grupo 14-video4 - Mauricio Ortega Cruz

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Grupo 14 (IVA)Cuarta parte 
Cátedra de Química II 
 
• SiO2 (s) + 2 C (s)  Si (l) + 2 CO (g) 
 Silicio ultrapuro 
• Si (s) + 3 HCl (g)  SiHCl3 (g) + H2 (g) 
• SiHCl3 (g) + H2 (g) Φ Si (s) + 3 HCl (g) 
 
 
 
Ej 6 Obtención de Silicio 
Fusión zonal 
Ejercicio 7 (Dopado) tipo conductor? %m de P? 
Ge con impureza de P electrones 1.10 18 e/cm3 
Semiconductor tipo p  Ge = 5,36g /cm3 
Numero e en exceso numero átomo P que entraron 
Numero at.P= 1.1018 at/cm3 salen 1.1018 at Ge/cm3 
AGe= 72,61g/mol; AP=31,00g/mol 
 
Calculamos la masa de P que entra al solido 
mP entra=n° átomos P. AP= 1.1018 at/cm3 . 31g/mol = 5,15.10-5g 
 6,02.10 23 at/mol 
mGe sale =n° átomos Ge. AGe= 1.1018 at/cm3 . 72,61g/mol= 1,206.10-4g 
 6,02.10 23 at/mol 
 
Ahora calculamos la variación de masa 
m= m P entra- m Ge sale=5,15.10-5g - 1,206.10-4g= 
 - 6,91.10-5g( son los átomos de Ge 
desalojados) 
 
Ge-P= (m Ge - m)g/cm3= = (5,36 - 6,91.10-5) g/cm3=5,359g/cm3 
 5,359g 5,15.10-5gP 
 100g 9,61.10-4 % 
CO2 –SiO2 
Silicatos: ortosilicato (SiO4
-4) 
EjemploMg2SiO4 olivina 
Silicatos: disilicato o pirosilicato 
Metasilicato (SiO3)
 -2
n 
Piroxeno (Si2O6
-4) 
Mica (SiO2,5)
 - 
Anfíboles (Si2O5,5
-3) 
Ejercicio 9 
• ZrSiO4 
 
• Ba Ti Si3O9 3x (SiO3)
 -2meta silicato 
• 
• Mg3Si2O7 pirosilicato 
 
• K1,7Na0,3Zr Si6O15 mica Si6O15
-6
 Ξ 3x(Si2O5)
-2 
 
+2 +4 
+6 
+1,7 +0,3 +4