificante. Sin embargo, hay que tener en 
cuenta que a algunos circuitos integrados puede no gustarles un alto voltaje de memoria.
La latencia de escritura CAS o CWL es similar a CL. Puedes dejarla en automático o ajustarla 
después de ajustar CL. Ten en cuenta que quieres ajustar CWL antes de los tiempos tRDWR y 
tWRRD, así que "dejarlo para el final" complicará las cosas.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
Tercer tiempo
He descubierto que si estos tiempos POST, hay una muy buena probabilidad de que sean 
totalmente stable.thus, que potencialmente podría ahorrar mucho tiempo para ajustar sólo para 
POST-ability y luego la estabilidad de las pruebas de grupos de ellos a la vez. Sin embargo, 
prepárese para tener que solucionar el problema de cuál está causando la inestabilidad si 
resulta ser inestable. Los tiempos de tWRRD_sg/dg suelen ser los más propensos a POST 
pero inestables. Tenga en cuenta que esta guía se centra en Intel; sólo la sincronización 
tRDWR se aplica a AMD.
tRDRD y tWRWR
Empiece con 6-4-6-6 (sg-dg-dr-dd), luego 7-4-7-7, 8-4-8-8 y así sucesivamente si es inestable. 
Los tiempos dr y dd sólo importan si se ejecuta más de 1 rango por canal. A veces pueden ser 
1 tick más altos o más bajos que el tiempo sg, por lo que puede valer la pena jugar con ellos.
Tenga en cuenta que ni los tiempos de RDRD/WRWR ni los de sg/dr/dg están vinculados de 
ningún modo; simplemente, tienen valores similares.
Para AMD, los tiempos que terminan en SCL cumplen la misma función que los tiempos _sg de 
Intel. Ejecutar estos en 2 es óptimo, pero más alto es a menudo necesario. 4 debería funcionar 
con la mayoría de los circuitos integrados.
tRDWR
Este tiempo dependerá en gran medida de la diferencia entre la latencia CAS (lectura) y la 
latencia CAS de escritura. Por lo general, tRDWR se ejecutará en torno a CL - CWL + 8, 
aunque a veces puede tener que ser significativamente mayor o menor. En el caso de Intel, los 
4 tiempos de tRDWR suelen tener el mismo valor.
tWRRD
Para Intel, ésta es la temporización que controla la temporización efectiva de tWTR. Aumentar 
o disminuir tWRRD aumentará o disminuirá tWTR en la misma cantidad, donde tWRRD_sg 
está vinculado a tWTR_L y tWRRD_dg está vinculado a tWTR_S. Calcule el valor requerido de 
tWRRD para un tWTR deseado como sigue:
tWRRD = tWTR + CWL + 4
4-8 (S-L) tWTR funcionará para la mayoría de los CI, aunque algunos (principalmente Hynix) 
necesitarán un tWTR_L efectivo más alto. Los circuitos integrados Micron pueden funcionar 
generalmente con un tWTR efectivo muy bajo, a menudo tan bajo como 2-6.
Los tiempos tWRRD dr y dd son independientes y normalmente pueden tener valores de 6 o 
inferiores.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0Tenga en cuenta que los valores de tWTR indicados en programas como Asrock Timing 
Configurator en placas base Intel son 2 inferiores a los valores efectivos reales. Por lo tanto, 
es posible que los tiempos indicados sean 0 u otros valores extraños, especialmente con 
circuitos integrados Micron.
Características del CI DDR4
SK Hynix
Una característica común de los circuitos integrados Hynix de 4 y 8 Gbit hasta el DJR de 8 Gbit 
es que requieren una tRRD_L elevada. 5 puede no beneficiar a la estabilidad en comparación 
con 4. Lo normal es necesitar 6 o 7.
4 Gbit MFR
Muy común en los primeros kits DDR4 de terceras marcas, especialmente durante 2014 y 
2015. Menos común en 2016.
Con voltajes más altos, la frecuencia suele limitarse a 1600 MHz. Con voltajes muy bajos (a 
menudo inferiores a 1,2 V), algunas muestras pueden alcanzar hasta 1800 MHz. Suele 
funcionar con temporizaciones primarias 15-15-15 en el rango de 1,3 V a 1600 MHz, con 
alrededor de 170 ns tRFC. tRCD supuestamente es inferior a tRP en plataformas con control 
independiente.
4 Gbit AFR
Se encuentra en muchos kits de mayor velocidad o de temporización más ajustada (para la 
época) de 2016. Tampoco es raro en paquetes genéricos como DDR4-2400 16-16-16. Común 
en los módulos OEM de Hynix de la época.
Similar al MFR, pero con mejores características de velocidad de reloj. La frecuencia máxima 
suele ser de al menos 1800 MHz, y puede llegar hasta los 2000 MHz o más. La frecuencia 
máxima no se ve afectada significativamente por el voltaje. tCAS escala bien con el voltaje y, 
por tanto, depende tanto del bin como del voltaje, mientras que tRCD/tRP no escala con el 
voltaje y depende principalmente del bin. tRCD/tRP debería rondar los 10 ns. Alrededor de 170 
ns tRFC es típico.
8 Gbit MFR
Se encuentra en muchos kits DDR4-3000, la mayoría de 2018 y anteriores.
La frecuencia máxima suele estar en el rango de los 1700 MHz, aunque algunas muestras 
alcanzan los 1800 MHz. El voltaje para la frecuencia máxima parece ser el punto óptimo, por lo 
que un voltaje muy alto o muy bajo puede afectar negativamente a la frecuencia máxima. 
tRCD/tRP es bastante bajo para los circuitos integrados de 8 Gbit,
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0a menudo pudiendo hacer 10 ns. tCAS varía dependiendo del voltaje y la frecuencia, pero 
normalmente será unos pocos ticks más bajo que tRCD a alrededor de 1,4 V. Necesita 280-290 
ns tRFC.
Aflojar tCCD (es decir, los tiempos tRDRD y tWRWR sg/dg (Intel) o SC/SCL (AMD) puede 
ayudar a conseguir relojes más altos. Sin embargo, tCCD_S (tRDRD/tWRWR SC/dg) tiene un 
gran impacto en el ancho de banda, por lo que puede o no beneficiar al rendimiento. 
Probablemente valga la pena en AMD para alcanzar los 1900 MHz sincronizados, pero se 
recomienda probar y comparar el rendimiento.
8 Gbit AFR
Utilizado en varios contenedores DDR4-3000 e inferiores de 2018 y anteriores. También 
común en módulos OEM Hynix de 2016 a mediados de 2018.
En una plataforma capaz, debería ser posible alcanzar los 1800 MHz*. La frecuencia varía 
ligeramente con el voltaje, por lo que las mejores muestras podrían alcanzar los 1900 o incluso 
los 2000 MHz a 1,4-1,5+ V. Se necesitan unos 11 ns de tRCD/tRP. tCAS debería funcionar a 
unos 9 ns o un poco menos a 1,4 V. Sólo tCAS varía significativamente con el voltaje y 
tRCD/tRP puede incluso variar negativamente con voltajes altos.
tRFC debería ser de 250-260 ns. Apretando tRFC a veces puede requerir un tick más flojo 
tRRD_L y/o tRCD/tRP si están cerca del límite. Esto es probable que valga la pena para el 
rendimiento, pero pruebe usted mismo en su configuración.
*Se ha
teorizado que el contenedor DDR4-2133 JEDEC, que es el que se suele utilizar en 
módulos de terceros, tiene una frecuencia significativamente peor. Los módulos OEM de la gama 
DDR4-2400 JEDEC han alcanzado los 1800+ MHz. También es probable que las placas base 
Z390 y las más antiguas tengan poca compatibilidad con AFR, y dado que eran las que se 
utilizaban principalmente para las pruebas cuando AFR era común, esto podría explicar los 
malos resultados.
El fenómeno tCCD observado en MFR también puede aplicarse a AFR, aunque es muy poco 
probable que valga la pena con AFR debido a que se sincroniza más alto en tCCD 
apretado/automático.
CJR de 8 Gbit
Utilizado en muchos de los kits G.skills DDR4-3200+ con temporizaciones típicas a partir de 
2018. También algo común entre otros fabricantes. Presente en módulos OEM de Hynix de 
2018 en adelante.
Similar al AFR anterior, pero normalmente hace 10-20 ns más tRFC y relojes más altos. La 
frecuencia máxima suele estar entre 1900 y 2200 MHz. 1,50 V durante periodos prolongados 
puede causar daños permanentes en la DRAM. Aunque todavía no se ha demostrado que 1,45 
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0V sea perjudicial, no está claro si causaría daños a lo largo de muchos años.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
8 Gbit JJR
No es muy común. Similar al CJR anterior, pero con tRP en lugar típicamente puede ir más 
bajo que tRCD, y tRFC ser ligeramente más flojo.
DJR de 8 Gbit
Se utiliza en casi todos los módulos de 8 GB de reloj alto con temporizaciones XMP sueltas 
de finales de la era DDR4. También es habitual en módulos más estándar como DDR4-3600 
18-22-22 o similares, especialmente de Kingston.
Muy diferente de los anteriores CI de Hynix. Conocidos por alcanzar frecuencias de reloj muy 
altas; la placa base, la CPU o la PCB deberían llegar al límite mucho antes que los propios 
circuitos integrados. Ejecuta 4-4-16 tRRD/FAW incluso a altas frecuencias. tRCD/tRP es un 
poco flojo, normalmente necesita 11 ns o más. tCAS escala bien a 1,6 V y por encima, donde a 
menudo puede alcanzar los 8 ns. Se puede suponer que 1,6 V es seguro, dado su uso en XMP 
para kits DJR. tRFC es bastante bajo para circuitos integrados de 8 Gbit, en el rango bajo de 
200 ns.
MJR de 16 Gbit
Se encuentra en algunos kits anteriores de 16 Gbit basados en DDR4-4000 18-22-22, 
principalmente de G.skill. También se utiliza en XMP de especificaciones inferiores. La DDR4-
4000 XMP es lo mejor que puedes esperar en términos de tiempos. La frecuencia puede ser 
un poco más alta. Muchas muestras requieren tiempos de 18-22-22 incluso a frecuencias 
inferiores a 2 GHz. También necesita un tRFC muy alto, probablemente el más alto de todos 
los circuitos integrados DDR4, con 380 ns. Algunas muestras pueden ser un poco más bajas.
AJR/CJR de 16 Gbit
Se utiliza en muchos módulos de 16 y 32 GB clasificados para altas velocidades con 
temporizaciones holgadas de finales de la era DDR4. Similar al DJR anterior, pero con tRFC 
más flojo. De nuevo, se puede suponer que 1,55-1,60 V es seguro dado su uso en XMP para 
kits basados en estos circuitos integrados.
Micron
En general, los circuitos integrados Micron deberían poder funcionar con 4-4-16 tRRD/FAW a 
frecuencias típicas. Algunos pueden necesitar tRRD_L 6 a altas frecuencias. Muchos también 
funcionan con temporizaciones tWTR reales o efectivas bajas.
4 Gbit revisión A
Se encuentra sobre todo en módulos de 4 y 8 GB muy antiguos, principalmente de Crucial. 
Puede aparecer en módulos fabricados en 2016. Nanya 4 Gbit B-die debe ser equivalente.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0La frecuencia máxima suele estar en torno a los 1600 MHz, siendo 1500-1700 MHz un rango 
habitual. Los tiempos primarios son similares a los del B-die de 8 Gbit de Samsung, a menudo 
13-13-13 a 1600 MHz alrededor de 1,4 V. Sólo tCAS varía significativamente con el voltaje. 
Sólo tCAS varía significativamente con el voltaje. tRFC es típico de los circuitos integrados de 4 
Gbit, con 160-170 ns.
Una opción ideal para chipsets Intel con frecuencia de memoria bloqueada o X99 debido a los 
bajos tiempos, pero inferior para plataformas modernas desbloqueadas que pueden frecuenciar 
más alto.
8 Gbit revisión A
Apenas relojes más allá de los típicos contenedores JEDEC. Los tiempos también son pobres. 
Evitar a toda costa.
8 Gbit revisión B
Razonablemente común en módulos antiguos de Corsair y Crucial clasificados para DDR4-
2400 y velocidades similares. Código FBGA D9TBH para circuitos integrados estándar.
La frecuencia escala inversamente con el voltaje a un ritmo significativo. Si empujas los voltajes 
más allá de 1,4 V, probablemente te limitarás al rango de 1700 MHz o inferior. Los tiempos 
tampoco son excepcionales. Entre 19-21-21 a 1700-1800 MHz con 260 ns tRFC. Sólo tCAS 
varía significativamente con el voltaje, lo que significa que es mejor llevar la frecuencia al límite 
a bajo voltaje, incluso si requiere tCAS más flojo.
8 Gbit revisión D
Es probable que se utilice en módulos a partir de 2022. Similar al anterior B-die, pero mejor 
tanto en tiempos como en frecuencia.
8 Gbit revisión E
Utilizado en casi todos los módulos Crucial de 8 Gbit de mayor velocidad (1500 MHz+) a partir 
de 2019. Tampoco es raro en los módulos Corsair. Utilizado en módulos OEM Micron 
principalmente a partir de 2019 y 2020.
En plataformas compatibles, se sabe que pueden alcanzar velocidades de reloj de 2500 MHz y 
superiores para muestras razonables. Incluso los módulos OEM pueden alcanzar velocidades 
de reloj elevadas, aunque no siempre tan altas como los buenos módulos de marca de 
consumo. Puede que sea necesario ajustar el voltaje VTT de la DRAM si se superan los 1,35-
1,45 V, donde el voltaje VTT suele funcionar mejor en torno a los 0,68-0,74 V. A muchas 
placas base Z390 y más antiguas no les gusta nada y no aceleran el reloj en absoluto.
Por lo general, tCAS es muy uniforme en todos los módulos, y los módulos OEM suelen ser 
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0muy parecidos o idénticos a los módulos de marcas de consumo de gama media. Incluso los 
módulos bastante deficientes deberían funcionar a 8 ns
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0CL en torno a 1,5 V. Típicamente escala a aproximadamente 80 mV por tick de tCAS, hasta el 
más alto
Rango de 1,5 V. Puede continuar escalando ligeramente peor a voltajes mucho más altos. 
Hasta ahora, 1,55-1,60 V no han resultado perjudiciales para el circuito integrado con una 
refrigeración razonable.
tRCD depende en gran medida de la bandeja, donde las mejores bandejas de Crucial pueden 
funcionar muy por debajo de 10 ns, mientras que los módulos OEM pueden necesitar 12 ns. 
Los módulos DDR4-3000 y 3200 de Crucial, así como otros módulos de marcas de consumo, 
suelen funcionar a unos 10 ns, dependiendo en parte de la temperatura.
tRP puede ser a menudo muchos ticks inferior a tRCD. El tRC efectivo varía entre 25 y 33 ns 
dependiendo en gran medida del bin. El tRFC mínimo suele rondar los 300 ns o un poco 
menos. Sólo tCAS varía significativamente con la tensión.
8 Gbit revisión H
Común en los kits DDR4-3000 XMP de 2017. También se usa en módulos OEM de Micron. No 
se ha visto mucho en módulos fuera de 2017.
Puede alcanzar los 1750 MHz y más, si se dispone de una plataforma adecuada. Puede que ni 
siquiera alcance los 1600 MHz en muchos Z390 y versiones anteriores. A 1750 MHz, CL 15 
requerirá normalmente alrededor o un poco más de 1,4 V, mientras que tRCD debería 
funcionar a 19-20. tRP puede funcionar varios ticks por debajo de tRCD. Sólo tCAS varía 
significativamente con el voltaje, aunque véase más abajo.
Ajustar tRFC puede aumentar significativamente el requisito de voltaje a un CL específico, 
aunque dada la escasa importancia de la latencia CAS en las plataformas modernas, suele 
merecer la pena cambiar CL por tRFC. Algunas muestras pueden funcionar a 190 ns y un poco 
menos, lo que es muy bajo para circuitos integrados de 8 Gbit.
16 Gbits
La revisión B destaca como el principal e impresionante circuito integrado Micron de 16 Gbit. 
Es capaz de alcanzar altas
velocidades de reloj de 2500 MHz y superiores. Al igual que con la 
revisión E de 8 Gbit, los tiempos varían mucho en función de la bandeja, desde muestras que 
necesitan 12 ns tRCD hasta otras que están muy por debajo de los 10 ns. tCAS también varía 
bastante, pero no tanto. Espera 8-9 ns en el rango inferior de 1,4 V. tRP puede ser en algunas 
muestras varios ticks inferior a tRCD, mientras que en otras necesita ser igual que tRCD. 
Espera 300 ns tRFC o un poco menos.
Otros circuitos integrados de 16 Gbits de Micron son peores, tanto en términos de relojes como 
de tiempos, aunque probablemente sean preferibles a los 16 Gbits de Samsung y a los MJR de 
Hynix.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
Samsung
Todos los circuitos integrados Samsung algo recientes deberían funcionar con 4-4-16 tRRD. 4-
8 tWTR también debería estar bien la mayor parte del tiempo.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
D-die de 4 Gbit
Se utiliza principalmente en módulos de mediados de 2015 y anteriores.
La mayoría de los módulos parecen alcanzar un máximo de 1700 MHz, aunque existen 
algunos módulos DDR4 de alta velocidad (para la época) con XMP de 1800 MHz y superiores. 
tRCD/tRP debería ser de 10 ns o ligeramente superior. tCAS puede ser de 1 a 3 ticks inferior 
a tRCD/tRP en función de la muestra y el voltaje. Este es uno de los pocos ICs extraños que 
requieren 5 tRRD_S. 5-5-20 tRRD/tFAW debería funcionar. Espera alrededor de 180 ns tRFC.
E-die de 4 Gbit
Utilizado en la mayoría de los kits superiores de finales de 2015 y 2016. También aparece en 
algunos contenedores inferiores. Se utiliza en módulos OEM de Samsung. M378A1G43EB1-
CPB se recomienda encarecidamente como módulos DDR4 de 8 GB rentables, a menudo con 
frecuencias de reloj similares a Micron E-die de 8 Gbit, al tiempo que ofrece las ventajas de 2 
rangos.
El propio circuito integrado debería funcionar a 2500 MHz y más, pero otros factores pueden 
limitar el reloj. Para superar con creces los 2000 MHz, es esencial contar con módulos en PCB 
A2/B1. tCAS se adapta muy bien a voltajes extremos, mientras que otros tiempos no se 
adaptan significativamente o no lo hacen en absoluto. tCAS y tRCD/tRP dependen en gran 
medida del contenedor, siendo poco común un tRCD/tRP significativamente inferior a 10 ns. 
tRFC es bastante ajustado, en torno a 160 ns.
No hay indicios de que ni siquiera 2,0 V dañen el circuito integrado si se refrigera 
adecuadamente, aunque voltajes tan altos pueden no ser buenos a largo plazo para la CPU.
8 Gbit B-die
Solo IC utilizado en kits con una latencia tRCD de XMP inferior a 10 ns, con la excepción de 
Corsair. También se encuentra con frecuencia en kits con XMP estándar de 2017 y anteriores, 
y con menor frecuencia después de 2017.
La variación entre ellos es una locura. En el extremo inferior, hay muestras que alcanzan los 
1600 MHz con tiempos de 16-18-18 y no escalan más allá del rango de 1,3 V, con sólo tCAS 
escalando a voltajes más bajos. tRFC también es a menudo malo en estas muestras, en la 
mitad superior del rango de 200 ns.
Para una mejor B-die, que debe ser todas las muestras con XMPs como 3200 14-14-14, 3600,
16-16-16, 4000 19-19-19 o mejor, las características son muy superiores. Todos los tiempos 
primarios se adaptan bien al voltaje en el rango de 1,5 V y a veces incluso un poco más allá de 
1,6 V, suponiendo una refrigeración suficiente. tRFC se adapta extremadamente bien al voltaje, 
además de funcionar muy bajo para empezar. Incluso con voltajes moderados, se pueden 
alcanzar 150 ns de tRFC, mientras que con voltajes superiores a 1,6 V se pueden alcanzar 110 
ns para una estabilidad diaria completa.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0Estas muestras mejores generalmente reloj muy alto, a menudo limitado por el IMC, 
suponiendo que un módulo capaz PCB y la placa base. En los procesadores Intel Core de 11ª 
generación es habitual ver frecuencias de 2500 MHz y superiores en la marcha 2.
Los tiempos varían en función del módulo. La mayoría de los módulos de los típicos "B-die 
bins" (como los XMP mencionados anteriormente) deberían poder funcionar con tiempos de 
15-15-15 a 2000 MHz o con tiempos de 14-15-15 a 1900 MHz. 16-16-16 a 2200 MHz y 
especialmente a 2266+ MHz es señal de buenos módulos. Los mejores módulos también 
funcionarán a 2000 MHz a 14-15-15 o a 1900 MHz a 14-14-14, e incluso a 2000 MHz a 14-14-
14 en el caso de módulos potentes.
En general, tCAS se ajustará antes que tRCD. Así, los siguientes conjuntos de tiempos serían 
cada vez más difíciles:
16-16-16, 15-16-16, 15-15-15, 14-15-15, 14-14-14 y así sucesivamente.
Algunas muestras pueden ser significativamente más fuertes en tRCD que en tCAS, hasta un 
tick entero, por lo que puede ser posible ejecutar, por ejemplo, 2266 MHz 16-15-15 en estos 
módulos en lugar de 16-16-16 o superior, aunque tales muestras son raras. En plataformas con 
control independiente de tRCD y tRP, a menudo tRP puede funcionar uno o varios ticks por 
debajo de tRCD.
Además de utilizar temporizaciones primarias bajas y tRFC, el B-die también es conocido por 
utilizar otras temporizaciones a valores bajos, como tRTP, tWR y, especialmente, tRDRD_sg. 
tRTP 6 debería ser estable a las frecuencias más habituales. tWR 10 debería funcionar a 
frecuencias más bajas, pero puede ser necesario 12 para frecuencias más altas. tRDRD_sg es 
especialmente impresionante, ya que funciona entre 5 y 6 en función de la frecuencia y el 
voltaje.
No hay indicios de que ni siquiera 2,0 V provoquen daños en el CI si se refrigera 
adecuadamente, aunque voltajes tan altos pueden no ser buenos a largo plazo para la CPU. 
Sin embargo, para el funcionamiento diario, por encima de 1,5-1,65 V no suele mejorar la 
estabilidad.
8 Gbit C-die
Utilizado en la mayoría de kits DDR4-3200 16-18-18 y DDR4-3600 18-22-22 de Corsair de 
2019 a 2021. Similar para otras marcas, aunque generalmente no tan extendido como con 
Corsair. Utilizado en módulos OEM de Samsung desde finales de 2016 hasta 2019.
La frecuencia máxima suele estar entre 1900 y 2050 MHz, aunque algunos modelos alcanzan 
los 2250 MHz y posiblemente más. Los tiempos primarios son muy pobres. Espera unos 10 ns 
tCAS a 1,35 V y 11 ns tRCD/tRP. tRFC también es malo, con 310-320 ns. Sólo tCAS escala 
con el voltaje, y a menudo con un escalado mejor que el ideal, aunque puede escalar mal o no 
escalar en absoluto más allá de 1,35 V.
1,35 V. Es probable que los voltajes altos no sean buenos a largo plazo. Se puede suponer que 
1,35 V es seguro dado su uso en XMP para kits basados en C-die.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
D-die de 8 Gbit
Ha sustituido en gran medida al C-die en módulos de terceros a partir de 2022 y en módulos 
OEM a partir de 2020.
Los tiempos son similares a los del C-die, aunque tCAS tiende a escalar mejor con voltajes 
altos. La frecuencia debería ser mucho mayor, de 2400 MHz o más, si la plataforma lo permite. 
tRFC también se ajusta un poco más, a 290-300 ns.
Samsung de 16 Gbit
Ninguno es especialmente bueno. Los diodos A y B parecen alcanzar al menos cerca de 2 
GHz de forma constante, y posiblemente un poco más. No esperes un tRCD/tRP superior a 
12 ns. También se requiere un tRFC bastante alto, de 320-330 ns.
Nanya
8 Gbit B-die
Ocasionalmente ocurre en contenedores Corsair de sincronización estándar. Versión número 
8.31.
Un circuito integrado impresionante, a menudo con un rendimiento similar al de los bines típicos 
del Samsung B-die de 2017 o incluso mejor en cuanto a tiempos. Relojes bastante alto, con 
algunas muestras haciendo 2333 + MHz, aunque otros parecen ser inestables por encima de 
2100 MHz. tCAS, tRCD, tRP y tRFC todos escala con el voltaje similar a la de Samsung B-die. 
tRFC puede ejecutar alrededor de 150 ns, en gran parte dependiendo de la tensión. tCAS, 
tRCD y tRP a un cierto voltaje parecen variar un poco entre las muestras. tRCD / tRP 
normalmente tiene que ser de alrededor de 2 ticks más alto que tCAS. Las muestras buenas 
deberían funcionar a 1900 MHz 14-16-16 en el rango de 1,5 V.
Guía de identificación de CI
La forma de
identificar los circuitos integrados utilizados en su módulo depende en gran 
medida de la marca de dicho módulo. En el caso de las marcas no cubiertas, la pestaña SPD 
de CPU-Z suele indicar el fabricante de los circuitos integrados en el campo DRAM 
manufacturer, aunque a veces la marca del módulo ha cambiado este campo por su nombre.
Corsair
Corsair tiene un número de versión impreso en la pegatina de los módulos físicos, que 
corresponde a ICs específicos. Consulte la siguiente tabla.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
Versión CI(s)
3.2x Circuitos integrados Micron de 4 Gbit
3.31 Micron 8 Gbit revisión B, E y otros
3.32 Micron 8 Gbit revisión H, J y otros
3.4x Circuitos integrados Micron de 16 Gbit
4.23 Samsung 4 Gbit revisión D
4.24 Samsung 4 Gbit revisión E ("E-die")
4.31 Samsung 8 Gbit revisión B ("B-die")
4.32 Samsung 8 Gbit revisión C ("C-die")
4.33 Samsung 8 Gbit revisión D ("D-die")
4.34 Samsung 8 Gbit revisión E
4.49 Samsung 16 Gbit revisión M
4.40 Samsung 16 Gbit revisión A
4.41 Samsung 16 Gbit revisión B
5.29 Hynix 4 Gbit MFR
5.20 Hynix 4 Gbit AFR
5.39 Hynix 8 Gbit MFR
5.30 Hynix 8 Gbit AFR
5.32 Hynix 8 Gbit CJR ("CJR")
5.38 Hynix 8 Gbit JJR
5.33 Hynix 8 Gbit DJR ("DJR")
5.49 Hynix 16 Gbit MJR
5.40 AJR de 16 Gbit de Hynix
5.42 Hynix 16 Gbit CJR
8.2x Nanya 4 Gbit
8.3x Nanya 8 Gbit
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
G.Habilidad
Para los módulos G.Skill fabricados en 2018 y posteriormente, habrá un código en la pegatina 
física de los módulos que empezará por 04. La parte relevante aquí son los últimos 5 
caracteres, por ejemplo 8810B. El 5º último carácter, en este caso 8, es la densidad del CI, 
donde 4 es 4 Gbit, 8 es 8 Gbit y S es 16 Gbit. El 3er carácter es el fabricante del circuito 
integrado: 1 para Samsung, 2 para Hynix y 3 para Micron.
El último carácter es la revisión de la matriz. Así, 8810B sería la revisión B de 8 Gbit de 
Samsung, o "B-die".
Tenga en cuenta que la revisión de las matrices de Micron puede resultar extraña en 
ocasiones, aunque G.Skill suele preferir los circuitos integrados de Samsung e Hynix.
Los módulos fabricados en 2017 y anteriores sin el código 04 probablemente utilicen el mismo 
formato de número de serie que los DDR3. En este caso, compruebe el número de serie, que 
debe comenzar con el código de fecha en formato yyww. El sexto dígito del número de serie 
corresponde al fabricante del circuito integrado, con 3 para Micron, 4 para Hynix y 5 para 
Samsung.
Kingston
Los módulos Kingston vienen con un código de 11 dígitos en la pegatina del módulo, que 
empieza por 4 letras. La cuarta letra corresponde al fabricante del circuito integrado: S de 
Samsung, H de Hynix, M de Micron y N de Nanya. Los módulos marcados con la letra K 
utilizan circuitos integrados que Kingston ha renombrado (es decir, a los que ha cambiado las 
marcas) y pueden ser de cualquier fabricante, aunque lo más habitual es que sean de Micron.
Los dos dígitos siguientes a las 4 primeras letras indican el número de circuitos integrados del 
módulo: 08 para 8 circuitos integrados (normalmente de una cara) y 16 para 16 circuitos 
integrados (normalmente de doble cara). Esto, en combinación con el tamaño del módulo, 
puede utilizarse para calcular la densidad de circuitos integrados, tal como se explica en la 
introducción.
Los dígitos 8 y 9 son el año de fabricación (21 para 2021, por ejemplo). Esto se puede utilizar 
para hacer conjeturas sobre qué revisión específica de CI utilizaron los módulos, basándose 
en los periodos de tiempo en los que ciertos CI eran más comunes.
Crucial
Para los módulos Crucial, compruebe el número de modelo impreso en los módulos físicos. 
Nos interesa la última parte después del punto, por ejemplo .M16FE. El primer carácter es el 
fabricante del CI, que casi siempre será M de Micron, ya que Crucial es una marca de Micron. 
El número indica el número de circuitos integrados en los módulos, donde normalmente se 
utilizan 8 circuitos integrados por rango.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0Este dato, junto con el tamaño del módulo, puede utilizarse para calcular la densidad de CI, tal 
y como se explica en la introducción.
La letra que sigue a la F (aunque a veces falta la F) es la revisión del CI. .M16FE como en el 
ejemplo, en un módulo de 16 GB sería Micrion revisión E de 8 Gbit, en una configuración de 
doble rango.
Módulos desnudos (incluidos los módulos OEM)
Los módulos desnudos son módulos sin disipadores de calor, en los que se pueden ver los 
propios circuitos integrados. Utilice la información impresa en los circuitos integrados para 
identificar su revisión. Esta información también se puede utilizar para identificar la densidad, 
aunque me parece más fácil simplemente contar el número de circuitos integrados y 
determinar la densidad basada en esto y el tamaño del módulo, como se explica en la 
introducción.
Samsung
Los circuitos integrados de Samsung pueden reconocerse por el texto SEC y un pequeño 
código QR. La letra después de 5W es la revisión del circuito integrado. Por ejemplo, ~5WB 
sería la revisión B (algún tipo de B-die).
Hynix
Los CI de SK Hynix llevarán escrito SK Hynix. Los 3 últimos caracteres del código que empieza 
por H5 corresponden a la revisión del CI. Por ejemplo, ~AFR sería cierta densidad de AFR.
Micron
Los circuitos integrados Micron llevan impreso el logotipo de Micron y un código de 7 
caracteres que suele empezar por D9. Escriba este código en el decodificador FBGA de 
Micron, disponible en https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga.
Esto le dará el número de pieza completo correspondiente del CI, donde la última letra 
después de los dos puntos es la revisión del CI. Por ejemplo, D9VPP corresponde a 
MT40A1G8SA-075:E, que es la revisión E.
Los circuitos integrados de Micron también pueden venderse bajo la marca SpecTek, en cuyo 
caso llevan el logotipo de SpecTek en lugar del de Micron. El logotipo de SpecTek consiste en 
una S dentro de un rombo.
Relacionar los circuitos integrados de marca SpecTek con sus homólogos Micron 
correspondientes es una tarea algo compleja que quizá aborde más adelante. Por ahora, 
consulte el decodificador SpecTek: https://www.spectek.com/menus/mark_code.aspx
Otros
Los circuitos integrados marcados con el nombre de la marca del módulo, como Kingston o 
ADATA, son circuitos integrados de marca renovada fabricados por uno de los principales 
fabricantes de circuitos integrados y no por la marca del módulo. No existe una forma uniforme 
de identificarlos.
https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga
https://www.spectek.com/menus/mark_code.aspx
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0En algunos casos, la pestaña SPD de CPU-Z leerá el fabricante real del CI en el campo del 
fabricante de la DRAM. Otras veces, la marca del módulo también habrá rellenado este campo 
con su nombre.
Información adicional
Consejos y solución de problemas
Consejos generales de frecuencia
En Intel, merece la pena probar tanto la frecuencia/relación base de 100 MHz/1:1 de la DRAM 
como la frecuencia/relación de 133 MHz/1:1,33. A veces, una tendrá mejor estabilidad que la 
otra, incluso a la misma frecuencia. A veces, una tendrá mejor estabilidad que la otra, incluso a 
la misma frecuencia. En raras ocasiones, el cambio de relación puede incluso dar lugar a que 
una correa de frecuencia más alta sea estable que otra que antes era inestable con la otra 
relación.
En las placas base Asrock, habilitar XMP puede supuestamente ayudar con el overclocking, 
incluso sobrescribiendo todos los timings. Si se habilita XMP al hacer overclocking, 
recomendaría ajustar manualmente al menos la temporización tRFC además de las 
temporizaciones primarias, ya que XMP tRFC puede en algunos casos ser demasiado ajustado 
al aumentar la frecuencia. Para 8 Gbit y la mayoría de los circuitos integrados de 16 Gbit, 350 
ns es un buen punto de partida. Para 4 Gbits, utilice 260 ns. Ten en cuenta la unidad de 
nanosegundos; tendrás que convertirla al valor de tick real en función de la frecuencia 
utilizando
la fórmula de la introducción.
Ajustar cualquier sincronización provoca inestabilidad
A veces, se llega a un punto en el que apretar cualquier temporización provoca inestabilidad, 
incluso para valores de temporización seguros/libres que deberían ser estables. Esto suele 
deberse a que los tiempos más ajustados o un mayor rendimiento/ancho de banda 
desestabilizan algo más que esos tiempos. Como se ha comentado anteriormente, esto puede 
ocurrir a menudo con los tiempos tRRD/tFAW, ya que estos tiempos tienen el mayor impacto 
en el ancho de banda y el rendimiento. Tampoco es raro que ocurra con tRFC y tREFI. En 
general, todos los tiempos tienen el potencial de causar inestabilidad de esta manera, pero 
tiende a ser más común cuanto mayor es el impacto que el tiempo específico tiene en el 
rendimiento.
Normalmente bajar la frecuencia muy ligeramente aliviará estos problemas. Otra opción podría 
ser probar cosas que ayuden a estabilizar la inestabilidad de la IMC, especialmente cuando se 
acerca al límite de frecuencia típico de la IMC, en lugar de la RAM. Esto incluiría cosas como 
voltajes IMC más altos, ajuste de la resistencia de terminación y probar una relación de base 
diferente (1:1 o 1:1,33). En algunos casos también podría ser una sincronización previamente 
ajustada la que esté causando los problemas. Dependerá de si merece la pena o no aflojar 
esta sincronización. Por ejemplo, aflojando tRRD_L por una garrapata a cambio de tRFC 
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0significativamente más apretado probablemente valdría la pena, pero probablemente no para 
tRRD_S o tFAW.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
tREFI no ejecuta valores altos
A algunas muestras simplemente no les gusta un tREFI alto, independientemente de la 
refrigeración. Aunque normalmente 65k tREFI debería ser fácilmente alcanzable si los módulos 
no están demasiado calientes, algunos módulos pueden ser inestables incluso a 30k tREFI sin 
importar si están calientes o a temperatura ambiente. Es probable que haya algún tipo de 
defecto en estos módulos, aunque como no es lo suficientemente importante como para hacer 
que no cumplan la especificación, no se pueden considerar realmente defectuosos. En 
general, no es para tanto, ya que se pueden obtener grandes ganancias de rendimiento 
ajustando otros tiempos. Ten en cuenta que AMD ni siquiera te permite cambiar la 
temporización tREFI.
Resistencias de terminación y tensión de referencia
Sin entrar en demasiados detalles, añadir resistencia al final de una línea de transmisión, lo 
que se conoce como terminación eléctrica, minimiza los efectos no deseados que pueden 
distorsionar la señal y hacerla menos inteligible. La resistencia de terminación ideal depende 
de las propiedades del conductor de la señal. En la práctica, esto significa que variará entre 
placas base y CPU, incluso siendo una de las dos la misma. No existe una fórmula mágica ni 
unos valores predeterminados precisos que sean óptimos; si los hubiera, ya se utilizarían y no 
tendría mucho sentido ajustarlos manualmente. Los dispositivos SDRAM DDR4 incorporan 
ODT (terminación en el chip) configurable por el usuario, que permite optimizar la resistencia 
de terminación para la aplicación.
El ajuste de las resistencias de terminación parece ayudar más en las configuraciones de 
memoria más difíciles de ejecutar, principalmente más de 1 rango por canal. En Intel, las 
ventajas parecen más notables en Skylake y sus derivados (6ª-10ª generación).
Aunque no existen los mejores valores generales aplicables a todas las configuraciones, se 
pueden observar algunos patrones y utilizarlos como puntos de partida para posteriores 
ajustes. RTT-WR parece funcionar mejor normalmente a 80 Ω, prefiriendo ocasionalmente 120 
Ω. En Intel Z490 (y posiblemente anteriores), RTT-PARK parece beneficiarse de valores más 
bajos, normalmente entre 34 y 60 Ω, aunque algunos usuarios han informado de mejoras con 
valores incluso más altos. Por el contrario, AMD Ryzen parece beneficiarse de resistencias 
RTT-PARK mucho más altas. RTT-NOM suele funcionar mejor con valores bajos, o incluso 
deshabilitados/0.
Algunas placas base utilizan en cambio la anotación RZQ, donde RZQ = 240 Ω. Por ejemplo, 
RZQ/3 sería 80 Ω.
Además, las CPU AMD Ryzen incluyen terminación en el chip del procesador (ProcODT) 
configurable por el usuario. Esto, una vez más, varía entre placas base, CPUs y 
configuraciones de memoria. Puedes probar las recomendaciones de otros usuarios con 
configuraciones similares, o usar el valor automático como punto de partida y ajustarlo a partir 
de ahí.
En Comet Lake (10ª generación de Intel), los RTT optimizados pueden suponer una mejora de 
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0la frecuencia de 100 MHz o incluso más. Incluso estableciendo algunos valores aproximados 
rápidos basados en las recomendaciones anteriores a menudo se obtendrán beneficios 
sustanciales. En Ryzen, el ajuste de las resistencias de terminación y
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0fuerzas de accionamiento puede ayudar mucho con múltiples rangos por canal, 
especialmente si se trata de ejecutar el modo de engranaje hacia abajo apagado con 1T tasa 
de comandos.
Además de las resistencias de terminación, el ajuste de la tensión de referencia, a menudo 
VREF (probablemente refiriéndose a VREF(CA)) a menudo puede producir ganancias similares 
pero menores. El valor estándar es 0,5x VDD (voltaje de la DRAM/DIMM) y los valores típicos 
a probar se sitúan entre 0,495-0,525x VDD.
Ajustes Intel 6-10th gen
En Intel de 6ª a 10ª generación, los RTL y los IOL pueden ajustarse reduciéndolos de dos en 
dos. Estos tiempos se ajustan por rango y por canal. Así, si ejecutas 1 RPC en doble canal, 
tendrás dos pares de RTL/IOL, uno por canal, mientras que con 2 RPC, tendrás 4 pares, y así 
sucesivamente.
Anote los valores auto RTL y IOL para el rango y canal que está sintonizando, y disminuya 
ambos de 1 en 1 hasta que no POST. Típicamente los valores que POST serán estables, por 
lo que no hay necesidad de hacer una prueba de estabilidad después de cada cambio. Repita 
el proceso para los otros rangos y/o canales.
El valor IOL establecido para el primer rango puede utilizarse a menudo para los rangos 
posteriores, lo que puede acelerar la sintonización. Sin embargo, el valor RTL siempre debe 
reducirse tanto como el valor IOL, lo que significa que los RTL pueden no funcionar igual 
después del ajuste si no eran iguales antes del ajuste.
Además de los ajustes de ODT y VREF mencionados anteriormente, el ajuste de las 
pendientes ascendentes y descendentes, así como de sus compensaciones, puede ofrecer 
beneficios menores para la frecuencia máxima en estas CPU, especialmente con múltiples 
rangos por canal. Se trata en gran medida de un proceso de prueba y error que puede llevar 
varios días, y el beneficio es, en el mejor de los casos, muy pequeño: alrededor de 1 correa 
más de frecuencia de memoria.
En mi experiencia con Asus LGA 1200, es mejor empezar con la máxima frecuencia de 
memoria estable conocida después de ajustar ODTs y VREF. Reduce el voltaje IO hasta que la 
inestabilidad sea obvia dentro de los primeros 30 segundos de tu test de elección, sin embargo 
no hasta el punto de que el test falle inmediatamente, ya que puede ser difícil saber cuan 
inestable es entonces. Ir a través de las pendientes de uno en uno y tratar de encontrar el valor 
menos inestable, a continuación, compensar. Reduzca la tensión IO según sea necesario si la 
estabilidad mejora a lo largo de la sintonización.
He notado las mayores mejoras al ajustar las pendientes ascendentes (siendo las 
pendientes de DATOS las que menos lo hacen), por lo que recomendaría ajustarlas 
primero. Los valores encontrados para las pendientes ascendentes se pueden utilizar como 
valores de partida cuando / si el ajuste de las pendientes descendentes.
Algunos usuarios utilizan el voltaje SA en lugar de IO para ajustar las pendientes. Tenga en 
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0cuenta que el mismo procedimiento también se puede utilizar
para afinar ODTs y VREF. 
Mientras que sólo la prueba de estabilidad en un inestable
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0frecuencia suele ser suficiente para determinar a grandes rasgos unos buenos ODT y 
VREF, utilizar el voltaje SA o IO proporciona un mayor control sobre el nivel de 
inestabilidad y, por tanto, hace más fácil notar el impacto de los cambios.
Resumen de temporización de DDR4
Tenga en cuenta que esta información no es necesaria para overclockear la memoria, y 
generalmente no le ayudará a conseguir mejores overclocks. Simplemente se proporciona para 
aquellos curiosos acerca de la función real de los distintos tiempos.
En primer lugar, algo de teoría básica. DDR4 se organiza en la siguiente 
jerarquía: (Canal) - Rango - Grupo de bancos - Banco - Fila - Columna.
Para las operaciones de lectura y escritura, la fila de la que se va a leer o a la que se va a 
escribir debe estar abierta. Esto se consigue enviando un comando ACTIVO especificando qué 
fila en qué banco debe abrirse/activarse. A continuación, se puede enviar una orden de lectura 
o escritura, especificando el banco y la columna en la que se va a escribir o desde la que se va 
a leer.
Tenga en cuenta que pueden estar abiertas diferentes filas al mismo tiempo en diferentes 
bancos y filas; sin embargo, sólo puede estar abierta una fila a la vez en cualquier banco 
específico. Para operar sobre otra fila en el mismo banco, la fila abierta en ese momento debe 
cerrarse primero enviando un comando PRECARGAR al banco en cuestión. Una vez cerrada 
la fila mediante el comando PRECHARGE, se puede abrir otra mediante otro comando 
ACTIVE.
La DRAM necesita ser refrescada periódicamente para retener los datos almacenados en ella. 
Esto se consigue emitiendo una orden Refresh. Antes de emitir una orden Refresh, todos los 
bancos deben estar precargados y en reposo.
(Nota: algunos de los siguientes datos suponen que AL = 0)
tCCD
tCCD especifica el tiempo mínimo entre dos accesos consecutivos a columnas (lecturas o 
escrituras). El tiempo tCCD_S (corto) es para accesos de columna a un grupo de bancos 
diferente (Intel: dg, AMD: SC), mientras que el tiempo tCCD_L (largo) es para accesos al 
mismo grupo de bancos (Intel: sg, AMD: SCL). A menudo se divide en temporizaciones 
separadas para lecturas y escrituras, como tRDRD (READ a READ) y tWRWR (WRITE a 
WRITE). Consulta la hoja de datos de tu CPU para más detalles.
tCAS/CL
tCAS, también conocido como CL (CAS Latency) o tCL, especifica el tiempo entre que se emite 
un comando READ, y cuando los primeros datos pueden ser "extraídos" de la DRAM.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
(t)CWL
La latencia de escritura CAS, conocida como (t)CWL, (t)WCL o, menos correctamente, (t)WL, 
especifica el tiempo que transcurre entre la emisión de una orden WRITE y el momento en que 
los primeros datos pueden "enviarse" a la DRAM.
tRRD/tFAW
tRRD especifica el tiempo mínimo entre dos comandos ACT consecutivos a bancos diferentes. 
Al igual que con tCCD, S es para ACTs consecutivos a bancos diferentes, mientras que L es 
para ACTs a bancos diferentes en el mismo grupo de bancos. tFAW especifica la duración de 
una ventana dentro de la cual no se pueden emitir más de 4 comandos ACT. Como esto no 
suele ser una limitación en la práctica, tFAW debe fijarse en 4 * tRRD para obtener el mejor 
rendimiento.
tRCD
tRCD especifica el tiempo mínimo entre un comando ACT y un acceso a columna 
(lectura/escritura) dentro del mismo banco.
tRP
tRP especifica el tiempo mínimo entre una orden PRE y cualquier otra orden al mismo banco.
tRAS/tRC
tRAS especifica el tiempo mínimo entre un comando ACT y PRE al mismo banco. tRC 
especifica el tiempo mínimo entre dos comandos ACT al mismo banco. Normalmente, la 
SDRAM DDR3 está limitada por el tiempo entre dos comandos ACT, y no por el tiempo entre 
un comando ACT y PRE; sin embargo, dado que el tiempo mínimo entre dos comandos ACT 
(tRC) estará limitado por el tiempo mínimo entre ACT y PRE (tRAS) más el tiempo mínimo 
entre PRE y cualquier otro comando (tRP), el tRC mínimo efectivo será tRAS + tRP.
Debido a esta redundancia, los procesadores Intel han excluido la temporización tRC y utilizan 
simplemente tRAS (en combinación con tRP) para controlar el tRC efectivo. Como resultado de 
esto, usted podrá cambiar tRP por tRAS cuando tRAS se lleve al límite. Dado que la 
temporización de tRP tiene un mayor impacto en el rendimiento que tRAS, asegúrate de 
ajustar tRP antes que tRAS para evitar este tipo de situaciones.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
tRTP
tRTP especifica el tiempo mínimo entre un comando READ y PRE al mismo banco. Dado que 
tRTP suele ser inferior a tCAS, esto significa que una fila puede cerrarse antes de que los 
datos leídos en ella hayan "salido" de la DRAM.
tWR
tWR especifica el tiempo mínimo entre el final de la entrada de datos (final de una ráfaga de 
escritura) y un comando PRECHARGE. Dado que las ráfagas de lectura y escritura duran 4 
ciclos de reloj, y las ráfagas de escritura comienzan CWL ciclos de reloj después de un 
comando WRITE, el tiempo mínimo efectivo entre un comando WRITE y PRE es tWR + CWL + 
4.
tREFI
tREFI especifica el tiempo medio máximo entre órdenes de actualización. Por razones de 
rendimiento, pueden posponerse hasta 8 órdenes de actualización. Del mismo modo, hasta 8 
comandos Refresh pueden ser "pull in" (emitidos por adelantado), lo que permite un período 
más largo sin necesidad de refrescar más tarde. El tiempo máximo entre dos órdenes de 
actualización consecutivas no puede ser superior a 9 veces tREFI.
tRFC
tRFC especifica el tiempo mínimo que debe transcurrir entre una orden Refresh y cualquier 
otra orden. Como es evidente, refrescar "desperdicia" tiempo que podría utilizarse para otras 
operaciones; por lo tanto, un tRFC más bajo y un tREFI más alto conducen a un mejor 
rendimiento. La porción de tiempo que se emplea en esperar el refresco será tRFC/tREFI.
Revisiones e ID de diseño de Micron
Se sabe que Micron utiliza ID de diseño internamente para sus revisiones y prototipos de 
circuitos integrados. Estas son también las revisiones/ID que se utilizan para SpecTek, así 
como lo que Corsair y a veces G.skill utilizan para sus códigos de identificación de CI (Z11C es 
3.32 para C, por ejemplo).
Revisión ID de diseño (DID) Nodo
4 Gbit revisión A Z80A 30 nm
4 Gbit revisión B Z90B 25 nm
4 Gbit revisión F Z10B 1x
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
¿4 Gbit revisión G? Z20A 1y
8 Gbit revisión A Z91B 25 nm
8 Gbit revisión B Z01A 20 nm
8 Gbit revisión D Z01B 20 nm
8 Gbit revisión E Z11B 1x
8 Gbit revisión G Z01C 20 nm
8 Gbit revisión H Z11C 1x
8 Gbit revisión J Z21C 1y
Revisión de 8 Gbit R Z41C 1a
16 Gbit revisión B Z22A 1y
16 Gbit revisión E Z32D 1z
16 Gbit revisión F Z42B 1a
Fuentes: Varios documentos, PCN y hojas de ruta de Micron, así como TechInsights. Puede que 
en el futuro añada una lista completa de fuentes.
Reglas de sincronización de los memes
Trataré brevemente algunas reglas de cronometraje inventadas con el objetivo de detener la 
propagación de información errónea explicando el origen probable de estas reglas de 
cronometraje y por qué son incorrectas.
tWR = 2x tRTP
Este se origina en el hecho de que estos timings están por especificación JEDEC (en otras 
palabras, valores automáticos) relacionados de la manera indicada. Sin embargo, el 
overclocking es, por definición, superar la especificación, por lo que los valores indicados en la 
especificación ya no son relevantes. Estos dos tiempos no están relacionados de ninguna 
manera. Simplemente coinciden en algunos casos con valores mínimos que se atienen a la 
relación anterior.
CL = tRCD = tRP
Esta regla es en gran medida una parodia de la regla de temporización anterior, ya que 
también se aplica según la especificación. Sin embargo, como se observa en la práctica, nadie 
cumple esta regla, lo que demuestra que los valores de las especificaciones son irrelevantes en 
overclocking.
tRAS = tRCD + tRTP
Es probable que esta regla de temporización se base en
suposiciones incorrectas realizadas 
por personas con poca o ninguna experiencia en la lectura de especificaciones u hojas de 
datos bien definidas. JESD79-4 incluye una cifra que puede sugerir a algunos lectores que un 
tRAS inferior a tRCD + tRTP no serviría para nada. Sin embargo, esta
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0es una extrapolación de una afirmación que no se ha hecho sobre una situación que no es 
exclusiva. Según las especificaciones, tRAS es siempre superior a tRCD + tRTP, por lo que no 
es necesario incluir en las especificaciones afirmaciones específicas sobre el funcionamiento a 
tRAS bajas. En la práctica, un controlador de memoria puede querer cerrar una fila poco 
después de abrirla, probablemente como consecuencia de una apertura de fila predictiva 
incorrecta, en cuyo caso tRAS reducir tRAS por debajo de tRCD + tRTP reportaría beneficios. 
Sin embargo, se esperaría un rendimiento decreciente de tRAS inferior a tRCD + tRTP.
La prueba de que tRAS inferior a tRCD + tRTP produce efectos reales se confirma tanto por 
las ligeras ventajas de rendimiento en algunas cargas de trabajo como por la inestabilidad 
observada en tRAS < tRCD + tRTP. Si no tuviera ningún efecto, no se observaría 
inestabilidad y el rendimiento no mejoraría.
tRFC = n * tRC
A menudo será en forma de tRFC = 8x tRC o tRFC = 7x tRC. No estoy seguro de cuál es el 
origen de esto, aparte de que la gente se esfuerza demasiado por observar patrones en cosas 
que no están relacionadas. No hay pruebas de que exista tal relación y, por lo que yo sé, ni 
siquiera hay información adecuada que pueda interpretarse razonablemente como un indicio 
de tal relación.
tRRD_L = tRDRD_sg
Esto probablemente se basa en el hecho de que el valor mínimo configurable (y a menudo el 
valor de overclocking) para estos dos es el mismo. Una vez más, estos tiempos no tienen nada 
que ver y cualquier insinuación en este sentido es probablemente el resultado de un esfuerzo 
excesivo por encontrar patrones en parámetros no relacionados.
tREFI = n * tRFC
Esto es directamente erróneo. Que los tiempos controlen latencias relacionadas con la misma 
operación no significa que los tiempos en sí estén relacionados.
tREFI = tREFIx9 / n
Esto parece basarse en un malentendido de cómo funciona realmente el refresco de DDR4; no 
es necesario que un número entero de refrescos quepa en la ventana máxima entre dos 
refrescos consecutivos. En JESD79-4 no se hace ninguna mención al respecto. La única 
observación remotamente similar que es cierta es que un tREFI superior al tREFIx9 efectivo no 
aporta ninguna ventaja (por definición).
tWR = 6 * n
No tengo ni idea de cuál es el origen de ésta. Ni siquiera tiene sentido.
tWTR_L = 2x tRRD_L y tWTR_L = 4x tWTR_S
De nuevo, ni idea de cuál es el origen o la razón de ser de estos.
tRDWR = CL - CWL + 8
Se trata de una regla empírica, no de una regla estricta; parece que algunas personas no lo 
han entendido bien. Aunque esta fórmula da valores aproximados de tRDWR para probar, no 
tienen por qué atenerse estrictamente a ella. CL - CWL + 9 también es común, especialmente 
para frecuencias más altas.
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0
Registro de cambios
V1.0.0 (primera versión completa)
Cambios
● Información sobre la frecuencia de Ryzen
● Más información sobre la CI
● 6ª-10ª generación
● ID de diseño y nodos de Micron
● Varios cambios menores
V0.3.0
Cambios
● Consejos y solución de problemas
● Resistencias de terminación
● Reglas de sincronización de memes y por qué no se aplican
● Algo más de información IC
Adiciones previstas:
● Clasificación y sección de carga IMC con más detalles
● Posiblemente información sobre Ryzen (se aceptan voluntarios)
● Más información IC se añadirá como me siento como él. Ya no se incluirá como estaba 
previsto.
V0.2.0
Cambios
● Varios cambios menores
● Guía de identificación de CI añadida
● Explicaciones sobre los tiempos
Adiciones previstas:
● Véase la versión anterior, menos los añadidos
● FAQ/Solución de problemas
V0.1.0
Cambios
● Primera publicación
Adiciones previstas:
● Guía de identificación de CI
Guía DDR4 de 
Eden
V1.0.0● Posiblemente información sobre Ryzen
● Más información IC
● Más información sobre el rango y la carga IMC
● Resistencias de terminación
● Posible clasificación IC si hay demanda (aunque esto es bastante subjetivo).
● Explicaciones de sincronización si hay demanda (podría simplemente copiarlo de mi guía 
DDR3)
● Lista de reglas inventadas para los memes (¡Para los memes! ¿Buena idea o no?)