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Fotoconductividad Marlon A. Ramos.∗ Universidad de los Andes, departamento de física, Bogotá D.C, Colombia. (Dated: November 11, 2020) En el siguiente informe se estudiará la fotoconductividad producida por iluminar un semiconductor con una fuente electromagnética, en este caso, luz visible. Este proceso es muy importante debido a que las propiedades del semiconductor, como su resistencia cambian dependiendo de la energía de la luz que lo ilumina. A demás, este fenómeno fue uno de los principales influyentes de la creación, tiempo después de las células fotoeléctricas. Keywords: Willoughby Smith, fotoconductividad, semiconductor, bandas de conducción, bandas de valencia, portadores de carga, irradiacia, ley de Ohm. I. INTRODUCCIÓN La fotoconductividad, es decir, el cambio en la conductividad producto de la luminiscencia con fotones con energia promedio igual a la banda prohibida de un semiconductor. Es el efecto por el cual un material semiconductor mejora su conductividad eléctrica debido a la absorción de la radiación electromagnética que excita a los fotoelectrones a la banda de conducción (BC) y fotohuecos a la banda de valencia (FCP). Este efecto fue observado por primera vez por el ingeniero eléctrico inglés Willoughby Smith en una placa de selenio, y que sirvió de base para la creación, junto con el efecto fotoeléctrico, de la célula fotoeléc- trica. Matemáticamente, la relación que describe la fo- tocorriente y el vontaje aplicado a un semiconductor es: Iph = U R = A d ∆σU (1) La cuál es la misma Ley de Ohm, donde A es el área transversal, d la longitud y donde: ∆σ = ∆peµp + ∆neµn Y µ: µ = vd E , El cuál caracteriza la rápidez con la que se mueven los portadores de carga cuando se aplica un campo eléc- trico. ∗ Correspondence email address: ma.ramosj@uniandes.edu.co II. MONTAJE Y EXPERIMENTO En este experimento, el montaje utilizado será conec- tar, de la forma en la que se observa en la Figura 1, en la parte a la lámpara, b la rejilla ajustable, c y d los polarizadores, e el lente focal y f la fotorresistencia. Con este montaje, se tomará dos series de datos para el análisis posterior. En la primera parte, se va a medir la fotocorriente a irradiancia constante. Para esto, primero se calibrará el montaje midiendo la fotocorriente generada por luz general. Luego de esto, se medirá la fotocorriente variando el voltaje del sistema en intervalos de 1V hasta llegar a cero, luego se repetirán las medidas pero esta vez variando los ángulos de polarización de la luz. Que funcionará como la primera serie de datos, en donde se analizará como varía la resistencia al variar el voltaje. Luego, para la segunda serie de datos, o en la se- gunda parte del experimento, se medirá la fotocorriente a voltaje constante. Con lo cual, primero se medirá la fotocorriente variando los ángulos de los planos de polarización en intervalos de 10°. Para luego, repetir el mismo procedimiento disminuyendo el voltaje en intervalos pequeños hasta llegar a 0V. En este caso, se observará como varía la fotocorriente con el cos2(θ) y así saber si la fotocorriente se relaciona lineal o polinomicamente con la irradiancia. Figure 1. Montaje experimental.[1] mailto:ma.ramosj@uniandes.edu.co 2 III. RESULTADOS Y ANÁLISIS En esta sección se muestra los cálculos realizado para determinar el valor de la resistencia para la fotocorriente en función del voltaje dado, a demás de la descripción del comportamiento de la fotocorriente cuando vari- amos el ángulo de incidencia de la luz, conociendo los valores necesarios para utilizar la ecuación (1). Para la primera parte del experimento Figure 2. En la gráfica se muestran los datos obtenidos ex- perimentalmente para la fotocorriente en función del voltaje para distintos ángulos de incidendia de la luz. Del mismo modo, en este caso, los set de datos tienen los nombres del ángulo de incidencia de la luz, y se relacionan con su regre- sión líneal respectiva a través del nombre "Pronóstico". Figure 3. En esta figura se muestran los residuales para cada regresión líneal hecha a los datos experimentales obtenidos, en esta se puede observar que ninguna de las residuales tienen una tendencia definida, por lo cual la regresión líneal no está sesgada y a demás se ajusta fielmente a la tendecia de los datos. Teniendo ya estos datos discriminados, con su respec- tiva regresión líneal podemos encontrar como se com- porta la resistencia a medida que variamos el ángulo de incidencia de la luz. Dado que la fotoconductividad se relaciona con el voltaje a traves de la ecuación de Ohm: I = U R = mx+ b, Podemos relacionar la resistencia del semiconductor con la regresión líneal, de modo que R = 1m . Los resul- tados obtenidos con la regresión lineal para el valor de la resistencia con su respectiva incertidumbre se exponen en la siguiente tabla: θ (°) ±1° m ∆m R (Ω) ∆R 0 7.90 × 10−4 2 × 10−6 1266 4 10 7.88 × 10−4 3 × 10−6 1269 5 20 7.62 × 10−4 1 × 10−6 1312 2 30 6.77 × 10−4 2 × 10−6 1478 4 40 5.80 × 10−4 3 × 10−6 1723 9 50 4.56 × 10−4 2 × 10−6 2190 10 60 3.15 × 10−4 2 × 10−6 3170 20 70 1.78 × 10−4 3 × 10−6 5600 90 80 7.1 × 10−5 1 × 10−6 14000 200 90 2, 23 × 10−5 3 × 10−7 44800 600 Table I. En esta tabla se exponen los valores calculados para la pendiente de la regresión líneal, con su respectiva incer- tidumbre, a demás del valor de la resistencia también con su respectiva incertidumbre para cada toma de datos con ángulo fijo. Como podiamos esperar, a medida que aumentamos el ángulo de incidencia de la luz, es decir, disminuimos la incidencia de la luz en el material, la fotocorriente transmitida por el semiconductor es menor, en otras palabras, la resistencia del material aumenta; esto debido a que los portadores de carga no tienen la energia suficiente para saltar a la banda de conducción para poder transportar la electricidad de un punto a otro más facilmente. Para la segunda parte del experimento queremos describir cualitativamente como se relaciona la fotocor- riente con la irradiancia de la luz. En este caso se cree que la fotocorriente es directamente proporcional a la irradiancia (I ∝ E). Por lo cual se esperaria que la relación entre la fotocorriente y el coseno al cuadrado del ángulo entre los dos tenga un comportamiento líneal. 3 Figure 4. En la gráfica se muestran los datos obtenidos experimentalmente para la fotocorriente en función del án- gulo de incidencia de la luz para distintos voltajes aplica- dos al semiconductor. Del mismo modo, en este caso, los set de datos tienen los nombres del valor del voltaje apli- cado, y tienen una ligera traza punteada indicando la fun- ción polinómica que se utlizó para describirla. Figure 5. En esta figura se muestran los residuales para cada regresión polinómica de grado 2 hecha a los datos experimen- tales obtenidos, en esta se puede observar que los residuales adquieren una pequeña tendencia mientras más aumenta el voltaje, por lo cual tiene un underfitting, aunque el coefi- ciente de determinación tiene un valor promedio de 0.99, esto se puede arreglar creando una regresión polinómica de grado 3 aunque los datos con voltajes menores obtendrian un sobreajuste o overfitting. Los datos de las regresiones polinómicas se muestran en la Tabla II. V(V) ±0.01V a2 a1 a0 0.00 0 0 0 1.00 -0,5(1) 1,3(1) 0,05(2) 2.00 -0,9(2) 2,5(2) 0,10(5) 3.00 -1,6(3) 4,0(3) 0,06(5) 4.00 -1,8(3) 4,9(3) 0,15(5) 5.00 -2,0(3) 5,9(3) 0,21(5) 6.00 -2,7(2) 7,4(3) 0,23(5) 7.00 -3,1(3) 8,5(3) 0,26(5) 8.00 -3,4(3) 9,6(3) 0,29(5) 9.00 -4,0(4) 10,8(4) 0,32(7) 10.00 -4,4(4) 12,1(4) 0,34(7) 11.00 -4,6(4) 13,0(4) 0,42(8) 12.00 -5,7(5) 14,9(5) 0,40(9) 13.00 -5,8(5) 15,8(5) 0,43(9) 14.00 -6,3(5) 17,0(5) 0,49(9) 15.00 -6,5(6) 18,0(6) 0,6(1) 16.00 -7,0(6) 19,1(6) 0,6(1) 17.00 -7,4(5) 20,4(5) 0,58(9) 18.00 -8,0(6) 21,7(6) 0,6(1) 19.00 -8,3(6) 22,8(6) 0,6(1) 20.00 -9,0(7) 24,2(8) 0,7(1) Table II. En esta tabla se exponen los valores calculados para la los tres coeficientes de la regresión polinómica de grado 3, con su respectiva incertidumbre para cada tomade datos con voltaje fijo. Finalmente, como podemos observar, la hipótesis planteada antes del análisis de datos era incorrecta, de- bido a que como observamos en las gráficas, es necesario un ajuste polinómico, entre el cos2(Θ) y la fotocorri- ente, de grado 2 o mayor, para describir matemática- mente su relación, de la misma manera, entonces pode- mos concluir que la fotocorriente no es proporcional al cuadrado de la irradiancia (I !∝ E). IV. CONCLUSIONES En conclusión, se pudo observar con este experi- mento que existen materiales que cambian su resistencia cuando se varia la luz que se encuentra incidiendo sobre este. Esto se pudo lograr gracias al cambio en el ángulo de incidencia de la luz en el semiconductor, y se pudo determinar, que a mayor incidencia de la luz en el material, menor es la resistencia al flujo de corriente eléctrica en el mismo. Esto concuerda con la teória, la cual sostiene que debido a la absorción de radiación electromagnética, los electrones de la capa de valencia de los atómos del material adquieren la energia necesaria para saltar a la banda de conducción y así mejorar la conductividad eléctrica. Cabe resaltar que se pudo calcular el valor de la 4 resistencia del semiconductor con diferentes incidencias de luz, el cual se expone en la sección de datos, y se hizo un estudio cualitativo del comportamiento de la fotocorriente en función de la irradiancia. V. BIBLIOGRAFIA [1] D. de física, Universidad de los Andes (2020). Appendix A: Cálculo de datos Regresión líneal: m = ∑ (x− x)(y − y)∑ (x− x)2 b = y −mx Errores regresión líneal: Syx = √∑ Y 2 −m ∑ Y − b ∑ XY n− 2 Resistencia: R = 1 m Error de la resistencia: ∆R = ∣∣∣∣∂R(m)∂m ∣∣∣∣∆m Fotoconductividad Abstract Introducción Montaje y experimento Resultados y análisis Conclusiones Bibliografia References Cálculo de datos
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