Existe una relación entre la absorción óptica y la banda prohibida en semiconductores, y uno de los métodos más usados para encontrar el ancho de banda prohibida, es aquel que consiste en proyectar la zona lineal de la zona de absorción ((αhν)2(eV/cm)2) sobre el eje de las longitudes de onda expresado en unidades de energía (hv(eV)), este método se conoce como el método de Tauc [42, 44] (Figura 5.4) , de la figura 5.5 se observa que el contenido de cobalto con respecto a la muestra de ZnO puro genera un desplazamiento de Eg a menores valores, así observamos que el ancho de banda para una concentración de 0,01 de cobalto es de 3.80 eV; mientras que para el ZnO puro es decir 0,00 de cobalto se obtiene un valor de 3.93 eV; para 0,03 de cobalto un valor de 3.90 eV; para 0,05 un valor de 3.87 eV y para 0,10 un valor de 3.75 eV (Tabla N 5.1) la disminución en el ancho de banda prohibida se debe a las interacciones de intercambio entre los electrones de las bandas y electrones d localizados del ion Co2+.[42], Amalia [56] en nanopartículas de ZnO dopadas con Co (5%, 10%, 15%) obtenidas por ruta química alternativa, “simultaneous addition of reactants” (SimAdd). muestra una disminución de la banda prohibida del ZnO puro (3.2 eV) con respecto a las muestras dopadas con Co (2.6 eV para 5%, 2.25 eV para 10%, 2.0 eV para 15%). Rajendar [57] mediante espectroscopia de UV- vis para nanopartículas de ZnO dopadas con Co (5%, 7%, 9%) obtenidas mediante el método Sol-gel de auto combustión, encuentra que las energías de la banda prohibida disminuyen según la concentración de Co (3.27 para 5%, 3.24 para 7%, 3.22 para 9%) con respecto a la del ZnO puro (3.29 eV).