60 circuitos de conmutacion a transistores

Vista previa del material en texto

www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
1/16 
TEMA 60 
CIRCUITOS DE CONMUTACION MEDIANTE 
TRANSISTORES. APLICACIONES 
CARACTERISTICAS. 
 
 
 
Indice: 
 
 
 
1. INTRODUCCION.......................................................................................................2 
2. EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN..............................................2 
3. MULTIVIBRADORES:...............................................................................................4 
3.1 Multivibrador astable. ..........................................................................................4 
3.2 Multivibrador Monoestable. ................................................................................6 
3.3 Multivibrador biestable. .......................................................................................7 
3.4 Circuito disparador Schmitt. ...............................................................................8 
3.5. Circuito diente de sierra.....................................................................................9 
4. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO: .....................................................10 
4.1 Transistores FET................................................................................................10 
4.2 Transistores MOSFET.......................................................................................12 
5. CIRCUITO INTEGRADO 555 ................................................................................13 
5.1 Funcionamiento como monoestable...............................................................14 
5.2 Funcionamiento como astable.........................................................................16 
 
 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
2/16 
1. INTRODUCCION. 
En los circuitos a transistores estudiados con anterioridad, siempre se ha 
tratado de mantener al transistor en la región activa o región lineal, en la cual 
siempre se cumpla que Ic = β · Ib, de forma que podíamos amplificar señales. 
Para ello manteníamos polarizadas las uniones base-emisor y base-
colector convenientemente, es decir, directamente la primera e inversamente la 
segunda: así asegurábamos el trabajo en región activa. 
En la conmutación trataremos de utilizar el transistor de una forma 
nueva: ahora no se tratará de amplificar, sino de utilizar al transistor como si de 
un interruptor se tratara. 
Para ello usaremos la zona hasta ahora evitada en el transistor: el 
trabajo en saturación. 
2. EL TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIÓN. 
Recordemos una característica básica del transistor en saturación: Vce 
sat = 0,2 V. 
Es decir, cuando un transistor está en saturación, la tensión existente 
entre su colector y su emisor se hace prácticamente cero. 
Esto se utiliza porque, sencillamente, una tensión de cero voltios entre 
dos puntos equivale a un interruptor cerrado entre dichos puntos. Por tanto, un 
transistor que se ha puesto en saturación equivale (respecto a cualquier carga 
conectada entre su colector y su emisor) a un interruptor que se acaba de 
cerrar entre dichos puntos. 
Veamos esta idea con más detalle: 
- Transistor en CORTE: para ello basta como sabemos con que Vbe 
sea, no ya negativa, sino que basta con que sea menor de 0,7 voltios (para un 
transistor npn). 
El transistor entonces sencillamente no conduce la electricidad y 
cualquier carga conectada de forma que dependa de que conduzca el transistor 
para recibir o no ella misma corriente, observa al transistor como un interruptor 
abierto. 
- Transistor en SATURACIÓN: al estar ahora en conducción el 
transistor, y haber una tensión de casi 0 voltios entre su colector y emisor: el 
transistor aparece ahora como un interruptor cerrado entre dichos puntos: 
Veamos el siguiente circuito de ejemplo de utilización del transistor en 
conmutación, es decir, de paso desde saturación a corte y viceversa según nos 
interese, de forma que lo utilicemos como si de un interruptor se tratara: 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
3/16 
 
Veamos su funcionamiento: 
1º . Ante una señal cero en la base (Vi a nivel cero) el transistor está en 
corte, por lo que no circula intensidad de colector alguna, de forma que Vo está 
a tensión igual a Vcc (ya que en Rc no hay ninguna tensión, al no haber 
intensidad). 
2º . Ante una señal a nivel alto en la base (Vi = Vbb), el transistor estará 
en saturación, de forma que la tensión Vo será igual a la tensión Vce del 
transistor, que como sabemos en saturación es prácticamente cero. 
Por tanto una carga conectada a Vo recibirá tensión o no según esté el 
transistor en saturación o en corte. Es decir, el transistor será como una 
especie de interruptor (gobernado desde Vi) para la carga. 
El anterior circuito es tan sólo un sencillo ejemplo. Más adelante 
veremos otros circuitos más sofisticados (multivibradores por ejemplo) donde 
también se hace trabajar al transistor en conmutación. 
Para asegurarnos de que efectivamente el transistor está, al conducir, 
en saturación y no en región activa debemos asegurarnos de que Vbb 
produzca una Ib que sea mayor que la “Ib mínima de saturación”. 
Si recordamos la recta de carga, la zona de saturación era la zona 
superior de la misma, en la que la Icmáxima (punto de corte con el eje vertical) 
valía: 
C
CC
Cmax R
V
I = o 
ReR
V
I
C
CC
Cmax +
= si existe una Re. 
Logicamente: 
min 
Icmax
Ibmin(sat)
β
= (dada por el fabricante). 
Cuando el transistor entra en saturación su corriente de colector 
permanece prácticamente invariable (igual o cercana Icmáx) y no es ensible a 
los cambios de la corriente de base. 
Saturación suave significa que el transistor debe saturarse ligeramente, 
esto es, que la corriente de base sea suficiente para operar el transistor en la 
parte superior de la linea de carga. 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
4/16 
La saturación suave no es muy fiable en la producción en serie de 
transistores por la poca fiabilidad de los valores de Beta. No debe usarse 
saturación suave en un transistor en conmutación. 
Saturación dura significa tener suficiente corriente de base para saturar 
al transistor para todos los valores de Beta que se encuentren en la producción 
en serie. En el peor de los casos prácticamente todos los transistores de silicio 
tienen una Beta mayor a 10. 
Por lo tanto, una guía para el diseño en saturación dura es tener una 
corriente de base aproximadamente igual al la décima parte del valor de la 
corriente de saturación del colector; ésto garantiza la saturación dura bajo 
todas las condiciones de temperatura y desviaciones de la producción en serie. 
Por ejemplo, si el extremo superior de la linea de carga tiene una 
corriente de colector de 10 mA, entonces debe colocarse una corriente de base 
de 1 mA; ésto asegura saturación para todos los transistores, corrientes, 
temperaturas, etc. 
Recuérdese que ésto es sólo una guía: es útil, pero también es 
conveniente siempre el recordar su origen, por si en alguna (excepcionalmente 
rara) ocasión no fuera suficiente la relación 10:1. 
3. MULTIVIBRADORES. 
Los multivibradores son circuitos que generan una onda cuadrada a su 
salida, de forma autónoma, requiriendo tan sólo una alimentación de corriente 
continua. Constituyen una aplicación típica de transistores trabajando en 
conmutación, utilizados de forma algo más sofisticada de lo que serla un mero 
interruptor, como era el caso del circuito visto anteriormente. 
3.1 Multivibrador astable. 
Generan una onda cuadrada sin más necesidad que la propia 
alimentación continua del circuito. Los 2 transistores de que dispone pasan 
alternativamente de saturación al corte debido a la carga y descarga de los dos 
condensadores del circuito. 
En la figura siguiente se muestra un circuito constituidobásicamente por 
dos transistores, capaz de generar una señal cuadrada astable. 
 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
5/16 
Cuando se conecta el circuito al generador de CC, alguno de los dos 
transistores se satura, y debido a la conexión entre ambos, el otro elemento 
pasa automáticamente al estado de corte. 
Al cabo de un determinado tiempo, que depende de los valores de RB y 
de C, el transistor que está bloqueado pasa a saturación y el que está saturado 
pasa al corte. 
Este funcionamiento es cíclico y continuo mientras se mantenga 
conectada la pila que alimenta al circuito. 
Las señales de salida son complementarias y se obtienen entre los 
colectores de los transistores y tierra. En la figura siguiente se muestra las 
formas de onda de las tensiones en las bases y en los colectores de los 
transistores. 
 
La duración del período T, como hemos dicho, depende de los valores 
de RB y C. Si RB1 = RB2 y C1 = C2: 
T = 2 · RB · C · ln 2 
Para obtener el tiempo en segundos es necesario que RB se exprese en 
ohmios y C en faradios. 
Si se desea una señal asimétrica, como la que se muestra a 
contunuación, será necesario construir un circuito con una red RB1-C1 
diferente a la RB2-C2, donde: 
T1 = RB1 · C1 · In 2 
T2 = RB2 · C2 · ln 2 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
6/16 
 
 
3.2 Multivibrador Monoestable. 
Mientras el multivibrador astable no tiene ningún estado permanente, 
sino que cambia periódicamente de uno a otro, el multivibrador monoestable 
tiene un estado permanente, y otro transitorio que es provocado por un impulso 
exterior al circuito. 
En la Figura siguiente se muestra un circuito monoestable, capaz de 
generar un impulso de tiempo constante cuando se le aplica un impulso de 
excitación a la base del transistor T 2r . 
 
El multivibrador monoestable es un temporizador que retarda a la 
desconexión: cuando se conecta la tensión de alimentación, después de unos 
instantes de inestabilidad, el transistor T 1r se satura y el T 2r pasa al corte. 
Esta situación permanece inalterable mientras no se aplique un impulso 
de tensión en la base de T 2r . Cuando esto ocurre, T 2r empieza a conducir 
hasta que se satura, y C, que estaba cargado a la tensión de la batería, con la 
polaridad indicada, mantiene su carga y hace negativa la base de T 1r , pasando 
éste al estado de corte. 
A partir de este momento, el condensador inicia un proceso de descarga 
y de carga a través de RB1, tal como se muestra en el gráfico siguiente. 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
7/16 
 
Cuando la tensión en la base de T 1r alcanza un valor de 
aproximadamente 0,7 V, el transistor comienza a conducir y automáticamente 
T 2r pasa al estado de bloqueo (corte). El condensador C vuelve a cargarse de 
nuevo a través de la resistencia Rc . 
La duración del período T del impulso generado por el circuito vale: 
T = RB1 · C · In 2 = 0,69 · RB1 · C 
En el circuito monoestable no existe ninguna relación de tiempo entre el 
impulso de excitación aplicado a la base de T 2r y la señal de salida generada 
por el circuito. 
El impulso de excitación suele ser de muy corta duración y se aplica 
normalmente a través de un circuito diferenciador formado por una red RC. 
Para provocar la conmutación del dispositivo también se puede aplicar 
un impulso negativo a la base del transistor T 1r , un impulso positivo al colector 
de T 1r , o poner a tierra el colector de T 2r . 
3.3 Multivibrador biestable. 
Los multivibradores biestables, generalmente llamados también 
básculas, flip-flops o biestables simplemente, al ser capaces de permanecer en 
un estado determinado o en el contrario, en función de la aplicación de un 
impulso exterior, ofrecen la posibilidad de "retener" un suceso de corta duración 
durante tiempo indefinido o hasta la aparición de otro nuevo suceso, esto es, 
impulsos eléctricos. 
Esta característica es ampliamente utilizada en electrónica digital para 
"memorizar" información, presente en forma de pulsos de tensión (para estas 
aplicaciones existen chips que integran uno o varios biestables). 
Tiene dos estados estables, el cambio de un estado al otro está 
determinado por los impulsos de entrada, como se muestra en la figura: 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
8/16 
 
Con la fuente -Vb siempre habrá un transistor en corte y otro en 
saturación. 
Si por ejemplo T1 está en corte y T2 en saturación, la tensión en A es 
alta, por lo que necesitará un impulso negativo en A para pasar al otro estado. 
Algo parecido sucede cuando T2 está en saturación y T1 en corte. 
3.4 Circuito disparador Schmitt. 
Con este circuito se obtiene una onda cuadrada a partir de una señal 
sinusoidal. El circuito debe estar diseñado para que permanezca en un 
determinado estado (T1 corte y T2 saturación), siempre que los valores de 
entrada estén por debajo de uno determinado (ver figura siguiente). 
 
Además, las tensiones de polarización de los transistores deben ser 
distintas (Vce del T1 y Vce de T2). Esto lo conseguimos asegurándonos de que 
RL1 y RL2 son distintas. 
En estas circunstancias, la tensión en la entrada se divide entre la base-
emisor de T1 y Re, de forma que: 
V1 = Vbe1 + Vre 
Nos interesa la caída de tensión en Re. Esta caída de tensión la 
llamamos Ve+ y es debida a Vcc, RL1 y Vce de T1. 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
9/16 
En el cronograma siguiente vemos la gráfica de la señal generada en 
este circuito cuando se aplica una onda sinusoidal a la entrada. 
 
Mientras la tensión en V1 no alcance el valor de Ve+, el transistor T1 
estará en corte. Cuando U1 sea superior a Ve+, T1 comenzará a conducir, la 
tensión en A a disminuir y T2 comenzará a dejar de conducir. 
Ahora T2 está al corte y T1 en saturación. Como RL2 es distinta de RL1, 
la nueva caída de tensión en Re es ahora Ve- inferior a la anterior (ya que así 
lo hemos determinado en el diseño). 
La señal V1 sigue evolucionando, llegará al máximo y empezará a 
descender. Al pasar nuevamente por Ve+ no ocurre nada, pero al llegar a Ve- 
ocurrirá que T1 pasará nuevamente al corte y T2 a saturación. 
3.5. Circuito diente de sierra. 
Es un circuito que genera un diente de sierra. Este circuito es muy 
utilizado en los equipos en los que se necesita una base de tiempos, por 
ejemplo un osciloscopio. 
El diente de sierra se consigue mediante la descarga de un condensador 
(ver figura). 
 
Cuando el interruptor está en 1, el condensador se carga a Vcc. Cuando 
se carga, pasa a la posición 2 y se descarga, pasando nuevamente a la 
posición 1. 
La respuesta se puede ver en la figura siguiente. 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
10/16 
 
4. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO: 
Mientras que los. transistores bipolares se dice que son dispositivos 
controlados por intensidad (ya que la Ic depende del valor de lb), los 
transistores de efecto de campo se dice que son dispositivos controlados por 
tensión, ya que suministran una corriente de salida proporcional a la tensión 
aplicada a su entrada. 
Existen dos clases diferentes de transistores de efecto de campo: los de 
"unión", a los que denominarenmos sencillamente FET ("Field effect transistor", 
a veces también llamados JFET, siendo la J de "junction"), y los MOS, por el 
tipo de tecnología utilizada ("Metal-oxide-Semiconductor"). 
4.1 Transistores FET. 
Los transistores de efecto de campo de unión o FET, se dividen en FET 
de canal n y FET de canal p. Ambos transistores tienen tres terminales, 
denominados "surtidor o fuente (S)", "drenador (D)", y "puerta (G)”. 
Con los FET, de la misma manera que con los transistores bipolares, se 
pueden realizar tres montajes diferentes.Las distintas configuraciones son: 
surtidor común (SC), drenador común (DC) y puerta común (PC). 
El más utilizado es el drenador común (ver figuras). 
 
Veamos su funcionamiento: 
Supongamos por ejemplo un FET de canal n. Si aplicamos una tensión 
positiva entre ambos lados del canal n, este actúa como una resistencia y 
circula intensidad entre D y S, llamada IDS. 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
11/16 
Al aplicar una tensión VGS negativa entre S(tipo n) y G(tipo p) 
polarizamos inversamente dicha unión PN y se forma como sabemos una 
barrera de potencial mayor cuanto mayor sea VGS. 
Así, el canal n se va estrechando y para él valor de VGS en el que el 
canal se cierra totalmente (IDS = 0), se le llama explícitamente Vp a dicho 
valor. 
Por su parte, el valor de IDS cuando VGS = 0 se llama IDSS, y es un 
valor típico del propio transistor, dado por el fabricante. 
LLamamos VDS de saturación al valor a partir del cual IDS no depende 
de VDS. (En el corte VGS = Vp y IDS = 0). A partir de VDSsat (VDS de 
saturación), IDS se hace independiente de VDS ya que el canal está 
estrechado por acción de VGS(menor que cero) y aunque VDS aumente, IDS 
no lo puede hacer. 
Vemos por tanto que el control de IDS se realiza por tensión (VGS), 
mientras que en un transistor bipolar Ic era controlada por otra intensidad (Ib). 
Curvas de drenador: 
La siguiente figura muestra la familia de "curvas de drenador" de un FET 
de unión. Obsérvese la similitud con las curvas de colector de los transistores 
bipolares. Simplemente recordando aquellas podemos ya fácilmente interpretar 
éstas. 
 
Se encuentra una región de saturación, una región activa, una región de 
corte y una región de ruptura. Así en el ejemplo de las curvas anteriores vemos 
que la región activa se encuentra entre 4 y 30 voltios de VDS: en esa zona la 
IDS estará controlada directamente por la VGS y no por VDS. 
Obsérvese la región de saturación: cuando el FET está saturado, el valor 
de VDS está entre 0 y 4 voltios. Nótese que el voltaje de saturación más alto, o 
VDS de saturación (4 voltios), es igual en valor absoluto a el valor de la VGS 
mínima o Vp (-4 voltios). 
Esta es una propiedad de todos los FETs que permite usar la Vp como 
valor aproximado en valor absoluto de la VDS de saturación máxima. 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
12/16 
UN FET puede usarse en aplicaciones de amplificación de señales 
alternas (variaciones de tensión de VGS producen variaciones amplificadas de 
IDS en la salida). 
De forma resumida podemos decir que aunque la ganancia 
amplificadora es menor que las de los transistores bipolares, tienen la ventaja 
de presentar una especialmente alta impedancia de entrada y una baja 
impedancia de salida (algo importante a la hora de recoger la mayor parte de la 
señal a amplificar y suministrarla posteriormente, según recordamos de los 
problemas de amplificadores multietapa). 
Otro uso, el que ahora nos viene a colación en el presente tema, es 
como interruptores: el paso periódico de saturación (VGS = 0) a corte (VGS = 
Vp) y viceversa o uso en conmutación. 
 
En la figura anterior vemos un circuito FET para usos en conmutación, 
con el surtidor S conectado a tierra: cuando VGS es cero, el transistor 
lógicamente puede conducir y se supone que la VDS que obtenemos 
corresponde a un valor de saturación (la fuente Vdd y RD tendrán el valor 
adecuado para ello). 
Si por otro lado VGS es menor o igual al valor de VP, el FET está en 
corte y opera en el extremo inferior de la línea de carga. Idealmente el FET 
actúa como un interruptor cerrado cyuando está saturado, y como un 
interruptor abierto cuando esté en corte. 
4.2 Transistores MOSFET. 
El transistor MOSFET también cuenta con un terminal llamado drenador 
(D) un surtidor (S) y un graduador o puerta (G). 
 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
13/16 
Al aplicar una VGS positiva, la tensión positiva en G repele a los huecos 
de la zona P y atrae a los electrones del surtidor creando un CANAL N entre 
drenador y surtidor. 
La familia de curvas nos son de nuevo similares a las ya conocidas: para 
una determinada VGS positiva, conforma aumente la VDS aumenta IDS hasta 
un valor (VDS de saturación) en el que aunque siga aumentando VDS, IDS ya 
no aumenta más: región activa. 
Existen distintas variantes de transitores MOSFET (MOSFET de 
enriquecimiento, VMOS,...) que de forma resumida podemos decir que en 
conmutación se caracterizan por que son capaces de aceptar una 
especialmente alta velocidad de conmutación, por lo cual son especialmente 
útiles en numerosas aplicaciones de conmutaciones a alta velocidad. 
5. CIRCUITO INTEGRADO 555 
El dispositivo 555 es un circuito integrado muy estable que temporiza 
con una gran precisión y que además puede funcionar también como oscilador. 
 
Cuando se utiliza como temporizador, la duración del período se fija 
mediante una resistencia y un condensador exterior al propio dispositivo. 
El circuito puede ser disparado o puesto a cero mediante el frente de 
bajada de una señal de tensión aplicada a uno de sus terminales; la etapa de 
salida puede suministrar o absorber hasta 200 mA. 
Las características más notables del dispositivo son: 
• Temporización desde microsegundos hasta horas. 
• Dos modalidades de funcionamiento: monoestable y astable. 
• Relación del ciclo variable (funcionando como oscilador). 
• Estabilidad frente a las variaciones de temperatura: 0,005 %/°C. 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
14/16 
En la figura siguiente se muestra el diagrama de conexión y el diagrama 
de bloques del circuito que contiene dos comparadores y un flip flop (biestable); 
además tiene un transistor y una puerta inversora que proporciona un nivel bajo 
(0 V) a la salida cuando el dispositivo está en reposo (sin disparo). 
 
Los terminales 1 y 8 se conectan a tierra y al positivo de la fuente de 
alimentación, respectivamente. 
El circuito 555 puede funcionar en un margen de tensión de alimentación 
comprendido entre 4,5 y 16 V. 
Al terminal 2 le aplicamos la tensión de disparo y aquél está conectado 
directamente a la entrada inversora del comparador inferior. Si el terminal 4 
(puesta a cero) se conecta a tierra, el circuito se inhibe y por tanto deja de 
funcionar como tal. 
En algunas aplicaciones esta función es de gran utilidad, pero en los 
empleos más corrientes, la patilla 4 se conecta directamente al positivo de la 
fuente. 
El terminal 3 es la salida del dispositivo. 
Los terminales 5 (control) y 6 (umbral) son las entradas inversora y no 
inversora del comparador 1. La entrada de control está conectada a una 
cadena de resistencias internas del circuito de tal forma que el nivel de tensión 
aplicado a la misma es 2/3 Vcc. El valor de las tres resistencias es el mismo. Al 
terminal 6 se suele conectar el condensador exterior. 
El terminal 7 es una salida que está conectada al colector del transistor 
interior. La finalidad del transistor es descargar el condensador C, bien 
cortocircuitándolo (funcionando en monoestable) o a través de una resistencia 
(funcionando en astable). 
5.1 Funcionamiento como monoestable. 
Como ya hemos señalado, la carga puede conectarse entre el positivo y 
el terminal 3 (salida), o entre dicho te rminal y tierra. El terminal 4 (puesta a 
cero) se conecta directamente al positivo de la fuente, y entre el terminal 5 
(control) y tierra se conecta un condensador de 10 nF. 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
15/16 
Este elemento funciona como pantalla para que los ruidos y radiaciones 
no perturben el nivel de la tensión de control. 
La resistencia RA se conecta entre positivo y el terminal 7, y la 
capacidad entre este terminal y tierra. 
Estos dos elementosson los que determinan la duración de la 
temporización o período del monoestable, cuyo valo r es: 
T = 1,1 · RA · C 
El dispositivo se dispara cuando la tensión en la patilla 2 es de cero 
voltios. En reposo la tensión aplicada en dicho terminal ha de ser la del positivo 
de la fuente. En estas condiciones la salida del comparador 2 es nula, ya que la 
tensión en su entrada inversora (Vcc) es superior a la de su entrada no 
inversora (1/3 Vcc). 
La salida del comparador 1, suponiendo que el condensador está 
descargado, también está a cero voltios, ya que la tensión en su entrada 
inversora vale 2/3 Vcc. Las entradas del biestable valen R = 0 y S = 0; mientras 
estos valores se mantengan, la salida Q, que suponemos se encuentra a nivel 
alto (Vcc), permanecerá sin alteración. El transistor se saturará y el conden-
sador no podrá cargarse. 
Si se produce un impulso de disparo (bajada a cero voltios de la tensión 
en el terminal 2), la entrada S del biestable pasa a nivel alto, y en consecuencia 
Q pasa a nivel bajo (0 V). 
El transistor pasa al corte y permite que el condensador se cargue a 
través de la resistencia RA. Cuando el condensador alcanza una tensión igual 
a 2/3 Vcc, la entrada R del biestable pasa a nivel alto y Q pasa también al 
mismo nivel. El transistor se satura y C se descarga bruscamente. 
Después del impulso de disparo, S vuelve a su valor inicial de cero 
voltios. Cuando acaba la temporización, R pasa también a nivel cero; 
consecuentemente, la salida Q mantendrá el valor anterior, es decir, nivel alto. 
En la figura siguiente se muestran las formas de onda de entrada 
(disparo), salida y la tensión en el condensador. 
 
 
 
www.eltemario.com Oposiciones Secundaria – Tecnología 
 Temario específico – Tema 60 
 
16/16 
5.2 Funcionamiento como astable. 
En la figura siguiente mostramos la conexión necesaria para que el 555 
funcione como astable. 
 
 
El terminal de disparo se cortocircuita con el de umbral y entre las 
patillas 6 y 7 se conecta una resistencia (RB). 
La resistencia RA y el condensador C se conectan entre las mismas 
patillas que en el caso del monoestable. 
A continuación se muestran las formas de onda que aparecen en la 
salida del dispositivo y entre los extremos del condensador C. 
 
El condensador se carga ahora a través de RA + RB y se descarga a 
través de RB. La relación T1 / T2 puede modificarse variando los valores de las 
resistencias RA y RB. 
En esta forma de funcionamiento la tensión en el condensador varía 
entre 1/3 de Vcc y 2/3 de Vcc y la frecuencia de funcionamiento es 
independiente de la tensión de alimentación.