Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturación de 5 nA a 25 C. Calcule la corriente inversa de saturación a 100 C.
Solución:
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Un diodo de silicio tiene una corriente inversa de saturación de 5 nA a 25 C. Calcule la corriente inversa de saturación a 100 C.
Solución: La corriente inversa de saturación se duplica por cada aumento de 10 C. Por tanto, es igual a 10 nA a 35 C, 20 nA a 45 C, 40 nA a 55 C, 80 nA a 65 C, 160 nA a 75 C, 320 nA a 85 C, 640nA a 95 C, 1,28 µA a 100 C. Recuerde que la regla sólo es una aproximación. Para obtener mayor precisión se puede emplear la regla del incremento del 7 por 100 por cada grado de aumento de temperatura. En este caso, IS = 1,07·1,07·1,07·1,07·1,07·640 nA = 1,075·5 nA = 799 nA
La corriente inversa de saturación a 100 °C es de 1,28 µA. Esta se obtiene al duplicar la corriente inversa de saturación por cada aumento de 10 °C, lo que resulta en 1,28 µA a 100 °C.
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