Descarga la aplicación para disfrutar aún más
Vista previa del material en texto
©2022 IEEE Circuitos Integrados Lineales: Práctica No. 9 El comparador de voltaje (Configuraciones con histéresis) Universidad de Guanajuato-Campus Salamanca Rogelio Manríquez Cobián Ingeniería en Sistemas Computacionales Universidad de Guanajuato - DICIS Salamanca, Guanajuato r.manriquezcobian@ugto.mx Abstract—En este documento se encontrará el tema desarrollado para comprender un comparador de voltaje utilizando distintas configuraciones con histéresis aplicando fundamentos y ejemplos. Keywords—comparador, histéresis, voltaje no inversor, voltaje inversor, voltaje configurable I. INTRODUCCIÓN Un comparador de voltaje es un dispositivo que proporciona una señal binaria de salida en función del resultado de la comparación de la señal de voltaje de entrada contra un voltaje de referencia. Frecuentemente, los comparadores de voltaje son utilizados para la realización eficiente de detectores de niveles de voltaje con histéresis, comparadores de ventana y osciladores RC. En esta práctica, se analizará e instrumentarán tres configuraciones de detectores de nivel de voltaje: El primero de ellos corresponde a un Detector de voltaje no inversor con histéresis, el cual proporciona una señal de salida en bajo mientras que la señal de entrada sea menor al nivel de voltaje de disparo superior (𝑉𝑖𝑛 < 𝑉𝐻𝑇), conmutando a un nivel de salida en alto cuando el voltaje de entrada sea superior a 𝑉𝐻𝑇 ; y regresará a un nivel de salida en bajo hasta que la señal de entrada sea menor al nivel de voltaje de disparo inferior 𝑉𝐿𝑇. La segunda estructura, es un Detector de voltaje inversor con histéresis, el cual proporciona una señal de salida en alto mientras que la señal de entrada sea inferior al nivel de voltaje de disparo superior (𝑉𝑖𝑛 < 𝑉𝐻𝑇 ), conmutando su salida a un nivel en bajo una vez que la señal de entrada es superior a 𝑉𝐻𝑇, regresando su salida a un nivel en alto una ve que la señal de entrada sea menor que el nivel de voltaje de disparo inferior 𝑉𝐿𝑇. En ambos casos las configuraciones a utilizar permiten diseñar un detector de nivel de voltaje configurable para fijar el voltaje central 𝑉𝐶 y el voltaje de histéresis 𝑉𝐻 , en función de dos parámetros a calcular ( 𝑉𝑅𝐸𝐹 y n). En la última parte de la práctica, se analizará e instrumentará un Detector de nivel de voltaje configurable en lo niveles de voltaje de histéresis y voltaje central en función de los parámetros n y m. En los tres casos, el detector de nivel de voltaje toma como parámetro de diseño el voltaje de histéresis (𝑉𝐻 ) y el voltaje central (𝑉𝐶), definidos por las ecuaciones: 𝑉𝐻 = 𝑉𝐻𝑇 − 𝑉𝐿𝑇 (1) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐻𝑇 + 𝑉𝐿𝑇 2 (2) Para la elaboración de esta práctica se utilizará un comparador con una configuración de salida a colector abierto, esta característica implica el uso de una resistencia de polarización a 𝑉𝐶𝐶 (pull-up). En la mayoría de los comparadores de baja potencia (LM311 o LM339), la corriente máxima que circula a través del transistor de salida del comparador no deberá superar los 15mA. En nuestro caso, limitaremos la corriente que circula a través del transistor de salida a 5mA, lo que conduce a utilizar una resistencia 𝑅𝑝𝑢𝑙𝑙−𝑢𝑝 = (𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐸𝐸)/5𝑚𝐴 ≅ 4,7𝑘Ω. II. FUNDAMENTO A. Parte I: Dectetor de nivel de voltaje no inversor con histéresis: La configuración que se utilizará se muestra en la Figura 1. En esta estructura, el voltaje de histéresis (𝑉𝐻𝑇) y el voltaje central (𝑉𝐶𝐶 ), son los parámetros de diseño que deberán dar lugar a determinar el voltaje de referencia (𝑉𝑅𝐸𝐹) y el factor de escala de resistencia (n), observar la Figura 2. Para encontrar la respuesta del detector, formulemos la ecuación de nodo en la terminal no inversora del comparador de voltaje, esta ecuación quedaría de la siguiente forma: 𝑉+ = [ 1 𝑅 + 1 𝑛𝑅 ] = 𝑉𝑖𝑛 [ 1 𝑅 ] + 𝑉𝑜𝑢𝑡 [ 1 𝑛𝑅 ] (3) Donde el voltaje de salida (𝑉𝑜𝑢𝑡) solo tiene dos niveles de voltaje posibles, expresados como 𝑉𝑜𝑢𝑡 = {𝑉𝑠𝑎𝑙 − , 𝑉𝑠𝑎𝑙 + }. El nivel de voltaje de disparo superior ( 𝑉𝐻𝑇 ) es obtenido resolviendo la Ec. (3) cuando 𝑉+ = 𝑉𝑅𝐸𝐹 , 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐻𝑇 y 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 − , eliminando el término R: 𝑉𝑅𝐸𝐹 [1 + 1 𝑛 ] = 𝑉𝐻𝑇 + 𝑉𝑠𝑎𝑙 − [ 1 𝑛 ] (4) 𝑉𝐻𝑇 = 𝑉𝑅𝐸𝐹 [ 𝑛 + 1 𝑛 ] − 𝑉𝑠𝑎𝑙 − [ 1 𝑛 ] (5) Figura 1: Detector de nivel de voltaje no inversor con histéresis. El nivel de voltaje de disparo inferior ( 𝑉𝐿𝑇 ) es obtenido resolviendo la Ec. (3) cuando 𝑉+ = 𝑉𝑅𝐸𝐹 , 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐿𝑇 y 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 + , eliminando el término R: 𝑉𝑅𝐸𝐹 [1 + 1 𝑛 ] = 𝑉𝐿𝑇 + 𝑉𝑠𝑎𝑙 + [ 1 𝑛 ] (6) 𝑉𝐿𝑇 = 𝑉𝑅𝐸𝐹 [ 𝑛 + 1 𝑛 ] − 𝑉𝑠𝑎𝑙 + [ 1 𝑛 ] (7) Sustituyendo las Ecuaciones (5) y (7) en (1) y (2) y resolviendo para n y 𝑉𝑅𝐸𝐹 , tenemos: 𝑛 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 + − 𝑉𝑠𝑎𝑙 − 𝑉𝐻 (8) 𝑉𝑅𝐸𝐹 = 𝑉𝐶 ( 𝑛 𝑛 + 1 ) + 𝑉𝑠𝑎𝑙 + − 𝑉𝑠𝑎𝑙 − 𝑛 + 1 (9) De esta forma, conociendo los voltajes de saturación positiva y negativa del comparador de voltaje (𝑉𝑠𝑎𝑙 + 𝑦 𝑉𝑠𝑎𝑙 − ) y los voltajes deseados de histéresis (𝑉𝐻) y voltaje de referencia (𝑉𝑅𝐸𝐹) y el factor n necesarios para obtener el detector de nivel de voltaje no inversor deseado. Figura 2: Respuesta del comparador de nivel de voltaje no inversor con histéresis. B. Parte II: Detector de nivel de voltaje inversor con histéresis: La configuración del detector de nivel de voltaje inversor de la Figura 3 presenta una respuesta a la señal de entrada como lo muestra la Figura 4. En esta configuración, la señal de entrada es aplicada a la terminal inversora del comparador, el cual conmuta su estado de acuerdo con la diferencia de potencial existente entre las terminales inversora (𝑉− ) y no inversora ( 𝑉+ ) del comparador de voltaje. En análisis de su comportamiento se determina obteniendo la ecuación de nodo en la terminal no inversora del comparador de voltaje, esta ecuación quedaría de la siguiente forma: 𝑉+ = [ 1 𝑅 + 1 𝑛𝑅 ] = 𝑉𝑜𝑢𝑡 [ 1 𝑛𝑅 ] + 𝑉𝑅𝐸𝐹 [ 1 𝑅 ] (10) Donde la salida del comparador de voltaje (𝑉𝑜𝑢𝑡) solo tiene dos niveles de voltaje de salida posibles, expresados como 𝑉𝑜𝑢𝑡 = {𝑉𝑠𝑎𝑙 + , 𝑉𝑠𝑎𝑙 − }. El nivel de voltaje de disparo superior ( 𝑉𝐻𝑇 ) se obtiene resolviendo la Ec. (10) cuando 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 + y 𝑉+ = 𝑉𝐻𝑇 , eliminando el término de R de ambos lados de la expresión, obtenemos: 𝑉𝐻𝑇 [1 + 1 𝑛 ] = 𝑉𝑠𝑎𝑙 + [ 1 𝑛 ] + 𝑉𝑅𝐸𝐹 (11) 𝑉𝐻𝑇 = [ 𝑉𝑠𝑎𝑙 + 𝑛 + 1 ] + [ 𝑛𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑛 + 1 ] (12) Figura 3: Detector de nivel de voltaje inversor con histéresis. El nivel de voltaje de disparo inferior ( 𝑉𝐿𝑇 ) es obtenido resolviendo la Ec. 10 cuando 𝑉+ = 𝑉𝐿𝑇 y 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 − , eliminando nuevamente el término R, tenemos: 𝑉𝐿𝑇 [1 + 1 𝑛 ] = 𝑉𝑠𝑎𝑙 − [ 1 𝑛 ] + 𝑉𝑅𝐸𝐹 (13) 𝑉𝐿𝑇 = [ 𝑉𝑠𝑎𝑙 − 𝑛 + 1 ] + [ 𝑛𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑛 + 1 ] (14) Sustituyendo las Ecuaciones (12) y (14) en (1) y (2) y resolviendo para n y 𝑉𝑅𝐸𝐹 , tenemos: 𝑛 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 + − 𝑉𝑠𝑎𝑙 − 𝑉𝐻 − 1 (15) 𝑉𝑅𝐸𝐹 = 𝑉𝐶 ( 𝑛 + 1 𝑛 ) − 𝑉𝑠𝑎𝑙 + − 𝑉𝑠𝑎𝑙 − 2𝑛 (16) De igual manera, conociendo los voltajes de saturación positiva y negativa del comparador de voltaje (𝑉𝑠𝑎𝑙 + 𝑦 𝑉𝑠𝑎𝑙 − ) y los voltajes deseados de histéresis (𝑉𝐻) y voltaje central (𝑉𝐶), pueden ser calculados el voltaje de referencia (𝑉𝑅𝐸𝐹) y el factor n necesarios para obtener el detector de nivel de voltaje inversor deseado. Figura 4: Respuesta del comparador de nivel de voltaje inversor con histéresis. C. Parte III: Detector de nivel de voltaje configurable en los niveles de voltaje de histéresis y voltaje central: La tercera configuración por analizar corresponde a un detector de nivel de voltaje no inversorcon configuración de los niveles de voltaje de disparo superior e inferior a través de los factores n y m. La estructura y su respuesta a la señal de entrada son mostrados en la Figura 5 y 6 respectivamente. Para determinar su comportamiento, se establece la ecuación de nodo para el voltaje presente en la terminal no inversora (𝑉+) del comparador de voltaje, la cual queda expresada de la siguiente forma: 𝑉+ = [ 1 𝑅 + 1 𝑛𝑅 + 1 𝑚𝑅 ] = 𝑉𝑜𝑢𝑡 [ 1 𝑛𝑅 ] + 𝑉𝑅𝐸𝐹 [ 1 𝑚𝑅 ] + 𝑉𝑖𝑛 [ 1 𝑅 ] (17) La ecuación puede ser considerablemente simplificada tomando 𝑉+ = 0, aplicando el modelo ideal del comparador ya que la terminal inversora del dispositivo se encuentra conectada a tierra (GND), de esta forma, la ecuación queda como sigue: 𝑉𝑜𝑢𝑡 [ 1 𝑛𝑅 ] + 𝑉𝑅𝐸𝐹 [ 1 𝑚𝑅 ] + 𝑉𝑖𝑛 [ 1 𝑅 ] = 0 (18) Figura 5: Comparador con ajustes independientes para la histéresis y el voltaje de referencia. El nivel de voltaje superior (𝑉𝐻𝑇) se obtiene sustituyendo 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐻𝑇 y 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 − en la Ec. (18), se elimina el término R y se resuelve para 𝑉𝐻𝑇, obteniendo: 𝑉𝐻𝑇 = − 𝑉𝑠𝑎𝑙 − 𝑛 − 𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑚 (19) El nivel de voltaje de disparo inferior (𝑉𝐿𝑇) se obtiene de forma similar, sustituyendo 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝐿𝑇 y 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 − en la Ec. (18), se elimina el término R y se resuelve para 𝑉𝐿𝑇, obteniendo: 𝑉𝐿𝑇 = − 𝑉𝑠𝑎𝑙 + 𝑛 − 𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑚 (20) Sustituyendo las Ecuaciones (19) y (20) en (1) y (2) y resolviendo para n y m, tenemos: 𝑛 = 𝑉𝑠𝑎𝑙 + − 𝑉𝑠𝑎𝑙 − 𝑉𝐻 (21) 𝑚 = 2𝑛𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑉𝑠𝑎𝑙 + + 𝑉𝑠𝑎𝑙 − + 2𝑛𝑉𝐶 (22) De esta forma, conociendo los voltajes de saturación 𝑉𝑠𝑎𝑙 + y 𝑉𝑠𝑎𝑙 − y los voltajes deseados de histéresis (𝑉𝐻) y voltaje central (𝑉𝐶), se calculan los factores n y m. Figura 6: Respuesta del comparador del nivel de voltaje no inversor con histéresis configurable en los voltajes central y de histéresis. 12/06/2022 III. DESARROLLO Y RESULTADOS Para facilitar la realización de los tres detectores de nivel de voltaje revisados en la sección anterior, ajustaremos los voltajes de alimentación del comparador de voltaje para que se cumpla la condición: 𝑉𝑠𝑎𝑙 + = −𝑉𝑠𝑎𝑙 − = 𝑉𝑠𝑎𝑙 . Este proceso se realizará considerando una resistencia de polarización (𝑅𝑝𝑢𝑙𝑙−𝑢𝑝) para el colector abierto del comparador de 2,2kΩ, como se muestra en la Figura 7. Figura 7: Configuración para ajustar 𝑉𝐶𝐶 y 𝑉𝐸𝐸 para obtener 𝑉𝑠𝑎𝑙 + = −𝑉𝑠𝑎𝑙 − = 𝑉𝑠𝑎𝑙 . A. Parte I: Detector de nivel de voltaje no inversor con histéresis: Realizar un detector de nivel de voltaje no inversor que cumpla con los parámetros de diseños especificados en la Tabla 1: Detector de nivel de voltaje no inversor 𝑽𝒔𝒂𝒍 𝑉𝑠𝑎𝑙 − -10V 𝑉𝑠𝑎𝑙 + +10V 𝑽𝑯 1.0V 𝑽𝑪 5.0V n 2( 𝑽𝒔𝒂𝒍 𝑽𝑯 ) 𝑽𝑹𝑬𝑭 𝑉𝑪 ( 𝒏 𝒏 + 𝟏 ) Tabla 1: Parámetros de diseño del detector de nivel de voltaje no inversor. B. Parte II: Detector de nivel de voltaje inversor con histéresis. Realizar un detector de voltaje inversor que cumpla con los parámetros de diseños especificados en la Tabla 2: Detector de nivel de voltaje no inversor 𝑽𝒔𝒂𝒍 𝑉𝑠𝑎𝑙 − -10V 𝑉𝑠𝑎𝑙 + +10V 𝑽𝑯 1.0V 𝑽𝑪 5.0V n 2( 𝑽𝒔𝒂𝒍 𝑽𝑯 ) − 𝟏 𝑽𝑹𝑬𝑭 𝑉𝑪 ( 𝒏 + 𝟏 𝒏 ) Tabla 2: Parámetros de diseño del detector de nivel de voltaje inversor C. Parte III: Detector de nivel de voltaje configurable en los niveles de voltaje de histéresis y voltaje central: Realizar un detector de nivel de voltaje no inversor configurable independientemente a través de los factores n y m que cumpla con los parámetros de diseños especificados en la Tabla 3. Detector de nivel de voltaje no inversor 𝑽𝒔𝒂𝒍 𝑉𝑠𝑎𝑙 − -10V 𝑉𝑠𝑎𝑙 + +10V 𝑽𝑯 1.0V 𝑽𝑪 5.0V n 2( 𝑽𝒔𝒂𝒍 𝑽𝑯 ) − 𝟏 m − 𝑉𝑹𝑬𝑭 𝑉𝑪 Tabla 3: Parámetros de diseño del detector de nivel de voltaje inversor. De acuerdo con las tablas anteriores, realizaremos los cálculos correspondientes para observar su possible comportamiento, para luego poder simularlo y llegar a un acuerdo de que se realizaron bien los cálculos: A. Parte I: Dectector de nivel de voltaje no inversor con histéresis: Detector de nivel de voltaje no inversor 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑉𝑠𝑎𝑡 − −10𝑉 𝑉𝑠𝑎𝑡 + +10𝑉 𝑉𝐻 1.0𝑉 𝑉𝐶 5.0𝑉 𝑛 2 ( 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐻 ) = 2 ( 10𝑉 1.0𝑉 ) = 20 𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑉𝐶 ( 𝑛 𝑛 + 1 ) = 5.0 ( 20 20 + 1 ) = 4.7619 Tabla 1: Parámetros de diseño del detector de nivel de voltaje no inversor. Circuito 1: Detector de nivel de voltaje no inversor histéresis. Señal 1: Detector de nivel de voltaje no inversor histéresis. B. Parte II: Detector de nivel de voltaje inversor con histéresis: Detector de nivel de voltaje no inversor 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑉𝑠𝑎𝑡 − −10𝑉 𝑉𝑠𝑎𝑡 + +10𝑉 𝑉𝐻 1.0𝑉 𝑉𝐶 5.0𝑉 𝑛 2 ( 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐻 ) − 1 = 2 ( 10𝑉 1.0𝑉 ) − 1 = 19 𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑉𝐶 ( 𝑛 + 1 𝑛 ) = 5 ( 19 + 1 19 ) = 5.2631 Tabla 2: Parámetros de diseño del detector de nivel de voltaje inversor. Circuito 2: Detector de nivel de voltaje inversor histéresis. Señal 2: Detector de nivel de voltaje inversor histéresis. Una característica de esta Señal 2 es que la señal de salida es inversora lo cual oscila con un voltaje negativo, esto pasa cuando la señal va subiendo y y la señal de entrada (voltaje) es bajo. C. Parte III: Dectector de nivel de voltaje configurable en los niveles de voltaje de histéresis y voltaje central: Detector de nivel de voltaje no inversor 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑉𝑠𝑎𝑡 − −10𝑉 𝑉𝑠𝑎𝑡 + +10𝑉 𝑉𝐻 1.0𝑉 𝑉𝐶 5.0𝑉 𝑛 2 ( 𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐻 ) − 1 = 2 ( 10𝑉 1.0𝑉 ) − 1 = 19 𝑚 − 𝑉𝑅𝐸𝐹 𝑉𝐶 = − (−10) 5 = 2 Tabla 3: Parámetros de diseño del detector de nivel de voltaje configurable. Circuito 3: Detector de nivel de voltaje configurable. Señal 3: Detector de nivel de voltaje configurable. En el caso de esta señal, podemos mencionar que la señal de salida (voltaje) está haciendo cambios de 10V y – 10V como lo tenemos en nuestras tablas. CONCLUSIÓN Al termino de esta práctica se estuvo realizando diversas configuraciones con la histéresis de la cual podemos mencionar una característica importante de la cual la salida del amplificador operacional oscila entre los dos estados de saturación posibles, +Vcc y -Vcc, asumiendo que se activa el disparar dependiendo la configuración utilizada. Desarrollarlo en simulación hace que la práctica sea más sencilla porque podemos ver que los cálculos que habíamos hecho de acuerdo para el circuito, son los correctos y esperados al observar las señales obtenidas, de las cuales entendimos su comportamiento ideal. REFERENCIAS [1] J. Kemmerly y W. Hayt, Engineering Circuit Analysis, 6a ed. McGraw- Hill Publishing Co., 2001. [2] Instruments, T. (1977, February). TL08xx FET-Input Operational Amplifiers SLOS081M datasheet.[Online]. Available: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tl082.pdf?ts=1647779707446. [3] John C C Nelson,Operational Amplifier Circuits: Analysis and Design, Butterworth-HeinemannEd., 1995. [4] Robert F Coughlin & Frederick F Driscoll,Amplificadores Operacionales y Circuitos Integra-dos Lineales, 4taEd., Prentice-Hall, 1993. [5] Sergio Franco, Design with Operational Amplifiers and Analog Integrate [6] J. V. Wait, L.P. Huelsman, and G.A. Korn. Introduction to Operational Amplifier Theory and Aplications. New York. Mc -Graw Hill Book Company, [7] .J Huijsing, Operational Amplifiers. Springer, 2011. https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tl082.pdf?ts=1647779707446
Compartir