DIODES AND RECTIFIERS

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Biomedical Engineering
ELECTROPHYSICS AND
ELECTROMECHANICS
Task 02: Diodes and Rectifiers
Lab Instructor: Ing. Diego Almeida Ph.D
Developed by: Ing. Diego Almeida Ph.D and Graciela Salum Ph.D
Group:
● Adriana Estrella
● Evelyn González
● Alejandro Lojan
● Nataly Lopez
Diodos:
1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y en
qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de galio.
2. Con sus propias palabras, defina un material intrínseco, coeficiente de temperatura
negativo y enlace covalente.
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3. Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.
4. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico. ¿Cuál es el
resultado?
5. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones de
polarización en directa y en inversa en un diodo de unión p-n y cómo se ve afectada la
corriente resultante.
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6. A una temperatura de 27°C (temperatura común para componentes en un sistema de
operación cerrado), determine el voltaje térmico .𝑉
𝑇
7. Determine la corriente en el diodo a 20°C para un diodo de silicio con y una𝐼
𝑠
= 50𝑛𝐴
polarización en directa aplicada de 0.6 V.
8. Determine la corriente a 20°C en un diodo de silicio con con un potencial de𝐼
𝑠
= 0. 1𝑚𝐴
polarización en inversa de -10 V.
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9. Calcular la resistencia interna de un diodo de silicio, cuya curva característica en la región
de polarización directa se muestra en la siguiente figura.
10. Calcular la recta de carga para el siguiente circuito electrónico.
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11. Para la configuración de diodos en serie de la siguiente figura, determine , , e .𝑉
𝐷
𝑉
𝑅
𝐼
𝐷
12. Repita el ejercicio anterior, pero con la corriente invertida (sentido contrario).
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13. Para la configuración de diodos en serie de la siguiente figura, determine VD, VR e ID.
14. Determine ID, y Vo para el circuito de la siguiente figura
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15. Determine I, V1, V2 y Vo para la configuración en serie DC de la siguiente figura.
16. Determine Vo, I1, e para la configuración de diodos en paralelo de la siguiente𝐼
𝐷1
𝐼
𝐷2
 
figura.
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17. Determine la corriente I para cada una de las configuraciones de la siguiente figura
utilizando el modelo equivalente del diodo.
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18. Determine el nivel de Vo para cada una de las redes de la siguiente figura.
19. Determine Vo1, Vo2 e I para la red de la figura
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20. Encontrar el voltaje de salida Vo y la intensidad ID que pasa por cada uno de los diodos del
circuito. Los diodos son de GaAs (cuya tensión de activación es de 1 V).
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Diodos rectificadores:
21. El transformador tiene las características que se indican a continuación, el número de
vueltas en la bobina primaria es igual a 9 y el número de vueltas de la bobina secundaria es
igual a 1. Calcular el voltaje de salida si el voltaje de entrada es 220 V. Además, indicar que
tipo de transformador es. Y, Calcular el voltaje máximo.
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22. Con los datos del ejercicio anterior. Encontrar el voltaje , , y la corriente del𝑉
𝐿
𝑉
𝐷
𝑉
𝐶𝐷
circuito rectificador.
23. Trace la salida Vo y determine el nivel de cd para la red de la siguiente figura utilizando la
primera aproximación (diodo ideal). Repita la con el diodo ideal reemplazado por un diodo
de silicio.
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24. Para la red de la siguiente figura; trace Vo y determine Vcd e iR.
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25. Determine la forma de onda de salida para la red de la siguiente figura y calcule el nivel de
cd de salida y el PIV requerido de cada diodo.
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26. Trace Vo para la red de la siguiente figura y determine el voltaje de cd disponible.
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27. Determine el voltaje de salida de la siguiente red si la señal aplicada es una onda cuadrada
(Este ejercicio es un recortador).