Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de impurificación, llamado dopaje, consistente en introducir átomos...

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de impurificación, llamado dopaje, consistente en introducir átomos de otros elementos, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes con el fin de cambiar su conductividad. El semiconductor con impurezas obtenido se denominará semiconductor extrínseco y la conductancia originada por la impureza introducida, lleva el nombre de conductibilidad por impurezas o extrínseca, evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo a un correspondiente átomo. Según la impureza llamada dopante distinguimos: Semiconductor Tipo n, se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres en este caso negativos o electrones, es decir la cantidad de electrones desprendidos de la impureza será bastante mayor que la cantidad de electrones y huecos formados por la ruptura de los enlaces de valencia, debido a esto los electrones tendrán un papel dominante en la conductancia del cristal, y, por eso se llaman portadores de cargas mayoritarios, en tanto que los huecos, portadores de cargas minoritarios, tal semiconductor se llama por exceso o de tipo “n”, y la impureza que entrega electrones lleva el nombre de donadora.