Practica 10 Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electronicos

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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO
FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLAN
INGENIERIA EN TELECOMUNICACIONES, SISTEMAS Y ELECTRONICA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS
Grupo: 1509C
Profesora: Petra Medel Ortega
Alumno: Jorge Antonio Jiménez Bernal
Practica 10“TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET”
Fecha de realización: 18/Nov/15
Fecha de Entrega: 23/Nov/15
Semestre: 2016-I
Objetivos:
*Conocer los parámetros eléctricos de un JFET
*Comparar las características de un JFET vs un TBJ y ver que efectivamente el JFET se controla mediante el potencial eléctrico (voltaje)
*Obtener las líneas de polarización del JFET así como ver cómo cambian los parámetros eléctricos en función del VCD aplicado
Introducción:
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexión se hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga más dificultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tension inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente .
Material y Equipo:
Procedimiento experimental:
1.-Se armó el siguiente circuito en el protoboard con el amperímetro en serie al drenado para medir su corriente, se observa que la misma disminuía por efectos de calor
	JFET
	IDSS
	VGS(off)
	2N4392
	6.45mA
	-2.8V
Al alcanzar el valor de -2.9 V el transistor entra en corte, ya que este valor es el voltaje de oclusión
2.- Ahora se procedió a agregar una resistencia y una fuente variable negativa a la compuerta , quedando así el circuito.
Se varió el voltaje de la compuerta y se obtuvieron los siguientes datos:
	JFET 2N4392 (Voltaje de la fuente negativa)
	VGS (V)
	ID (mA)
	VDS (V)
	-1.5V
	-1.27
	1.58
	9.22
	-3.5V
	-3.5
	0
	10.09
	-5.2V
	-5.2
	0
	10.1
3.-Ahora se armo de la siguiente manera y se midieron los mismos parámetros
	VGS (V)
	ID (uA)
	VDS (V)
	-1.24
	-1826
	8.057
4.-Se agregaron otras resistencias mas y ahora los valores son:
	VGS (mV)
	ID (uA)
	VDS (V)
	616
	1744
	5.56
5.-Ahora se conectaron en la siguiente forma dos tipos de transistores un JFET y un TBJ como se muestra en la figura y se obtuvieron los siguientes datos
	VGS (V)
	ID (uA)
	VDS (V)
	-1.421
	1351
	8.005
Cuestionario:
1.-Explique la diferencia entre un TBJ y un JFET
R=Uno es controlado por corriente de la base y el otro por el voltaje del Gate
2.-Indique los elementos que determinan el punto de trabajo en un JFET
R=Idss Vgs off y Vds
3.-Enuncie 3 ejemplos de aplicación de JFET
R=Amplificadores de señal, interruptores analógicos y regulador de corriente
4.-Anote el tipo de polarización de cada uno de los circuitos que se indican en la tabla 10.6
R=Polarización inversa
5.-Explique porque un JFET tiene una alta impedancia de entrada
R=Para controlar la entrada de la corriente
6.-Enuncie los tipo de JFET que conoce
R=JFET N y P , MOSFET N y P
7.-Anote los valores máximos y mínimos de la corriente de drenado obtenida en los circuitos que se indican en la tabla 19.6
8.-En función de la corriente ID obtenidos en la práctica, compare y comente los resultados de cada uno de los circuitos mostrados en la tabla 10.6
	Circuito
	Tipo de polarización
	Rango teórico de ID
	Rango obtenido de ID
	
	
	Baja
	Alta
	Baja
	Alta
	10.3
	
	
	
	
	
	10.4
	
	
	
	
	
	10.5
	
	
	
	
	
	10.6
	
	
	
	
	
Conclusiones:
*La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas.
*En un JFET el voltaje controla la corriente.
*Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente. 
Bibliografía:
Principios de Electrónica Editorial Mc Graw Hill (1992). Pp-185-189 Allan R. Hambley
http://www.unicrom.com/Tut_Caracteristicas_electricas_JFET.asp
https://es.wikiversity.org/wiki/Transistor_JFET
Referencias electrónicas obtenidas el 22/11/2015