3.-Problemario Circuitos Electrónicos I

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Universidad Simón Bolívar
Departamento de Electrónica y Circuitos
Circuitos Electrónicos I (EC-1177)
Recopilación de problemas de Electrónica I
Realizado por Br. Daniela Curiel
Supervisado por Prof. Jose Restrepo
Version 1.0
Trimestre Septiembre-Diciembre 2005
1
2
Capítulo 1
Amplificadores Operacionales
Problemas resueltos de amplificadores operacionales
1.Para el circuito mostrado a continuación, determinar la corriente de carga IL en función de VI
-
+
-
+
R5=1K
R4=1K
R1=2K
R2=2K
R3=2K
RL
I
L
V
I
Ia
Ib
Ic
Id
Ie
Al resolver ejercicios que involucren amplificadores operacionales ideales es necesario recordar y aplicar las
siguientes propiedades:
• La diferencia de potencial entre el terminal positivo y negativo del amplificador es 0V. en consecuencia:
Va = Vi
Vb = 0
• Las corrientes de entrada tanto al terminal positivo como alnegativo del amplificador son 0A. En
consecuencia:
Ib = Ia (1.1)
Ic = Id (1.2)
La metodología para resolver este tipo de problema paso a paso es:
1. Definir que es lo que pide el problema:
Il =
V0
Rl
(1.3)
2. Definir cada corriente en función de los voltajes en los extremos de la resistencia por la cual circula:
Ia =
Vi − V01
R1
3
Problemas resueltos de OP-AMP
Ib =
V0 − Vi
R5
Ic =
V01
R2
Id = −
V02
R3
Ie =
V02 − V0
R4
3. Igualar aquellas corrientes que por las ecuaciones (1) y (2) son las mismas, sustituir los valores de las
resistencias conocidas y despejar los voltajes desconocidos en función de la entrada:
Vi − V01
2K
=
V0 − Vi
1K
V01
2K
= −V02
2K
Despejando estas ecuaciones se obtiene:
Vo1 = 3Vi − 2Vo
Vo2 = −Vo1
4. Hacer una ecuación de nodos en la salida del circuito:
V02 − V0
R4
=
V0
Rl
+
V0 − Vi
R5
Sustituyendo las expresiones (4) y (5) en (6) se tiene:
2Vo − 3Vi − Vo =
1k
RL
Vo + Vo − Vi
5. Se obtiene finalmente la expresión para el voltaje de salida V0:
−2Vi =
1k
RL
Vo ⇒ Vo = −
2RL
1k
Vi
6. Se halla Il por la ecuación (3):
Il = −
2
1k
Vi
Otra manera de solucionar este problema de forma más rápida,es recordando las expresiones para la
salida de las distintas configuraciones de operacionales y aplicando el principio de superposición.
Veamos como se aplica esto en un ejemplo más sencillo:
-
+
R1
R2
Vo
V2
V1
4
Problemas resueltos de OP-AMP
Primero, vemos cual es el valor de V0 cuando se coloca V1 a tierra. En este caso se obtiene un ampli-
ficador inversor de ganancia−R2R1 V2.
Luego, realizamos el mismo proceso pero colocando V2 a tierra. En este caso se obtiene un amplificador
no inversor de ganancia(1 + R2R1 V i).
entonces V0 es simplemente la superposición de los resultados obtenidos. V0 = −R2R1 V2 +(1+
R2
R1
V i).
Este concepto puede usarse perfectamente en el ejercicio propuesto para así obtener directamente la
expresión (6). Si nos fijamos bien, en este caso lo que se quiere hallar es el voltaje V01 y las entradas
serían Vi y V0 obteniendo directamente:
Vo1 = 3Vi − 2Vo
5
Problemas propuestos de OP-AMP
Problemas propuestos de amplificadores operacionales
1. Para el circuito mostrado a continuación determinarVoVi .
-
+
R4
R1
R2
R3
Vi
Vo
Respuesta:
Vo
Vi
= −(R2R3 + R3R4 + R2R4
R1R3
)
2. Para el circuito mostrado a continuación determinarVoVi
-
+
R R
Rx
Vo
R R
R R R
Vi
Respuesta:
Vo
Vi
= −(2R
Rx
+ 2)
3. Para el circuito mostrado a continuación determinarVoVi
-
+
R
R
R
R
Vi
R
R
R
R
Vo
Respuesta:
Vo
Vi
= −8
4. Para el circuito mostrado a continuación determinar CMRRdel amplificador diferencial sabiendo los
siguentes datos del amplificador operacional:
6
Problemas propuestos de OP-AMP
• Ad = 1000000
• CMRR = 100000
-
+V2
Vo
V1
100
10K
10K
100K
Respuesta: CMRR = 105
5. Para el circuito mostrado a continuación determinar CMRRdel amplificador diferencial sabiendo los
siguientes datos del amplificador operacional:
• R1=R3
• R2=R4
• CMRR= CMRR1
-
+
Vo
R2
R1
R3
R4
Vcm
Vd/2
Vd/2
+
+
-
-
Respuesta: CMRR = CMRR1
6. Para el circuito mostrado a continuación derive una expresión para V0 en término de V1,V2,V3 y V4
suponiendo que todos los amplificadores operacionales operan en la región lineal.
-
+
R1
R2
-
+
R4
R3
-
+
Vo
V1
V2
V3
V4
R5
R6
Respuesta:V0 = V4 +
R4
R3
(V4 − V3) + R6R5 (V4 + V4
R4
R3
− V3 R4R3 − V2 − V2
R2
R1
+ V1
R2
R1
)
7
Problemas propuestos de OP-AMP
7. Del circuito mostrado a continuación determinar Rf tal que Il no dependa de Zl.
-
+
R1
R2
Vi
R3
Rf
Zl
Respuesta:Rf =
R3R1
R2
8
Capítulo 2
Diodos
Problemas resueltos de diodos
1. Para el circuito mostrado a continuación, determinar lascorrientes por los diodos tomando en cuenta
que son ideales.
+
+
+-
-
-
D1
D2
D3
3K 7K 2,5K
5V
10V
5V
Al resolver ejercicios que involucren diodos ideales o no ideales es necesario recordar y aplicar el siguiente
algoritmo:
• Se supone el caso más sencillo, es decir, todos los diodos apagados y se hallan los voltajes ánodo-cátodo
de cada uno de ellos. En este caso se tiene:
VA1 - VK1 = 10V + 5V = 15V
VA2 - VK2 = 5V + 5V = 10V
VA3 - VK3 = 0V + 5V = 5V
• Como se puede ver, la suposición es incorrecta, esto quiere decir que al menos uno de los diodos debe
estar encendido. De nuevo, la suposición más sencilla seríaque sólo uno de ellos esta encendido. Se
supone entonces que el que tiene el voltaje ánodo-cátodo másalto es el que está encendido y se vuelven
a hallar los voltajes ánodo-cátodo. En este caso se supone encendido el diodo 1 y se obtiene:
VA2 - VK2 = 5V - 6,4V = -1,4V
VA3 - VK3 = 0V + 2V = 2V
• De nuevo la suposición era incorrecta, esto quiere decir quemás de un diodo debe estar encendido.
La suposición más sencilla es que sólo dos están encendidos.Se supone entonces que el que tiene el
voltaje ánodo-cátodo más alto es el que está encendido y se vuelven a hallar los voltajes ánodo-cátodo.
En este caso se supone encendido el diodo 3 y se obtiene:
VA2 - VK2 = 0V - 6,4V = -6,4V
• Finalmente la suposición es correcta, y ahora sólo resta hallar las corrientes que pasan por los diodos
1 y 3. como el diodo 3 va a tierra y el diodo 2 está apagado, eso quiere decir que la corriente que pasa
por el diodo 1 es igual a la que pasa por el diodo 3 y viene dada por:
9
Problemas resueltos de diodos
10 - 10KI = 0
I = 1mA
Como se puede observar, lo más complicado acerca de circuitos con diodos, es saber en que momento están
prendidos o apagados. Para problemas sencillos, este algoritmo funciona muy bien, sin embargo, para otro
tipo de problemas que involucran diodos es necesario hacer un análisis que no se rija por ningún algoritmo.
2. Para el circuito mostrado a continuación, determinar la función de transferencia suponiendo que
VZ = 4,3V.
-
+
Vi
5K5K 5K5K
Dz1
D2
10K 10K
Vo
D1
Dz2
En este tipo de problemas el algoritmo mostrado anteriormente no puede utilizarse debido a que sería demasi-
ado complicado. Para este tipo de problemas es necesario tener conocimiento acerca de las configuraciones
de diodos más comunes y su comportamiento, de modo que podamos dividir un problema complicado en
pequeños y sencillos problemas que unidos resuelvan el problema original.
Cabe destacar que para este tipo de problemas, no hay pasos a seguir, razón por la cual sólo haciendo sufi-
cientes problemas se puede desarrollar la habilidad de intuir como se ha de resolver el problema.
Para este caso en particular se podría subdividir el problema en dos: una primera parte, que está a la entrada de
el amplificador operacional y una segunda parte que involucra al operacional y va hacia la salida del circuito.
La primera parte del circuito es simplemente un limitador devoltaje, es decir, que mientras el voltaje de
entrada esté dentro de cierto rango, lo diodos estarán apagados y por lo tanto el voltaje en la salida variará
linealmente de a cuerdo al voltaje de entrada. Pero cuando elvoltaje en los diodos esté fuera de estos rangos,
el voltaje en la salida será limitado por el voltaje en los diodos.
En este caso, para voltajes muy altos el zener que se encuentra más arribase encenderá en inverso mientras
que el otro se prenderá en directo, siempre y cuando el voltaje sobre ellos sea igual o mayor a 0,7V + 4,3V =
5V.
Para voltajes muy bajos ocurre lo mismo, pero el diodo que se enciende en inverso sería el que está más abajo
y el otro se encendería en directo, siempre y cuando el voltaje sobre ellos sea igual o menor a -0,7 + -4,3 =
-5V.
Para hallar los rangos de voltaje antes mencionados abrimosambos diodos y nos damos cuenta de que el
voltaje de entrada debe dividirse entre dos resistencias del mismo valor 5K, lo cual quiere decir que para
alcanzar los voltajes límite sobre los diodos 5V y -5V, el voltaje de entrada debe valer el doble 10V y -10V.
10
Problemas resueltos de diodos
Una vez establecidos los rangos, sabemos que cuando el voltaje de entrada es mayor a 10V o menor a -10V
el voltaje de entrada al amplificador quedará limitado a cierto valor.
Analizando la segunda parte del circuito se tiene que dentrode cierto rango de voltaje de entrada ambos
diodos estarán apagados de modo que el circuito se comporta como un simple amplificador inversor de
ganancia -20K/10K = -2, lo cual corresponde a la pendiente dela función de transferencia.
Para hallar los rangos del caso anterior, hay que tomar en cuenta que el voltaje en la entrada del amplificador
es 0V porque el terminal positivo de éste está a tierra. Dado que se trata de un amplificador inversor, si el
voltaje de entrada es positivo, el de salida es negativo y viceversa. Entonces si el voltaje de entrada es lo
suficientemente positivo, el diodo a mano izquierda se encenderá cuando el voltaje en su cátodo sea menor o
igual a -0,7V, lo cual sucede cuando el voltaje de salida es -1,4V, ya que por tratarse de dos resistencias de
10K, el voltaje se divide en partes iguales. Si el voltaje de entrada es lo suficientemente negativo se encenderá
el diodo a mano derecha cuando el voltaje en la salida sea mayor o igual a 1,4 V.
Entonces ya sabemos que mientras el voltaje de salida esté entre 1,4 y -1,4, la pendiente de la función de
trasferencia es -2.Lo cual equivale al rango de voltaje de entrada entre -0,7 y 0,7.
Ahora, cuando el voltaje de salida es mayor a 1,4V o menor a -1,4V hay un diodo encendido y entonces la
ganancia del amplificador es de -1 hasta cuando el voltaje de entrada es mayor a 10V o menor a -10V, cuando
el limitar de voltaje hace que se mantenga constante.
Entonces se obtiene la siguiente función de transferencia:
Vo
Vi
1.4
-1.4
10-10
-2
-1
-1
0.7-0.7
11
Problemas propuestos de diodos
Problemas propuestos de diodos
1. Para el circuito mostrado a continuación determinar la función de transferenciaVoVi , tomando en cuenta
que los diodos son ideales.
+
-
+
-
Vi Vo
10K
5V
D1 D2
5V
10K 10K
Respuesta:
5
-5
5-5
1
Vi/2 - 5/2
Vi/2 + 5/2
2. Para el circuito mostrado a continuación determinarVo
+
-
D1
100K
+
-
+
- 10V
-10V
D2
D3
D5
D6-10V
10K
1V
0V
0V
-1V
D4
10K
Respuesta:Vo = 0
12
Problemas propuestos de diodos
3. Para el circuito mostrado a continuación determinarVo
+
-
D2 1KV2 +-
+
-
D1
Vo
1K
V1
tomando en cuenta el siguiente gráfico de las señales de entrada.
-5V
5V
1 2 3 40
V1 V2
Respuesta:
4.3V
2.15V
1 20 3 4
4. Para el circuito mostrado a continuación determinar la función de transferenciaVoVi
Vi
10K
10K
Vo
13
Problemas propuestos de diodos
Respuesta:
Vz+1.4
-Vz-1.4
Vo
Vi
0.5
-(Vz+1.4)/2
(Vz+1.4)/2
5. Para el circuito mostrado a continuación determinar la función de transferenciaVoVi
-
+
Rf
RL
R
R D1
D2
Vi
Vo
Respuesta:
Vo
Vi
-1
6. Para el circuito mostrado a continuación determinar la función de transferenciaVoVi
Vi
10K
Vo
10K
10K
10V
-10V
D1 D2
D3 D4
14
Problemas propuestos de diodos
Respuesta:
-4.65
4.65
Vo
Vi
m = 1
7. Para el circuito mostrado a continuación determinar la función de transferenciaVoVi
Vi
10K
Vo
10K
10V
-10V
D1
D3 D4
10K
D2
Vz = 5V
Respuesta:
-4.65 4.65
Vo
Vi
4.65
-4.65
Vi-5,7
10,35-10,35
Vi+5,7
15
Problemas propuestos de diodos
8. Para el circuito mostrado a continuación determinar la función de transferenciaVoVi
-
+
Vi
500
Dz2
Vo
50K
D3
Dz1
D2
10K
D1
R1 R2
R2 = 200 ohm
R1 = 1K
Vz1 = 3.3 V
Vz2 = 5.3 V
Respuesta:
Vo
Vi
4V 7V
24V
36V
-4,2V
-0,7V
1,5V
4V
6V
9. Para el circuito mostrado a continuación determinar la función de transferenciaVoVi , tomando en cuenta
queVz = 4V
-
+
10K
Vo
10K
10K
-10V
10V
Vi
10K
Vi
10K
16
Problemas propuestos de diodos
Respuesta:
-4.7V 4.7V
4.7V
-4.7V
Vo
Vi
17
Problemas propuestos de diodos
18
Capítulo 3
Mosfet
Problemas resueltos de MOSFET
1. Para el circuito mostrado a continuación, determinar vo cuando Vi = 0V, 3V, 6V.
+6V
Vi
Q1
Q2
Vo
Kn’(W/L)=Kp’(W/L)
|Vto|=2V
l=0
Para resolver este tipo de ejercicios, es muy útil recordar el siguiente algoritmo:
(a) Identificar con que tipo de transistor se va a trabajar y las fórmulas que se deben de utilizar y
defenir el signo del Vt que nos dan.
(b) Suponer que el transistor se encuentra en el estado más sencillo, es decir, en corte y se verifica si
cumple con la condición de corte. De cumplirse la condición,se procede a realizar los cálculos
necesarios y de no ser así pasamos al siguiente paso.
(c) Si el transistor no estaba en corte, supongamos que está saturado y evaluemos la condición de sat-
uración para este tipo de transistor en particular. De cumplirse la condición, se procede a realizar
los cálculos necesarios y de no ser así pasamos al siguiente paso.
(d) Si el transistor no estaba ni en corte ni en saturación debe estar en triodo. Es necesario demostrar
la condición de triodo para así poder descartar cualquier error cometido a lo largo de la resolución
del problema.
A continuación vamos a aplicar el algoritmo anterior a este problema en particular.
En este caso, como el transistor que depende directamente del voltaje de entrada es Q1, es el que
debemos ir analizando, para luego definir el estado de Q2.
El primer paso es reconocer que el transistor Q1 es tipo N y por lo tanto Vt1=2V mientras que el tran-
sistor Q2 es tipo P y por lo tanto Vt2=-2V. Es necesario tener mucho cuidado de utilizar las condiciones
correctas según el tipo de transistor.
19
Problemas resueltos de MOSFET
a) caso Vi=0V
• suponemos Q1 en corte Vg1=0V Vgs1=0V como Vgs1<Vt1, entonces la suposición es correcta y
efectivamente está en corte.
• Como Vgs2=-6V<Vt2 entonces Q2 no esta en corte.
• Se sabe que Q1 está en corte y por lo tanto, Idq=0. Por la característica de salida de los transistores
tipo P, cuando a corriente es nula Vds2=0.
• Como Vds2>Vgs2-Vt2 entonces podemos decir que Q2 está en triodo.
• Dado que Q1 está en corte y Q2 en triodo, entonces el voltaje en la salida es 6V.
En resumen, para Vi=0V se tiene:
• Q1: En corte
• Q2: En triodo
• V0=0V
b) caso Vi=3V
• Suponemos Q1 en corte Vg1=3V Vgs1=3V como Vgs1>Vt1, entonces la suposición es incorrecta
y no está en corte.
• Suponemos Q1 en saturación Tenemos que Vgs1-Vt1 = 1V. Utilizamos la ecuación de ID en
saturación y obtenemos
1
2
K ′n(
w
l
)
• Ahora veamos cual es el estado del transistor Q2 Tenemos que Vgs2-Vt2 = -4V. Utilizando la
ecuación de ID en saturación y obtenemos
1
2
K ′p(
w
l
)(−4)2
Como se puede observar las corrientes halladas no coinciden. Esto quiere decir que alguno de los
dos transistores no esta en saturación. En estos casos, aquel que presente la mayor corriente no
esta en saturación sino en triodo. Este será el estado final delos transistores.
• Entonces decimos que Q2 esta en triodo. Utilizamos la ecuación de ID en triodo para el transistor
Q2 y la igualamos a la ecuación de ID en saturación para el transistor Q1, ya que la corriente debe
ser la misma. Entonces se tiene que:
1
2
K ′n(
w
l
) =
1
2
K ′p(
w
l
)[2(Vgs − VT )Vds − V 2ds]
De la ecuación anterior se obtiene la expresión cuadrática
V 2ds + 8Vds + 1 = 0
De la cual se obtienen los siguientes valores para Vds:
Vdsa=-7,87V
Vdsb-0,12V
Comoestamos trabajando con un transistor tipo P que esta en la zona de triodo debe cumplirse
que Vds>Vgs-Vt, por lo que nos quedaremos con el segundo valor.
20
Problemas resueltos de MOSFET
Entonces, como Vs=6V, entonces Vd=-0,12V+6V=5,88V y V0=Vds=Vd=5,88V
En resumen, para Vi=3V se tiene:
• Q1: En saturación
• Q2: En triodo
• V0=5,88V
c) caso Vi=6V
• Suponemos Q1 en corte Vg1=6V Vgs1=6V como Vgs1>Vt1, entonces la suposición es incorrecta
y no está en corte.
• Suponemos Q1 en saturación Tenemos que Vgs1-Vt1 = 4V. Utilizamos la ecuación de ID en
saturación y obtenemos
1
2
K ′n(
w
l
)4V 2
• Ahora veamos cual es el estado del transistor Q2 Tenemos que Vgs2-Vt2 = -4V. Utilizando la
ecuación de ID en saturación y obtenemos
1
2
K ′p(
w
l
)(−4)2
Como se puede observar las corrientes halladas coinciden. Esto quiere decir que en cada transistor
caen 3V y por lo tanto V0=3V.
• Ahora es necesario verificar si la suposición de que ambos estén saturados es correcta. Partiendo
de que Vd1=Vd2=3V se tiene que:
para Q1, Vds1=3V y la condición de saturación pa un transistor tipo N no se cumple. Esto quiere
decir que no esta en saturación sino en triodo.
para Q2, Vds2=-3V y la condición de saturación pa un transistor tipo P tampoco se cumple. Esto
quiere decir que no esta en saturación sino en triodo.
• Como acabamos de comprobar que los transistores no están en saturación, sino en triodo se pro-
cede a utilizar las ecuaciones de ID en triodo tanto para Q1 como para Q2para luego igualarlas y
hallar Vds a partir del cual podemos obtener V0.
ID1 =
1
2
K ′n(
w
l
)[2(6 − 2)Vds1 − V 2ds1]
ID2 =
1
2
K ′p(
w
l
)[2(−6 + 2)Vds2 − V 2ds2]
También se tiene que Vds2=Vds1-6V
Entonces, Igualando las corrientes, sustituyendo Vds2 y despejando Vds1 de la ecuación se tiene:
Vds1=V0=3V
En resumen, para Vi=6V se tiene:
• Q1: En triodo
• Q2: En triodo
• V0=3V
21
Problemas resueltos de MOSFET
2. Realizar análisis DC y AC para el circuito mostrado a continuación.
10V
6V Vo
50kW
Kn’(W/L)=50 A/Vm
2
|Vt0|=1V
=0.01
=0.5V
f=0.3V
l
g
f
V
-1
Análisis DC:
Ya que se esta trabajando con circuitos amplificadores, debesuponerse que el mosfet esta en saturación.
posteriormente debe verificarse que efectivamente están enese estado.
sabemos que la ecuación ID para un mosfet en saturación es:
ID = 12Kn(
w
l )(V gs − V t)2
Además, esta corriente puede escribirse como:
ID = V s50K
Igualando estas dos ecuaciones tenemos:
1
2
Kn(
w
l
)(V gs − V t)2 = V s
50K
(3.1)
Se tiene que Vg=6V
Entonces conocido este valor podemos hallar Vs de la ecuación (2)resolviendo una ecuación de segun-
do grado:
1, 25V s2 − 18, 5V s + 61, 25 = 0
Las posibles soluciones de esta ecuación son:
• V s1 = 5V → V gs = 1V
• V s2 = 9, 8V → V gs = −3, 8V
Como este voltaje debe ser mayor que Vt para que el mosfet estéen saturación, tomamos como válido
Vs1.
Como en este ejercicio hay efecto de sustrato, es necesario calcular el verdadero Vt a partir del valor de
Vs que acabamos de hallar y el valor inicial de Vt que llamaremos Vto. Para esto se utiliza la fórmula
de|V t|:
|V t| = V to + γ[
√
2φf ± V sb −
√
2φf ]
22
Problemas resueltos de MOSFET
En teoría, el nuevo Vt debe hallarse de manera iterativa, es decir, hacer varias veces el procedimiento
para hallar Vt y luego utilizarlo como Vto, hasta que la diferencia entre ellos sea mínima. Sin embargo,
es suficiente realizar este procedimiento sólo una vez porque los resultados no cambian significativa-
mente.
Entonces usando la ecuación anterior tenemos que:
V t = −0, 2V
Ahora, con este nuevo valor de Vt que utilizaremos el resto del problema, debemos volver a hallar Vs
del mismo modo que lo hicimos anteriormente. En este caso habrá que resolver la siguiente ecuación
de segundo orden:
1, 25V s2 − 16, 5V s + 48 = 0
Las posibles soluciones de esta ecuación son:
• V s1 = 4, 32V → V gs = 1, 68V
• V s2 = 8, 87V → V gs = −2, 87V
Como el voltaje Vgs debe ser mayor que Vt para que el mosfet esté en saturación, tomamos como
válido Vs1.
Ahora, con este valor de Vs podemos halar el valor de la corriente ID.
ID = V s40K = 86, 4µA
Entonces concluimos que el punto de operación es el siguiente:
• Idq = 86, 4µA
• V ds = 5, 68V
• V gs = 1, 68V
Entonces podemos verificar rápidamente que el transistor está efectivamente saturado ya que se cumple
que:
V gs > V t → 1, 68 > −0, 2
V ds > (V gs − V t) → 5, 68 > 1, 88
Entonces podemos hallar los valores de gm, gmb, ro para utilizarlos en el modelo AC del circuito.
• gm = Kn(wl )(V gs − V t) = 94µ℧
• gmb = gm·γ
·
√
2φf±V sb
= 10, 6µ℧
• ro = 1λ·Idq = 1MΩ
Análisis AC:
el modelo en pequeña señal es el siguiente:
23
Problemas resueltos de MOSFET
Rs
GmVbs
Vin
GmVgs
Ro
G
Vo
Debido a que la fuente de corrientegmbV bs depende del voltaje entre sus extremos, entonces podemos
sustituirla por una resistencia de valor gmb−1. Entonces el circuito en pequeña señal se reduce a:
Rs
Gm(Vin-Vo)
Ro
Vo
Gmb
-1
a. Cálculo de la ganancia
Al igual de que en el caso anterior, es recomendable realizarlos cálculos de atrás hacia delante, es
decir, desde lo que quiero obtener hacia lo que necesito paracompletarlo. En este caso, la expresión
para el voltaje de salida es la siguiente:
V o = (rs//ro//gmb−1) · gm(V in − V o)
Entonces, despejando Vo/Vin de esta ecuación obtenemos unaexpresión de la ganancia en función de
valores conocidos.
V o
V i =
(rs//ro//gmb−1)·gm
1+(rs//ro//gmb−1)·gm
El valor numérico de la ganancia es:
A = 0, 769
b. Cálculo de la impedancia de entrada
Simplemente es la resistencia en la entrada
Zin = ∞
24
Problemas resueltos de MOSFET
c. Cálculo de la impedancia de salida
Recordemos que para calcular la impedancia de salida es necesario hacer cero cualquier otra fuente
independiente, en este caso el voltaje de entrada. Como el voltaje Vi es cero, entonces la fuente de
corriente gm(Vin-Vo) depende del voltaje entre sus extremos y puede reemplazarse por una resistencia
de valorgm−1. Entonces, la impedancia de salida es simplemente el paralelo de todas las resistencias.
Zout =rs//ro//gmb−1//gm−1
3. Realizar análisis DC y AC para el circuito mostrado a continuación.
10V
Rg
Rs
vs
Rd
-10V
Vo
K ′n(
w
l ) = 1mA/V
2
|Vt| = 2V
λ = 0V −1
Análisis DC:
En principio recordemos que para análisis en DC los condensadores se comportan como cortos. Ya
que se esta trabajando con circuitos amplificadores, debe suponerse que el mosfet esta en saturación.
Posteriormente debe verificarse que efectivamente están enese estado.
En este caso estamos trabajando con un mosfet tipo P. Por lo tanto, Vt=2V.
sabemos que la ecuación de ID para un mosfet en saturación es:
ID = 12Kn(
w
l )(V gs − V t)2
Además, esta corriente puede escribirse como:
ID = 10−V s1K
Igualando estas dos ecuaciones tenemos:
1
2
Kn(
w
l
)(V gs − V t)2 = 10 − V s
1K
(3.2)
Se tiene que Vg=0V
Entonces conocido este valor podemos hallar Vs de la ecuación (2)resolviendo una ecuación de segun-
do grado:
25
Problemas resueltos de MOSFET
V s2 + 6V s − 16 = 0
Las posibles soluciones de esta ecuación son:
• V s1 = 2V → V gs = −2V
• V s2 = −8V → V gs = 8V
Como el voltaje Vgs debe ser menor que Vt para que el mosfet esté en saturación, tomamos como
válido Vs1.
Ahora, con este valor de Vs podemos halar el valor de la corriente ID.
ID = 10−21K = 8mA
Como esta corriente es la misma que circula por la resistencia Rd, tenemos la siguiente ecuación:
ID = V d+100,5K
Despejando la ecuación anterior se tiene que:
V d = −6V → V ds = −8V
Entonces concluimos que el punto de operación es el siguiente:
• Idq = 8mA
• V ds = −8V
Entonces podemos verificar rápidamente que el transistor está efectivamente saturado ya que se cumple
que:
V gs < V t → −2V < 2V
V ds < (V gs − V t) → −8V < −4V
Entonces podemos hallar el valor de gm para utilizarlo en el modelo AC del circuito.
• gm = Kn(wl )(V gs − V t) = 4m℧
Análisis AC:
el modelo en pequeña señal es el siguiente:
Rs
GmVbs
Vin
GmVgs
Ro
G
Vo
26
Problemas resueltos de MOSFET
Debido aque la fuente de corrientegmbV bs depende del voltaje entre sus extremos, entonces podemos
sustituirla por una resistencia de valor gmb−1. Entonces el circuito en pequeña señal se reduce a:
RgVin
GmVgs
G
Vo
Rd
a. Cálculo de la ganancia
Al igual de que en el caso anterior, es recomendable realizarlos cálculos de atrás hacia delante, es
decir, desde lo que quiero obtener hacia lo que necesito paracompletarlo. En este caso, la expresión
para el voltaje de salida es la siguiente:
V o = −gm · V gs · Rd
Luego, Vgs=Vi y por lo tanto:
V o = −gm · V in · Rd
Entonces, despejando Vo/Vin de esta ecuación obtenemos unaexpresión de la ganancia en función de
valores conocidos.
V o
V i = −gm · Rd
El valor numérico de la ganancia es:
A = −2
b. Cálculo de la impedancia de entrada
Simplemente es la resistencia en la entrada
Zin = Rg
c. Cálculo de la impedancia de salida
Recordemos que para calcular la impedancia de salida es necesario hacer cero cualquier otra fuente
independiente, en este caso el voltaje de entrada. Como el voltaje Vi es cero, entonces la fuente de
corriente gmVgs se abre pues Vgs=0V. Entonces, la impedancia de salida es simplemente la resistencia
de slaida.
Zout =Rd
27
Problemas propuestos de MOSFET
Problemas propuestos de mosfet
1. Para el circuito mostrado a continuación determinar el punto de operación del transistor para dos casos:
a) Rd=7K y Rs=3K y b)Rd=4K y Rs=3K.
K ′n(
w
l ) = 2mA/V
2
|Vt| = 1V
10V
1M
M1
1M
Rd
Rs
Respuesta:
a) triodo
• Id = 947µA
• Vds = 0,52V
b) saturación
• Id = 1mA
• Vds = 4V
2. Para el circuito mostrado a continuación determinar el punto de operación del transistor para Rd=3K
K ′n(
w
l ) = 2mA/V
2
|Vt| = 1V
28
Problemas propuestos de MOSFET
10V
800K
M1
200K
Rd
4K
Respuesta:
saturación
• Id = 0,56mA
• Vds = 6,06V
3. Para el circuito mostrado a continuación determinar el punto de operación del transistor
K ′n(
w
l ) = 2mA/V
2
|Vt| = 2V
D
S
G
B
ID
5V
4K
Respuesta:
triodo
• Id = 1,18mA
• Vds = 0,276V
29
Problemas propuestos de MOSFET
4. Para el circuito mostrado a continuación determinarVo/Vi,Zi,Zo
15V
Rl
700K
800K 60K
40K
vs
Vo
K ′n(
w
l ) = 0, 2mA/V
2
|Vt| = 2V
Respuesta:
• Vo/Vi = -0,2 (60K//Rl)
• Zi= 800K//700K
• Zo=60K//Rl
5. Para el circuito mostrado a continuación determinarVo/Vi,Zi,Zo
15V
5K
10K
vs
Vo
5M
K ′n(
w
l ) = 0, 3mA/V
2
|Vt| = 1, 8V
Respuesta:
• Vo/Vi = -2,65 (60K//Rl)
• Zi= 5M
• Zo=10K//5K//5M
6. Para el circuito mostrado a continuación determinar el punto de operación para
a)(wl )1 = (
w
l )2 = 40
b)(wl )1 = 40y(
w
l )2 = 15
30
Problemas propuestos de MOSFET
5V
M1
M2
|Vt| = 0, 8V
K ′n = 30uA/V
2
7. Para el circuito mostrado a continuación determinar el punto de operación.
D
S
G
B
ID
15V
800K
700K
60K
40K
|Vt| = 2V
K ′n(
w
l ) = 0, 2mA/V
2
γ = 0, 5V
1
2
2φf = 0,6V
31
Problemas propuestos de MOSFET
8. Para el circuito mostrado a continuación determinar el punto de operación.
D
S
B
G
ID
40K
5V
2.9V
-5V
|Vt| = 2V
K ′n(
w
l ) = 20mA/V
2
9. Para el circuito mostrado a continuación determinar el punto de operación.
20V
1K
|Vt| = 2V
K ′n(
w
l ) = 1mA/V
2
K ′p(
w
l ) = 2mA/V
2
32
Problemas propuestos de MOSFET
10. Realizar análisis DC y AC para el circuito mostrado a continuación.
ID
vs
5V
0.5mA
VDD
Vo
K ′n(
w
l ) = 1mA/V
2
γ = 0, 5V
1
2
2φf = 0,6V
|Vt| = 1V
λ = 0V −1
11. Realizar análisis DC y AC para el circuito mostrado a continuación.
10V
1M
17,5K
vs
Vo
2,5K
-5V
K ′n(
w
l ) = 0, 2mA/V
2
γ = 0, 5V
1
2
2φ = 0, 6V
|Vt| = 2V
λ = 0V −1
33
Problemas propuestos de MOSFET
34
Capítulo 4
BJT
Problemas resueltos de BJT
1. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisisDC y AC
R3=53K
R4=10K
Vi
+
-
Q1
Re = 2K
Rc=5K
Q2
R2=39K
R1=83K
Vo
+15V
+15V
b1=b2=100
Va = ¥
Análisis DC:
En DC los condensadores se comportan como abiertos. En primer lugar es recomendable hallar el
equivalente de thevenin para la entrada de ambos transistores para facilitar el análisis. En ese caso
tenemos el siguiente circuito:
2,38V
+
-
Q1
Re = 2K
Rc=5K
Q2
26,53K
Vo
+15V
8,41K
+
-
4,795V
35
Problemas resueltos de BJT
Ya que se esta trabajando con circuitos amplificadores, debesuponerse que todos los dispositivos están
en activo-directo y posteriormente verificar que efectivamente están en ese estado.
Para halla la corriente Ib1 podemos analizar el siguiente circuito:
Vb
+
-
Q1
Re
Rb
Ib
( f + 1) Ibb
Donde la expresión para Ib en términos generales es:
Ib =
V b − 0,7
Rb + (βf + 1)Re
(4.1)
Aplicando este modelo a nuestro caso en particular se tiene que
Ib1 = 2,38V −0,7V8,41K+202K = 7, 98µA
Luego:
• Ic1 = Ie1 = 100Ib1 = 0, 798mA
• Ib2 = Ie2101 = 7, 9µA
• Ic2 = 100Ib2 = 0, 790mA
• V e1 = Ic1 ∗ 2K = 1, 596V
Para Hallar El voltaje en el emisor 2 se hace una ecuación de malla a partir de la entrada a la base 2:
V e2 = 4, 795V − 26, 53K · Ib2 − 0, 7V = 3, 88V = V c1
Para hallar el voltaje en el colector 2 se hace una ecuación demalla a partir de la alimentación de 15V:
V c2 = 15V − Ic2 · 5K = 11, 05V
Finalmente tenemos:
• V ce2 = V c2 − V e2 = 11, 05V − 3, 88V = 7, 17V
• V ce1 = V c1 − V e1 = 3, 88V − 1, 596V = 2, 28V
Entonces concluimos que el punto de operación es el siguiente:
• Icq1 = 0, 789mA
• V ce1 = 2, 28V
36
Problemas resueltos de BJT
• Icq2 = 0, 790mA
• V ce2 = 7, 17V
Puede verificarse que los dispositivos estaban en activo directo como se había supuesto desde un prin-
cipio.
Análisis AC:
el modelo en pequeña señal es el siguiente:
R1//R2 Gm2V 2p RcRp2
+
-
Vp2
Vo
Gm1Vp1
+
-
Vp1 Rp1R3//R4Vin
A
a. Cálculo de la ganancia
Para calcular la ganancia de cualquier circuito es recomendable realizar los cálculos de atrás hacia
delante, es decir, desde lo que quiero obtener hacia lo que necesito para completarlo. De esta manera se
evita perder el tiempo realizando cálculos inútiles. En este caso, la expresión para el voltaje de salida
es la siguiente:
V o = −gm2RcV π2
Entonces, es necesario hallar una expresión de Vπ2 en función de valores conocidos. Para esto, hace-
mos una ecuación de nodos en el punto A
gm1V π1 = V π2rπ2 + gm2V π2 = V π2(
1+gm2rπ2
rπ2 ) = V π2(
1+β
rπ2 )
Despejando Vπ2 de la ecuación anterior se tienen que
V π2 = gm1V π1rπ21+β
De esta expresión, el único valor no conocido es Vπ1, pero en el modelo AC se puede observar clara-
mente que Vπ1=Vi. De este modo la expresión de Vπ2 queda totalmente definida y por ende también
la del voltaje de salida. Entonces sustituyendo el valor de Vπ2 en la expresión de Vo tenemos:
V o = −gm2Rcgm1rπ2V i1+β
Como ganancia se define como Vo/Vi finalmente:
A = V oV i =
−Rcgm1β
1+β
Se tiene que:
gm1 = Icq1V t = 31, 92ms
37
Problemas resueltos de BJT
Por lo que el valor numérico de la ganancia es:
A = −158
b. Cálculo de la impedancia de entrada
Simplemente es el paralelo de las resistencias en la entrada
Zin = R3//R4//rπ1 = 2, 28K
c. Cálculo de la impedancia de salida
Recordemos que para calcular la impedancia de salida es necesario hacer cero cualquier otra fuente
independiente, en este caso el voltaje de entrada. Como el voltaje Vi es cero, también lo es Vπ1 y la
corriente gm1Vπ1. Entonces la impedancia de salida es simplemente la resistencia Rc.
Zout = Rc = 5K
38
Problemas propuestos de BJT
Problemas propuestos de BJT
1. Para el circuito mostrado a continuación determinar es estado de los transistores.
15V
Rb1=100K
Rb2=50k
Rc1=5K
Re1=3K
Re2=2K
Rc2=2,7K
Bf = 100
Vj(on)=0,7V
Q1
Q2
Respuesta:
Ambos en activo directo
Vbe1 = 0,7V Polarizado
Vbc1 = -4,04V no polarizado
Vbe2 = -0,84V polarizado
Vbc2 = 1,16V no polarizado
2. Para el circuito mostrado a continuación determinar las expresiones simbólicas de A, Zin y Zout
Rb2
Rb3
Rc
Re
Vi
+
-
Rb1
Q1
Q2
Respuesta:
A = -gmRc
39
Problemas propuestos de BJT
Zin = Rb3//Rb2//rπ2
Zout = Rc
3. Para el circuito mostrado a continuación determinar la expresión simbólica de la ganancia A
175 ohmVi
+
-
100K
10K
1mA
Respuesta:
A = 109 (
gmrπ10K
175β−175−rπ − 110 )
4. Para el circuito mostrado a continuación determinar las expresiones simbólicas de A, Zin y Zout
Rs=50 ohm
Vi
+
-
Rb=100K
Rl=1K
0,5mA
Vo
Respuesta:
A = Rb(Rb+Rl) (
gmRl
1+Rsgm )
Zin = gm−1
Zout = Rb
40
Problemas propuestos de BJT
5. Para el circuito mostrado a continuación determinar la expresión simbólica de la ganancia A
10V
Vi
+
-
10V
Rb1
Rb2
Rc
Re
Rl
Vo
Respuesta:
A=−Rc//Rl(β2(β1+1)+β1)rπ1+rπ2(β1+1)
6. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisis DC y AC
Vi
+
-
+9V
50W
0,5K
Vo
5V
Bf = 30
Va = ¥
Respuesta:
Icq1 = 3, 36mA
V ce1 = 4, 7V
Icq2 = 68, 32µA
V ce2 = 5, 4V
41
Problemas propuestos de BJT
42
Capítulo 5
Circuitos Multietapa
Problemas resueltos de Circuitos multietapa
1. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisisDC y AC
M1
R1 = 3,05M
R2 = 5,81M
Vi
+
-
Q2
Re = 38,1K
15V
Kp’(w/l) = 200 A/V
|Vt| = 2V
f = 100
Va =
m
l = 0
b
Rs = 31,1K
Rd = 130K
Vo
Rc = 20K
¥
Análisis DC:
En DC los condensadores se comportan como abiertos. Ya que seesta trabajando con circuitos am-
plificadores, debe suponerse que los BJT están en activo-directo y los mosfet están en saturación.
posteriormente debe verificarse que efectivamente están enese estado.
sabemos que la ecuación de ID para un mosfet en saturación es:
ID = 12Kn(
w
l )(V gs − V t)2
Además, esta corriente puede escribirse como:
ID = 15−V sRs
Igualando estas dos ecuaciones tenemos:
1
2
Kn(
w
l
)(V gs − V t)2 = 15 − V s
Rs
(5.1)
Haciendo un divisor de voltaje a la entrada del mosfet tenemos el voltaje Vg es:
V g = 15R2R1+R2 = 9, 836
Entonces conocido este valor podemos hallar Vs de la ecuación (2)resolviendo una ecuación de segun-
do grado:
43
Problemas resueltos de Circuitos multietapa
V s2 − 23, 35V s + 135, 267 = 0
Las posibles soluciones de esta ecuación son:
• V s1 = 12, 6941V locualimplicaqueV gs = −2, 858V
• V s2 = 10, 6559V locualimplicaqueV gs = −0, 8199V
Como el voltaje Vgs debe ser menor que Vt para que el mosfet esté en saturación, tomamos como
válido Vs1. Utilizando este valor tenemos que:
ID = 74,14µA
Ahora, para hallar el voltaje en la base del transistor BJT 2,(Vb2), sabemos que la corriente ID se
divide en dos corrientes, una que va hacia tierra a través d laresistencia de 130K y otra que va hacia la
base del transistor 2 (Ib2).
ID = Ib2 +
V b2
130K
(5.2)
Además, es posible hallar una expresión para Ib2 en función de Vb2, ya que sabemos que la corriente
que va desde el emisor hasta tierra a través de la resistenciade 38,1 K puede expresarse de la siguiente
manera:
Ie2 = V b2−0,7V38,1K = (100 + 1)Ib2
Despejando Ib2, tenemos que:
Ib2 = V b2−0,7V3,8481M
y sustituyendo Ib2 en la ecuación (2) podemos finalmente obtener Vb2
ID = V b23,8481M −
0,7
3,841M +
V b2
130K
Despejando Vb2 de la ecuación anterior tenemos entonces que:
Vb2=9,346V.
Con este voltaje ya podemos terminar de hallar el punto de operación.
Ic2 = 100Ib2 = 100 Ie2101 =
100
1001
V b2−0,7
38,1K = 224, 68µA
V e2 = V b2 − 0, 7 = 8, 646V
V c2 = 15 − 20KIc2 = 10, 506V
Entonces concluimos que el punto de operación es el siguiente:
• Idq1 = 74, 14mA
• V ds1 = −3, 34V
• Icq2 = 224, 68µA
• V ce2 = 1, 86V
44
Problemas resueltos de Circuitos multietapa
Análisis AC:
el modelo en pequeña señal es el siguiente:
Rd Gm2V 2p RcRp2
+
-
Vp2
VoG1
R1//R2Vin
Gm1Vgs
a. Cálculo de la ganancia
Al igual de que en el caso anterior, es recomendable realizarlos cálculos de atrás hacia delante, es
decir, desde lo que quiero obtener hacia lo que necesito paracompletarlo. En este caso, la expresión
para el voltaje de salida es la siguiente:
V o = −gm2RcV π2
Entonces, es necesario escribirV π2 en función de valores conocidos.
V π2 = − gm1V gs·Rd·rπ2Rd+rπ2
Por simple inspección, se sabe que Vgs=Vi, de modo que ya tenemos V π2 en función de valores
conocidos, y por lo tanto Vo también.
V o = gm1V i·Rd·rπ2·Rc·gm2Rd+rπ2
Como ganancia se define como Vo/Vi finalmente:
A = V oV i =
gm1·Rd·rπ2·Rc·gm2
Rd+rπ2
Se tiene que:
gm2 = Icq2V t = 8, 987ms
gm1 = Kp′(wl )(V gs − V t) = 171, 62µs
rπ2 = 11, 127KΩ
Por lo que el valor numérico de la ganancia es:
A = 316, 17
b. Cálculo de la impedancia de entrada
Simplemente es la resistencia en la entrada
Zin = R1//R2 ≃ 2MΩ
c. Cálculo de la impedancia de salida
Recordemos que para calcular la impedancia de salida es necesario hacer cero cualquier otra fuente
independiente, en este caso el voltaje de entrada. Como el voltaje Vi es cero, también lo es Vgs1 y la
corriente gm1Vgs1. Entonces la impedancia de salida es simplemente la resistencia Rc
Zout = Rc = 20K
45
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
1. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisis DC y AC
M1
Rb1 = 163K
Rb2 = 47K
Vi
+
-
Q1
2
Re = 1K
20V
Kn’(w/l) = 0,01 mA/V
Vt = 2V
l = 0
Vo
Rc = 10K
Respuesta:
Vgs = 3,14V
Icq= 6, 33 · 10−4
gmM = 11, 3µ℧
gmQ = 0, 03℧
rπ = 3, 3 · 103Ω
A =
−RcgmQgmM rπ
1+rπgmM
= −10, 9V
Zin = Rb2//Rb1
Zout = Rc
2. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisis DC y AC
Rb = 465K
Vi
+
-
Q1
2
10V
Kn’(w/l) = 2 mA/V
Vt = -2
VA = 100V
l = 0,01
b = 50
Rc = 3K
M1
R1 = 10K Rg = 10K
Rd = 3K
Vx
Respuesta:
Idq= 1mA
Vgs=-3V
Icq= 1mA
A = RdgmMgmQRc(
ro
ro+rd ) = 700
Zin = Rb//rπ
Zout = ro//Rd
46
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
3. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisis AC
R3 = 680K
Vi
+
-
Q1
2
Kn’(w/l) = 1 mA/V
Vt = -2
ro1 = 200K
ro2 = 200K
b = 100
M1
R2 = 10K
R1 = 40K
R4 = 680k
15V
Vo
-15V
Respuesta:
A = −gm(r01//r02)
Zin = R3//R4//rπ
Zout =r01//r02
4. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisis DC y AC
M1
60K
40K
Vi
+
-
Q2
3,65K
10V
1K
Q4
-10V
9,3K
2
Kn’(w/l) = 1 mA/V
Vt = 2
ro3 = 100K
b = 100
Q3
Respuesta:
Idq= 2mA
Vgs=4V
Icq= 0,99mA
A =
−r03(1+gmQrπ)(gmM R3)
R3+Rrπ+(R4+R3)(1+gmQrπ)
Zout =r03//((
R3+rπ
gmrπ+1 ) + R4)
Zin = R1//R2
47
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
5. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisis AC
Vo
10V
Ro=
= 100b
¥
10
Respuesta:
A = R2β
2
(R1+rπ1)(1+β)
Zout =R2)
Zin = R1 + rπ1
6. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisis DC y AC
M1
Vi
+
-
Q2
R2
10V
R1
2Kp’= 50
= 40
l = 10
|Vto| = 3V
s=1.7*10^-15
VA =
m
w m
m
b = 50
I
A/V
4,3V
¥
Respuesta:
Idq= 400µA
Vgs= -5V
Icq= 2,5mA
A = −R2gm1 + (R2gm1+gm2)gm1R1rπ2R1+rπ2+R1rπ2gm1
Zout =R2
Zin = ∞
48
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
7. Para el circuito mostrado a continuación realizar análisis DC y AC
Vi
+
- R4 = 10K
10V
b = 100
R2 = 5K
R3 = 2K
Rbb = 425K Q2
Q1
R1 = 2,75K
-10V
Respuesta:
Icq2= 1mA
Icq1= 1mA
A = R4gm2gm1(R1+R3(β2+1))(Rbb+rπ1+R2+R2β1)(R1+rπ2+R3(β2)) +1
Zin = Rbb + rπ1 + R2(β + 1)
49