Investigación elementos de electrónicos de silicio

Vista previa del material en texto

Instituto Politécnico Nacional 
 
Unidad Profesional Interdisciplinaria en 
Ingeniería y Tecnologías Avanzadas 
 
 
Nombre: Lugo Ponciano Cristian 
 
 
Asignatura: Estructura y Propiedad de los 
Materiales 
 
 
Profesor: Del Villar Santos Carlos Raúl 
 
 
Grupo 1MV1 
 
 
Turno Vespertino 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Elaboración de circuitos integrados a base de silicio 
Los circuitos integrados (CI o IC) son 
dispositivos "comprimidos" en una micro 
plaqueta (chip) que realizan la misma función 
que un circuito compuesto de transistores, 
diodos, resistencias, etc., cuyo número puede 
llegar a superar el millón de componentes. 
En los circuitos integrados monolíticos todos los componentes se encuentran en 
una sola pastilla de silicio. Para fabricar un circuito integrado monolítico se parte de 
una lámina de silicio denominada "oblea" la cual a su vez está dividida en un gran 
número de plaquetas cuadradas o chips, cada uno de los cuales va a constituir un 
CI. Por lo tanto, con una oblea se puede fabricar a la vez un montón de CI. 
Para la fabricación de un Circuito Integrado MOS (con 
elementos de canal N de enriquecimiento) se utiliza un 
sustrato de Silicio de tipo N. 
Las imperfecciones técnicas del apantallado y de la difusión 
limitan la frecuencia de trabajo de los MOS tradicionales, ya 
que es imposible limitar el recubrimiento del surtidor y del drenador por el graduador. 
El MOS implantado no presenta tales inconvenientes y por lo tanto las capacidades 
inter - electrónicas disminuyen considerablemente, lo que permite reducir el tiempo 
de conmutación por lo menos la mitad. 
Para la fabricación de un CI/MOS de nitruro se realiza un 
"Sándwich" de nitruro y dióxido de silicio. 
Los CI monolíticos se realizan con un sustrato 
semiconductor. Evidentemente, la utilización de un aislante 
permite mejorar sus características: ausencia de corrientes 
de fuga, eliminación de elementos parásitos. 
Se examina el proceso de fabricación de un diodo implantado. A igualdad de 
dopados, los diodos implantados poseen una tensión de ruptura inversa superior a 
la de los diodos difusos.