POLARIZACION DEL TRANSISTOR BJT

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PRACTICA 2.- POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
	Unidad de aprendizaje:
	Unidad. - Semiconductores de Potencia
	Número:
	1
	
	Práctica:
	POLARIZACION CON DOS FUENTES (PNP)
POLARIZACION CON UNA FUENTE (PNP)
· POLARIZACION CON PARTIDOR DE TENSION (NPN)
· AUTOPOLARIZACION DEL TRANSISTOR (NPN)
· POLARIZACION CON RESISTENCIA DE EMISOR (NPN)
	Número:
	2
	
	Propósito de la práctica:
	comprobar el funcionamiento de los transistores con los diferentes métodos de polarizarlo 
	
	Escenario:
	Laboratorio de Electrónica
	Duración:
	1 hr.
	Materiales, herramientas, instrumental, maquinaria y equipo
	· Resistencias
· Transistores PNP y NPN transistor bipolar 2N3906, 2N3904
· Protoboard.
· Cables de conexión para montaje.
· Pelacables.
· Multímetro.
· 2 Fuente de alimentación
· Potenciómetro
	Marco teórico
	POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
· La selección del punto de trabajo de un transistor se realiza a través de diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones y corrientes.
· La polarización con una fuente sin resistencia de emisor es poco recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva térmica que autodestruye el transistor.
· La polarización con una fuente es mucho más estable, aunque el que más se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarización.
· La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturación al mantener su tensión colector-base positiva.
A continuación, se muestran esquemas de polarización y algunas fórmulas para poder implementar estos circuitos.
La polarización con una fuente (con resistencia de emisor)
La polarización con dos fuentes (con resistencia de emisor)
La polarización con divisor de tensión (con resistencia de emisor)
	Metodología
	
· Construya el siguiente circuito
· Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica POLARIZACION CON DOS FUENTES (PNP) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS
 (MATEMATICO) (PROTEUS)
	Vce = 10 V
	PRc = 0.27 W
	
	Vce = 9.5 V
	PRc = 0.285 W
	Ib = 0.097 mA
	Rb = 155 K
	
	Ib = 0.064 mA
	Rb = 160.93 K
	Rc = 300 Ω
	
	
	Rc = 316.66 Ω
	
Tabla 1 de Resultados
· Construya el siguiente circuito
· Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica POLARIZACION CON UNA FUENTE (PNP) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS.
 (MATEMATICO) (PROTEUS)
	Vce = 7.5 V
	PRc = 0.1875 W
	
	Vce = 7.45 V
	PRc = 0.2815 W
	Ib = 0.0833 mA
	Rb = 171.66 K
	
	Ib = 0.0811 mA
	Rb = 169.43 K
	Rc = 300 Ω
	Ie = 25.0833 mA
	
	Rc = 303.21 Ω
	Ie = 24.5811 mA
	IbMax= 0.087 mA
	VRc = 8.25 V
	
	IbMax = 0.85 mA
	VRc = 8.2 V
Tabla 2 de Resultados
· Construya el siguiente circuito
· Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica POLARIZACION CON PARTIDOR DE TENSION (NPN) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS.
 (MATEMATICO) (PROTEUS)
	Vth = 10 V
	R2 = 140 K
	
	Vth = 9.8 V
	R2 = 138 K
	Ib = 0.13 mA
	R1 = 140 K
	
	Ib = 0.15 mA
	R1 = 138 K
	Ie = 27.43 mA
	
	
	Ie = 26.84 mA
	
	Req = 75000Ω
	
	
	Req = 74989Ω
	
· Construya el siguiente circuito
· Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica AUTOPOLARIZACION DEL TRANSISTOR (NPN) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS.
 (MATEMATICO) (PROTEUS)
	Vce = 7.5 V
	Ie = 25.064 mA
	
	Vce = 7.45 V
	Ie = 24.0544 mA
	Ib = 0.064 mA
	Rb = 106.25 K
	
	Ib = 0.0544 mA
	Rb = 169.43 K
	Rc = 300 Ω
	
	
	Rc = 305.01 Ω
	
· Construya el siguiente circuito
· Complete la siguiente tabla obteniendo los datos que se muestran a continuación de la practica POLARIZACION CON RESISTENCIA DE EMISOR (NPN) y comparándolos con la simulación echa en PROTEUS.
 (MATEMATICO) (PROTEUS)
	Vce = 10 V
	Ie = 10.044 mA
	
	Vce = 909 V
	Ie = 9.085 mA
	Ib = 0.044 mA
	Rb = 390 K
	
	Ib = 0.0394 mA
	Rb = 387 K
	Rc = 300 Ω
	VcR = 2 V
	
	Rc = 305.01 Ω
	VcR = 2 V
	VRb = 17.3 V
	Re = 198 Ω
	
	VRb = 18.15 V
	Re = 190 Ω
	
Observaciones y/o conclusiones:
La demostración resultó todo un éxito, teniendo en cuenta que el HFE (hFE =perdidas de corrientes y voltajes por temperaturas, (hFE =ß factor de Amplificación). de los transistores altera los voltajes que se miden o quizá puede ser por agentes externos como la temperatura que provoca que el funcionamiento del transistor no sea el óptimo. Esto quiere decir que no son exactos los voltajes medidos con respecto a los calculados, pero la variación que se produce no es tan grande que se diga como para alarmarse y decir que el transistor no está funcionando correctamente.