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UNIVERSIDAD CATOLICA SANTA MARIA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA
MECANICA, MECANICA ELECTRICA Y
MECATRONICA
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
GRUPO: 03
PRESENTADO POR:
SEMESTRE IMPAR 
AREQUIPA-PERU 
2021
OBJETIVOS
 Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un
transistor.
 Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT
 Analizar las características de transistores BJT
 Calcular la curva de los transistores BJT
MARCO TEÓRICO
TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como
los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos
transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada
tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo
siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico
de transistor.
Transistor NPN 
Transistor PNP
El transistor es un amplificador de corriente,
esto quiere decir que si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregará por otra (emisor), una
cantidad mayor a ésta, en un factor que se
llama amplificación. Este factor se llama b
(beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
 Ic (corriente que pasa por la patilla colector)
es igual a b (factor de amplificación) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).
 Ic = β * Ib
 Ie (corriente que pasa por la patilla emisor)
es del mismo valor que Ic, sólo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el
otro caso sale de él, o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que 
alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib 
cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para 
poder entender que a más corriente la curva es más alta
Regiones operativas del transistor
Región de corte:
Un transistor esta en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor 
es el voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente 
circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este caso 
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación:
Un transistor está saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic 
= Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de 
alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el 
colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm. Este caso 
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo 
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector
β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)
PROCEDIMIENTO
PARTE 1:
Identificación del transistor 
Identifique los terminales del transistor BJT
1= Colector 2=Base 3=Emisor
Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM
Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 
1. Registrar la lectura del DMM.
Tabla 1
Identificar las
características del Transistor en la siguiente tabla
Tabla 2. 
PARTE 2:
Esquem
a
+V
Vref
Rc2
Rb2
Rc1
Rb1
T1
Terminal
Rojo (+)
Terminal
Negro (-)
Lectura 
del DMM
1 2 -
2 1 862
1 3 -
3 1 -
2 3 868
3 2 -
Terminal Base 2
Terminal 
Colector 1
Terminal 
Emisor 3
Tipo de 
Transistor NPN
Material del 
Transistor Silicon
1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características 
del transistor: deducción del tipo de transistor (NPN o PNP en 
los BJT), configuración de cada patilla y  (hFE).
2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su
polaridad. Una vez conocida la correspondencia de cada patilla,
colocar adecuadamente en el multímetro para medir  en el
caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de
un PNP, de un NPN si son BJTs.
3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes 
características del transistor: tipo de transistor, configuración 
de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  
(hFE) y frecuencia de corte.
Datos del transistor: BC550
Tipo de
transistor
NPN
Potencia
máxima
500 mW
VCE máxima 45 V
IC máxima 200 mA
 (hFE) 420- 520- 800
Frecuencia de
corte
100 Hz
4. En el circuito, se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB 
alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma de VCE 
sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la 
corriente IC.
5. Grafique Vce vs Ic.
6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el 
multímetro, repitiendo el proceso para IB igual a 50uA, 
75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.
Tabla 3
Vce = 0
V
Vce =
0.5 V
Vce = 1
V
Vce =
1.5 V
Ib =
25uA
Ic = 1.8 mA 9.80 mA 10.0 mA 10.1 mA
Ib =
50uA
Ic = 1.8 mA 17.9 mA 20.4 mA 20.8 mA
Ib =
75uA
Ic = 1.8mA 22.9 mA 28.2 mA 30.2 mA
Ib =
125uA
Ic = 1.8 mA 31.6 mA 37.1 mA 42.3 mA
PARTE
3:
Características del Colector
1. Construya el circuito de la fig 2.
2. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto
fijará IB = VRB/RB a 10A como se indica en la Tabla 4.
3. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se 
indica en la primera línea de la Tabla 4.
4. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 4.
5. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V 
hasta los valores que aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es 
0 0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1 1 .2 1 .4 1 .6
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Ic vs Vce
25uA 50uA 75uA 125uA
Vce
Ic
mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.
6. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala 
de mV para VBE.
7. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en 
la Tabla 3. Cada valor de VRB establecerá un nivel diferente 
de IB para la secuencia de valores de VCE.
8. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de
IC = VRC / VC y el valor de IE = Ic + IB. Use los valores 
medidos de Rc.
9. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del 
transistor en la fig. 3 La curva es IC vs. VCE para los diferentes 
valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique 
cada valor de IB.
Variación de  y 
Para cada línea de la Tabla 3 Calcule los niveles correspondientes
de  y  usando las siguientes ecuaciones: 
 = Ic / IE
 = Ic / IB
Tabla 3
VRB
(V)
(med
ido)
IB (μA)
(calcul
ado)
VCE
(V)
(medi
do)
VRC
(V)
(medi
do)
IC (mA)
(calcul
ado)
VBE
(V)
(medi
do)
IE (mA)
(calcul
ado)
α
(calcula
do)
β
(calcula
do)
3.3 10 2 4.35 4.35 0.66 4.36 0,99770
64
435
3.3 10 4 4.45 4.45 0.65 4.46 0,99775
78
445
3.3 10 6 4.53 4.53 0.66 4.54 0,99779
73
453
3.3 10 8 4.62 4.62 0.64 4.63 0,99784
01
462
3.3 10 10 4.72 4.72 0.67 4.73 0,99788
58
472
3.3 10 12 4.79 4.79 0.66 4.80 0.99791
66
479
3.3 10 14 4.86 4.86 0.66 4.87 0,99794
66
486
3.3 10 16 FR FR FR FR FR FR
6.6 20 2 9.00 9.00 0.67 9.02 0,99778
27
450
6.6 20 4 9.10 9.10 0.66 9.12 0,99780
70
455
6.6 20 6 9.32 9.32 0.66 9.34 0,99785
86
466
6.6 20 8 9.60 9.60 0.66 9.62 0,99792
1
480
6.6 20 10 9.76 9.76 0.66 9.78 0,99795
50
488
6.6 20 12 FR FR FR FR FR FR
6.6 20 14 FR FR FR FR FR FR
9.9 30 2 13.20 13.20 0.68 13.23 0,99773
243
440
9.9 30 4 13.62 13.62 0.68 13.65 0,99780
22
454
9.9 30 6 13.98 13.98 0.68 13.41 1,04250
559
466
9.9 30 8 FR FR FR FR FR FR
9.9 30 10 FR FR FR FR FR FR
13.2 40 2 17.37 17.37 0.68 17.41 0,99770
247
434,25
13.2 40 4 FR FR FR FR FR FR
13.2 40 6 FR FR FR FR FR FR
13.2 40 8 FR FR FR FR FR FR
16.5 50 2 FR FR FR FR FR FR
16.5 50 4 FR FR FR FR FR FR
16.5 50 6 FR FR FR FR FR FR
16.5 50 8 FR FR FR FR FR FR
Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del 
transistor en la fig. 3 La curva es IC vs. VCE para los diferentes valores de 
IBSeleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de IB.
CUESTIONARIO FINAL
0 100 200 300 400 500 600
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
17.37
13.213.6213.98
99.19.329.69.76
1 La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las 
intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué representan?
• La característica que tiene la gráfica es que la corriente del colector
al momento de llegar un punto donde el voltaje satura al transistor,
esta corriente se estabiliza. La intersección con el eje X representa la
zona de corte y la intersección con el eje Y representa la zona de
saturación.
2 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 
75 y 125 uA?
• Mientras mayor sea la corriente de la base, mayor tendrá que ser la
corriente del colector para estabilizarse, además el voltaje colector
emisor tendrá que ser mayor para alcanzar esa estabilidad.
3 ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da 
esta caso en la práctica?
• Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima y
un voltaje colector emisor (Vce) máximo. 
 Si se logró ya que al momento de colocar la tensión del colector emisor
a su máximo valor el transistor dejaba de conducir.
4 Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se 
logra en la práctica?
• Un transistor en saturación tiene una corriente de colector (Ic)
máxima y un voltaje colector emisor (VCE) casi nulo.
 Si se logra obtener la saturación ya que a 0 voltios en Vce la corriente
del colector nos dio un valor de 1.8 mA.
5 Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la 
práctica.
Mientras mayor sea el valor de la corriente de base en su rango de
micro ampere este da un valor mayor en la corriente del colector,
claro variando siempre la tensión en colector emisor.
CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES
Conclusiones:
 Se logró reconocer los terminales de un transistor con un 
multitester.
 Se logró determinar los parámetros eléctricos de conductividad de
un transistor.
 Se logró determinar las características físicas y eléctricas de un 
transistor NPN
 Se logró analizar las características de transistor NPN
 Se logró realizar la curva de los transistor NPN
 Se logró reconocer el funcionamiento en saturado y en corte de un
transistor.
Observaciones:
Al momento de realizar el laboratorio se observó que al momento de 
que el voltaje colector emisor llegaba a su valor máximo (acercándose 
al valor de la fuente) este realizaba un corte de corriente evitando el 
paso, esto nos pareció extraño la primera ver pero siguiendo con el 
laboratorio nos dimos cuenta que podría ser el valor de corte.
Recomendaciones:
 Al momento de realizar el primer ejercicio nos dimos cuenta que el 
valor de la corriente de la base no cambiaba mientras que el valor de la 
tensión Vce si variaba cada ver que se regulaba el valor de la corriente 
del emisor, y fue necesario tener que realizar solo variando la tensión 
Vce y dejando estática la corriente de la base.