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Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o como conmutadores de baja potencia. Como ejemplo se usan para controlar motores, accionar reveladores y producir sonidos en bocinas. Estos transistores son muy comunes y de uso general los cueles pueden encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como en radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc.
Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos diodos semiconductores.
Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia a las capas de material semiconductor que están construidos.
1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por una capa tipo “P”.
2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por una capa tipo “N”.
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).
– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.
-La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores inyectados que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la terminal del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las imágenes 1 y 2 podrás observar el esquemático del transistor tipo NPN – PNP y te darás cuenta que lo único que lo diferencia es la orientación de la flecha.
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se dice entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara de un interruptor abierto. El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado.
En la configuración de emisor común la entrada es por la base y la salida por el colector como se observa en la siguiente figura:
Listado de subtemas
1. Emisor común con polarización fija
2. Emisor común con polarización estabilizado en emisor
3. Emisor común con polarización por divisor de voltaje
4. Emisor común con polarización por realimentación de colector
5. Emisor común con polarización por realimentación de colector y de emisor
Presenta las siguientes características:
- Ganancia alta de voltaje.
- Ganancia alta de corriente.
- Inversión de señal de voltaje en la salida.
- No inversión de la señal de corriente en la salida.
- Impedancias de entrada grande.
- Impedancia de salida grande.
Aplicaciones: Un transistor en configuración emisor común se usa como amplificador de voltaje y corriente a bajas frecuencias, a altas frecuencias su comportamiento no es bueno debido al efecto Miller pero en combinación con un base común conforman la configuración cascode, que tiene el beneficio de la alta impedancia del emisor común y la buena respuesta a altas frecuencias del base común.
En un emisor común se pueden usar todas las polarizaciones ya que en ningún momento se pone en corto circuito la entrada o la salida, a diferencia de un base común o colector común en donde no se pueden usar todas las diferentes topologías de polarización.
FUNDAMENTOS FÍSICOS DEL EFECTO TRANSISTOR.
El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor base. 
. Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa (diodo B). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy pequeña (IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que llamaremos base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que circulaba por A (IA), va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo B. De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que por la base una corriente muy pequeña. El control se produce mediante este terminal de base porque, si se corta la corriente por la base ya no existe polarización de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto no circula corriente.
	
Configuración de emisor común.
En la configuración de emisor común, el emisor de transistor PNP es el terminal común tanto en el lado de entrada como en el lado de salida. La señal a amplificar se aplica entre la base y el emisor que forma el circuito de entrada, mientras que el voltaje de salida amplificado se desarrolla a través de la impedancia de carga en el colector a emisor que forma el circuito de salida.
La Figura 1 da el circuito básico de un CE amplificador utilizando resistencia de carga R C.
Para la figura 4.26, el transistor tiene β = 50 y se va a analizar la estabilidad.
	
PDT
El circuito de polarización por divisor de voltaje o de tensión, para un transistor PDT es como se muestra en la siguiente figura.
La polarización por divisor de voltaje es la polarización más estable respecto al punto de trabajo Q. Se puede usar en todas las configuraciones del transistor bjt, emisor común, base común, y colector común. Las ecuaciones básicas son las siguientes:
Ecuaciones para cuando se da el valor de las resistencias, y se pide hallar el valor del punto Q (IBQ, ICQ, VCEQ). La ecuación para IBQ es la siguiente:
El valor de ICQ está dado por la siguiente ecuación:
Y finalmente VCEQ es igual a:
Final del formulario
. Hallar en el siguiente circuito IBQ, ICQ y VCEQ. VCC tiene un valor de 16 voltios y hfe tiene un valor de 80.
Ahora hallamos el valor de ICQ:
Y finalmente hallamos VCEQ: