Análise de Polarização de Transistores

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22916. Beta es muy sensible a la temperatura y VBE se reduce aproximadamente 2.5 mV (0.0025
V) por cada 1° de incremento de temperatura en la escala Celsius. La corriente de saturación
en inversa por lo general se duplica por cada incremento de 10° de la temperatura Celsius.
17. Tenga en cuenta que las redes más estables y menos sensibles a los cambios de temperatura
tienen los factores de estabilidad mínimos.
Ecuaciones
Polarización fija:
Polarización estabilizada de emisor:
Polarización por medio del divisor de voltaje:
Exacta:
Aproximada: Pruebe la condición
Polarización de cd con realimentación de voltaje:
Base común:
Redes de conmutación con transistor:
Factores de estabilidad:
Polarización fija:
Polarización de emisor:
*Polarización del divisor de voltaje: Cambia RB a RTh en la ecuación anterior.
*Polarización con realimentación: Cambia RE a RC en la ecuación anterior.
Polarización fija: ’
Polarización de emisor:
Polarización con divisor de voltaje: Cambia RB a RTh en la ecuación anterior.
Polarización con realimentación: Cambia RE a RC en la ecuación anterior.
†
†
S1VBE2 =
-b†
RB + 1b + 12RE
S1VBE2 = -
b
RB
S1VBE2:
S 1ICO2 = 1b + 12 
1 + RB>RE*
1b + 12 + RB>RE
S1ICO2 = b + 1
S1ICO2:
S1ICO2 =
¢IC
¢ICO
, S1VBE2 = ¢IC
¢VBE
, S1b2 = ¢IC
¢b
IE =
VEE - VBE
RE
, IC � IE
IB =
VCC - VBE
RB + b1RC + RE2
, IC¿ � IC � IE
VB =
R2VCC
R1 + R2
, VE = VB - VBE, IE = VERE � IC
bRE Ú 10R2
RTh = R1 7R2, ETh = VR2 =
R2VCC
R1 + R2
, IB =
ETh - VBE
RTh + 1b + 12RE
IB =
VCC - VBE
RB + 1b + 12RE
, Ri = 1b + 12RE
IB =
VCC - VBE
RB
, IC = bIB
VBE = 0.7 V, IE = 1b + 12IB � IC, IC = bIB
RESUMEN
ICsat =
VCC
RC
, IB 7 ICsat 
bcd
, Rsat = VCEsat ICsat , tencendido = tr + td, tapagado = ts + tf
POLARIZACIÓN
DE CD DE LOS BJT
230
Polarización fija:
Polarización de emisor:
Polarización de divisor de voltaje: Cambia RB a RTh en la ecuación anterior.
Polarización con realimentación: Cambia RB a RC en la ecuación anterior.
4.20 ANÁLISIS POR COMPUTADORA
●
PSpice para Windows
Configuración del divisor de voltaje Ahora puede comprobar los resultados del ejemplo 4.8 con
PSpice para Windows. Utilizando los métodos descritos con detalle en los capítulos anteriores,
podemos construir la red de la figura 4.103. Recuerde que en el capítulo anterior el transistor se
encontró en la biblioteca EVAL, la fuente de cd en la biblioteca SOURCE y el resistor en la bi-
blioteca ANALOG. El capacitor no se ha requerido pero también podemos encontrarlo en el
cuadro de diálogo Place Part, si escribimos transistor en el espacio provisto bajo Part.
El valor de beta se cambia a 140 para que concuerde con el ejemplo 4.8 haciendo clic primero
en el símbolo de transistor en la pantalla. Luego aparecerá en rojo para indicar que está activo.
Prosiga con Edit-PSpice-Model y se desplegará el cuadro de diálogo PSpice-Model Editor Li-
te donde puede cambiar Bf a 100. Cuando trate de salir del cuadro de diálogo se despliega el
cuadro de diálogo Model-Editor/9.2 y le preguntará si desear guardar los cambios, en la biblio-
teca de redes. Una vez que los haya guardado, la pantalla regresará automáticamente con la beta
ajustada a su nuevo valor.
Entonces puede proseguir con el análisis, seleccionando la tecla Create a new simulation
profile (parece una hoja impresa con un asterisco en la esquina superior izquierda) para obtener
el cuadro de diálogo New Simulation. Inserte Fig. 4.103 y seleccione Create. Aparecerá el cuadro
de diálogo Simulation Settings y seleccione Bias Point bajo el encabezado Analysis Type.
Haga clic en OK y el sistema está listo para la simulación.
‡
‡
S1b2 =
IC111 + RB>RE2
‡
b111 + b2 + RB>RE2
S1b2 =
IC1
b1
S1b2:
FIG. 4.103
Aplicación de PSpice para Windows
a la configuración del divisor de
voltaje del ejemplo 4.8.
FIG. 4.104
Respuesta obtenida después de
cambiar de 140 a 255.9 para
la red de la figura 4.103.
b
Para continuar, seleccione la tecla Run PSpice (flecha azul) o la secuencia PSpice-Run. Los
voltajes de polarización aparecerán como se muestra en la figura 4.103 si seleccionó la opción
V. El voltaje de colector a emisor es de 13.19 V � 1.333 V � 11.857 V contra 12.22 V del
ejemplo 4.8. La diferencia se debe principalmente al hecho de que utilizamos un transistor real