Electronica_Analogica_1

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Electrónica Analógica TMA Ciclo 02 2015
Apellidos: Meza Guandique Nombres: Carlos Ernesto Carnet: MG151945
Apellidos: Ramírez Monjaras Nombres: Máximo Andrés Carnet: RM151474
Apellidos: Salinas Ayala Nombres: Marcela Estefanía Carnet: SA152040
Parte I
Responda las siguientes interrogantes
1) ¿Cómo se identifica generalmente el cátodo en un diodo?
R// es marcado con una línea coloreada o una nota
2) ¿A qué se le llama barrera de potencial?
R//es el voltaje que necesita el diodo para que conduzca una corriente intensa
3) ¿Cómo se produce la polarización inversa?
R// se produce cuando se revierte la polaridad del voltaje aplicada a la conexión
4) ¿Cuál de los dos tipos de materiales de construcción del diodo posee una mayor corriente de reversa?
R// el Germanio
5) ¿Qué puede ocurrir para que se dañe un diodo. (Condiciones de polarización)? 
R// eventualmente el diodo se daña a medida que se incrementa el voltaje inverso, en el que está conduciendo corriente invertida (voltaje de caída)
6) ¿Quiénes pueden producir la ruptura en inversa?
R// el efecto Zener y Avalancha
7) ¿Cuál es la diferencia en daños de la ruptura por avalancha y ruptura zener?
R// las rupturas zener ocurren en semiconductores fuertemente dopados con una capa de depleción angosta y con un bajo voltaje; mientras que en las rupturas avalancha toman lugar en semiconductores ligeramente dopados con capa de depleción ancha en un voltaje alto. 
8) Mencione los cambios que produce el incremento de la temperatura en los semiconductores:
· El flujo de corriente, hacia adelante y reversa son incrementados
· Resistencia, hacia adelante y reversa es reducida
· La caída de voltaje hacia adelante es reducida 
· El voltaje inverso es reducido
9) Explique el fenómeno “Termal runaway”
R// El Termal runaway es el fenómeno dado cuando el dispositivo es destruido a causa del incremento en el flujo de la corriente a causa del aumento de energía térmica
10) Mencione los métodos para evitar el incremento de la temperatura en los semiconductores
R// Para mantener una temperatura estable y segura en un semiconductor debe de ser enfriado; un método típico es el uso de disipadores de calor, estos remueven y dispersan la energía térmica creada por el dispositivo
11) ¿Cómo se asume el sentido convencional de la corriente a través de un circuito?
R// La física detrás del fenómeno de la electricidad, no era totalmente comprendida; se creía que la corriente fluía de positivo a negativo
12) Mencione las partes que típicamente se presentan en las hojas técnicas (Datasheets)
R//Las partes que típicamente están presentes en las hojas técnicas (Datasheets) son el número de la pieza, el nombre de la pieza, la descripción y el nombre del fabricante
13) Coloque el significado de cada uno de los parámetros mostrado en las hojas técnicas de los diodos:
Peak Inverse Voltage (PIV): es el voltaje máximo del inversor que se puede aplicar al diodo sin alcanzar avería. A veces referido como pico inversor de voltaje
Operating Juntion Temperature: es cuando la temperatura máxima permitida para la unión PN del diodo. Este es un parámetro importante y debe ser observado si la fuga térmica se ha de prevenir
Power Dissipation: Es el que a menudo está citado a 25°C, los dispositivos que deben disipar una gran cantidad de energía pueden requerir un disipador de calor o refrigeración adicional
Reverser Leakage Current: Esta cifra da una indicación de como efectivamente la conducción de bloques de diodos cuando está parcialmente inverso
Junction Capacitance: Es la capa de agotamiento en un diodo actúa como un dieléctrico y tiene una capacitancia medible
Reverser Recovery Time: Es la cantidad de tiempo que toma para que el diodo para cambiar de la conducción al estado no conductor. Este parámetro impone un límite a la frecuencia máxima que el diodo puede operar con éxito.
Parte II
Utilizando el grafico de la figura 1 y tabla 1.3 complete la información solicitada:
A) Determine el voltaje a través de cada diodo con una corriente de 1Ma
B) Repita con una corriente de 4 mA
C) Repita con una corriente de 30 mA
D) Determine el valor promedio del voltaje en el diodo para el intervalo de las corrientes antes dadas
E) ¿Cómo se comparan los valores promedio con los de rodilla que aparecen en la Tabla 1.3
 
Parte III
Uso de hoja técnica 
Complete el siguiente cuadro con la información de la hoja técnica anexa.
	Parámetro
	Valor
	Unidades
	Observaciones
	Voltaje en directa
	1.1
	V
	
	Corriente en directa
	1.0
	A
	
	Resistencia térmica a temperatura ambiente: 25°C
	
50
	
°C/W
	
	Voltaje en reversa
	200
	V
	
	Disipación de potencia 
	3.0
	W
	
Características:
· Baja caída de tensión directa
· Alta capacidad de corriente de sobretensión
Código de semiconductor:
1N4003
Propósito (Uso):
Se utilizan en las aplicaciones de baja frecuencia, con tiempos de recuperación de aproximadamente 2 y tensiones inversas de hasta 4000V