Organização de Memórias

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TECNOLOGÍA
DE
COMPUTADORAS
ORGANIZACIÓN DE
LOS SISTEMASLOS SISTEMAS
DE COMPUTADORAS
MEMORIA PRIMARIA
Unidad básica de Memoria:
• Bit (Binary digit). Puede tomar sólo 2 valores: 0 ó 1. 
• BCD (Decimal codificado en binario). Utiliza 4 bits (16 
combinaciones) para codificar de 0 a 9 (6 combinaciones 
no se usan).
MEMORIAS
• CLASIFICACIÓN:
• MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL
• MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO
MEMORIAS
• MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO:
• Memorias de Lectura/Escritura (RAM) 
• Memorias de sólo lectura (ROM)
• Memorias de sobre todo lectura (PLDs)
MEMORIAS
Memorias de Lectura/Escritura:
– DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos 
se almacenan como en la carga de un capacitor. Tiende 
a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de 
refresco periódico. Son más simples y baratas que las refresco periódico. Son más simples y baratas que las 
SRAM.
– SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se 
almacenan formando biestables, por lo que no require 
refresco. Igual que DRAM es volátil. Son más rápidas 
que las DRAM y más caras.
MEMORIAS
Memorias de sólo lectura:
– ROM (Read Only Memory): se usan principalmente en 
microprogramación de sistemas. Los fabricantes las 
suelen emplear cuando producen componentes de 
forma masiva.forma masiva.
– PROM (Programmable Read Only Memory): El 
proceso de escritura es eléctrico. Se puede grabar 
posteriormente a la fabricación del chip, a diferencia de 
las anteriores que se graba durante la fabricación. 
Permite una única grabación y es más cara que la ROM.
MEMORIAS
Memorias de sobre todo lectura:
– EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): 
Se puede escribir varias veces de forma eléctrica, sin 
embargo, el borrado de los contenidos es completo y a 
través de la exposición a rayos ultravioletas (suelen tener través de la exposición a rayos ultravioletas (suelen tener 
una pequeña “ventanita” en el chip).
– EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read 
Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a 
byte con corriente eléctrica. Es más cara que la EPROM.
– Memoria FLASH: Está basada en las memorias EEPROM 
pero permite el borrado bloque a bloque y es más barata y 
densa.
MEMORIAS
• Organización en palabras de l bits (Data Bus: d líneas)
• # líneas de datos d = l
• Selección de las 2n palabras (Address Bus: n líneas)• Selección de las 2palabras (Address Bus: n líneas)
• # palabras m = 2n (n líneas de direcciones)
• Capacidad de la memoria: 2n x d celdas básicas
• # total celdas c = m l
Códigos para corrección de errores:
• Para detectar y corregir posibles errores se agregan bits de 
paridad o verificación. 
• Hamming ideó un método para detección y corrección de 
errores. 
Memoria caché:
• Históricamente las CPU fueron siempre más veloces que las 
memorias. Para evitar accesos a la memoria se utilizan memorias 
caché (rápidas pero costosas) cerca de la CPU, sólo si no se 
encuentra en el caché se accede a la memoria.
• Principio de localidad.
• Caché unificado ó dividido (instrucciones y datos).
• Niveles de caché.
Circuitos básicos de Memoria