MOSFET de canal inducido

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MOSFET de canal inducido
MOSFET de canal inducido: funcionamiento 
VD = 0
0 < VD << Vdsat
VD = Vdsat
VD > VDsat
MOSFET: curvas características de salida
MOSFET: curvas características de salida
MOSFET: parábola límite y curva de transferencia
 PARÁBOLA LÍMITE CURVA DE TRANSFERENCIA 
Conductancia de salida
Curvas características de salida: carga en el sustrato
MOSFET: Teoría de la carga exacta
MOSFET de canal inducido: curvas características reales
 Curva de transferencia Curvas características de salida 
MOSFET: modelo para señales débiles en baja frecuencia
En baja frecuencia ig = 0 e id es función de VD y VG
 id = gd vd + gm vg
Circuito equivalente de alta frecuencia
MOSFET: modelo para señales débiles en alta frecuencia 
La fmax de operación es por definición aquella a la cual la ganancia de corriente de cortocircuito (Vds = 0) es unitaria.
 Del gráfico (c)
id / ig | vds = 0 = 1
Donde gm = K (VG – VT) = K VD ; K = Z. m . Có / L ; Có = Co / A y A = Z . L