Interruptor MOSFET PRACTICA

Vista previa del material en texto

Metepec Estado de México, a 19 de Noviembre de 
2015 
 
SEP SNEST DGEST 
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TOLUCA 
 
 
 
Ingeniería Electromecánica 
 
 
 
 
Electrónica Analógica 
 
 
 
 
Practica 3 Unidad 2: Mosfet como interruptor 
 
 
 
Profesora: Ing. Carla García Flores 
 
 
Equipo: 
De la Torre Archundia Jorge Israel 
Ortega García José Alfredo 
Rodríguez Valdez Roberto 
Vilchis Escobar Alex Ivan 
 
 
2 
 
2 
 
Marco Teórico 
  Mosfet 
 
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés 
Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para 
amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la 
industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el 
transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la 
totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores 
MOSFET. 
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador 
(D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está 
conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden 
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales. 
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo 
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. 
Véase Tecnología CMOS. 
 
 
 
 
 Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son: 
 
1. Resistencia controlada por tensión. 
2. Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). 
3. Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta. 
 
 
 
 
 
3 
 
3 
 
 
 
 
 Ventajas con respecto a transistores bipolares 
La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, 
NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de 
campo con respecto a los transistores bipolares: 
 
1. Consumo en modo estático muy bajo. 
2. Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media 
micra). 
3. Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño. 
4. Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una 
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del 
orden de los nanoamperios. 
5. Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con 
el ahorro de superficie que conlleva. 
6. La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los 
nanosegundos. 
7. Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta 
frecuencias y baja potencia.