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09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 1 Tiristores Electrónica de Potencia 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 2 Introducción Definición: El tiristor (SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposición PNPN. Está formado por tres terminales, llamados Anodo, Cátodo y Puerta. El instante de conmutación, puede ser controlado con toda precisión actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal y rectificador. 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 3 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 4 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 5 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 6 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 7 La característica real V – I del tiristor está representada en la figura: 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 8 POR EJEMPLO SIENDO: VDRM: VDSM: VDWM: VRRM: VRSM: VRWM: VD : VR : 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 9 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 10 Conducción Bloqueo directoBloqueo inverso Estructura y caracteristica V-I En la fabricación se emplean técnicas de difusión y crecimiento epitaxial. El material básico es el Si. 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 11 21 CO2CO1G2 A 1 III I 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 12 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 13 Características estáticas: Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento en en límite de sus posibilidades: VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IR, Tj, IH. Identifica estos parámetros en la hojas de características de los SCR adjuntos 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 14 Características de control: Determinan la naturaleza del cto de mando que mejor responde a las condiciones de disparo. Para la región puerta - cátodo los fabricantes definen entre otras las siguientes características: VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT (VGD), IGT, IGNT (IGD) VGNT (VGD) e IGNT (IGD) que dan los valores máximos de corriente y de tensión, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 15 Características de control Dentro de esta zona encontramos una parte en la cual el disparo resulta inseguro Esta corriente mínima disminuye al aumentar la temperatura: GM G(AV) P P 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 16 Observar las curvas y parámetros de puerta de las hojas de características adjuntas( SKT10 de Semikron) 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 17 Angulo de Conducción La corriente y la tensión media de un tiristor variarán en función del instante en el que se produzca el disparo, es decir, todo va a depender del ángulo de conducción. La potencia entregada y la potencia consumida por el dispositivo, también dependerán de él: cuanto mayor sea éste, mayor potencia tendremos a la salida del tiristor 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 18 Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción deberá circular una corriente mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de bloqueo directo. Los distintos métodos de disparo de los tiristores son: 7.6.1.- Por puerta. 7.6.2.- Por módulo de tensión. (V) 7.6.3.- Por gradiente de tensión (dV/dt) 7.6.4.- Disparo por radiación. 7.6.5.- Disparo por temperatura. El modo usado es el disparo por puerta. Los disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no deseados. Métodos de disparo: Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 19 Características de conmutación: Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conducción y viceversa. A.- Tiempo de Encendido (tON) El tiempo de encendido (paso de corte a conducción) tON, lo dividimos en dos partes: A1.- Tiempo de retardo. (td) A2.- Tiempo de subida. (tr) 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 20 B.- Tiempo de Apagado (tOFF) Es el tiempo de paso conducción a corte Dividimos el tiempo de apagado en dos: B1.- T de recuperación inversa. (trr). B2.- T de recuperación de puerta. (tgr). grrroff ttt qt 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 21 Características de conmutación: Es aconsejable tratar de indentificar los parámetros de conmutación en las hojas de características 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 22 La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: Por reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulación de la corriente de ánodo. Parámetros que influyen sobre toff: Corriente en conducción (IT). Tensión inversa (VR). Velocidad de caída de la corriente de ánodo dI/dt. Pendiente de tensión dVD/dt. Temperatura de la unión Tj o del contenedor Tc. Condiciones de puerta. 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 23 En ctos donde el valor de dV/dt sea superior al valor dado por el fabricante, se pueden utilizar ctos supresores de transitorios. Se conectan en bornes de la alimentacion, en paralelo con el semiconductor o en paralelo con la carga. Una solución muy utilizada en la práctica es conectar en paralelo con el tiristor un cto RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas de tensión en los extremos del semiconductor: Limitaciones del tiristor Las más importantes son debidas a: Frecuencia de funcionamiento. Sobretensiones y pendiente de tensión (dV/dt). Pendiente de intensidad (dI/dt). Temperatura. 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 24 Limitaciones del tiristor 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 25 Limitaciones del tiristor: frecuencia 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 26 MÉTODOS PARA EL CÁLCULO DE LOS ELEMENTOS DE PROTECCIÓN: A.- Método de la constante de tiempo (más utilizado). B.- Método resonante. A.- Método de la constante de tiempo Con éste método tratamos de buscar el valor mínimo de la constante de tiempo () de la dV/dt del dispositivo. Para ello, nos basamos en la figura: min DRM dt dV V0.63 LR C KII V R LTSM Amáx K= F de seguridad. (0.4 ... 0.1) C dt dI V R Amáxmin La misión de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce la descarga instantánea del condensador al inicio de la conducción. 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 27 Limitaciones de la pendiente de intensidad (dI/dt) Una variación rápida de la intensidad puede dar lugar a una destrucción del tiristor.(creación de puntos calientes) Un procedimiento posible es añadir una inductancia L para conseguir que la pendiente de la intensidad (dI/dt) no sobrepase el valor especificado en las características del estado de conmutación. L tR A e1 R V I máx A dt dI V L 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 28 Extinción del tiristor. Tipos de conmutación. Entenderemos por extinción, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en conducción a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo. Conmutación Natural -a.-) Libre -b.-) Asistida Conmutación Forzada -a.-) Por contacto mecánico -b.-) Por cto resonante -Serie -Paralelo -c.-) Por carga de condensador -d.-) Por tiristor auxiliar intensidad por el tiristor se anula por si misma Secuencia lógica de la fuente primaria 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 29 Conmutación forzada. Para provocar la conmutación del tiristor, será necesarioanular la corriente anódica durante un tiempo suficiente para que el tiristor pueda pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, puesto que si su duración es inferior a un valor determinado por toff (valor intrínseco al tiristor utilizado) no tendrá lugar la conmutación del dispositivo. 09/05/07 Dr. Bartolomé Sáenz Loayza 30 TRIAC GTO ZTO FOTOTIRISTORES SITH ASCR MCT TRIAC Dispositivo de tres terminales con capacidad de controlar el paso de corriente en ambas direcciones (dispositivo bidireccional), muy utilizado en la regulación de corriente alterna.
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