PR3_HRRS_6IM2

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INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL 
Centro de Estudios Científicos y Tecnológicos 
(CECyT) No. 3 
“Estanislao Ramírez Ruíz” 
 
Materia: Control Electrónico de Máquinas 
Eléctricas de C.C. y C.A. 
Profesor: Loera Cervantes Luis Armando. 
 
Práctica 3: “Variación de la velocidad de 
un motor de C.D.”. 
 
Integrantes del equipo: 
 Herrera Rangel Héctor Francisco. 
 Romo Molina Mauricio. 
 Rosales Vargas Ricardo Nacxit. 
 Soto Morales José Alejandro. 
Grupo: 6IM2. 
 
 
Índice. 
 Objetivo. 3 
 Introducción. 3 
 Procedimiento analítico (teoría). 3 
o Transistores de tipo BJT. 3 
o MOSFET. 4 
o PWM. 6 
o Duty Cycle. 7 
o Funcionamiento del CI 555. 7 
o CI 555 Astable. 9 
o CI 555 Monoestable. 9 
 Procedimiento práctico. 9 
o Procedimiento 1. 9 
o Procedimiento 2. 11 
o Procedimiento 3. 11 
o Procedimiento 4. 12 
o Procedimiento 5. 13 
 Cuestionario. 15 
 Conclusiones. 16 
 Anexo (evidencias fotográficas). 17 
 Bibliografía. 20 
 
 
 
 
 
 3 
Objetivo. 
Al final de ésta práctica podremos ser capaces de realizar un sistema de control de 
velocidad para motores de C.D. aplicaremos la modulación por ancho de pulso 
(PWM) para el control de cargas eléctricas y su implementación en sistemas 
motrices. 
Introducción. 
Muchas veces, cuando trabajamos en mini robótica y control electrónico, contamos 
con motores de C.D. de pequeña potencia, estos son de los más comunes y 
económicos, y podemos se pueden encontrar en la mayoría de los juguetes a pilas. 
Los motores de éste tipo están constituidos, por dos imanes permanentes fijados en 
la carcasa y una serie de bobinados de cobre ubicados en el eje del motor, que 
habitualmente suelen ser tres. 
Su funcionamiento se basa en la interacción entre el campo magnético del imán 
permanente y el generado por las bobinas. Ya sea una atracción o una repulsión, 
hacen que el eje del motor comience su movimiento, provocando que el eje del 
motor gire produciendo un torque. 
La velocidad de giro de éstos motores suele ser muy alta representados en sus rpm. 
Y si se quiere aplicar a un sistema de control de procesos que sea preciso, se debe 
de reducir su velocidad. Para ello emplearemos un Modulador de Ancho de Pulso. 
Una de las formas más fáciles de lograrlo es con un circuito integrado 555. 
Procedimiento analítico (teoría). 
Transistores de tipo BJT. 
Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction 
Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten 
controlar el paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales. 
Semiconductores sabemos porque, puesto que los materiales con lo que están 
hechos casi siempre son elementos de la tabla periódica que en su capa de valencia 
tendrá entre cuatro y cinco electrones, lo cual le proporciona de la capacidad de 
transferir electrones o no, dependiendo de la situación o el medio en el que se 
encuentre. 
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero 
comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de 
señales o como conmutadores de baja potencia. 
Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos 
diodos semiconductores. 
 
 4 
Existen dos tipos transistores BJT, el 
de tipo NPN y el PNP. Las letras 
hacen referencia a las capas de 
material semiconductor que están 
construidos. 
1.- Transistor tipo NPN: Está 
formado por dos capas de material 
tipo “N” y separadas por una capa 
tipo “P”. 
2.-Transistor tipo PNP: Está formada 
por dos capas de material tipo “P” y separadas por una capa tipo “N”. 
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. Los pines 
se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) 
y C (colector). 
Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como interruptor electrónico y 
como amplificador con ganancia variable. 
Funcionamiento como interruptor. Para que los transistores BJT funcionen como 
interruptores electrónicos se debe operar en la zona de corte y saturación para 
impedir o permitir el paso de corriente en un circuito. 
Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se 
polariza en la región de saturación se permite el paso de la corriente, de esta manera 
los transistores BJT funcionan como interruptores electrónicos donde solo hay dos 
estados lógicos 0 y 1. 
Funcionamiento como amplificador. Se debe aplicar una pequeña señal de corriente 
en la terminal base para controlar una corriente de salida mayor en las terminales 
colector y emisor. los transistores BJT tienen diferentes características técnicas, 
cada uno de ellos tiene una ganancia de corriente conocida como beta del transistor, 
dependiendo del tipo de amplificación que se requiera verificar la beta del transistor 
para obtener la amplificación de corriente deseada. 
Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. 
La corriente del colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada 
por la «beta» del transistor. 
Ic = (hFE)*(Ib) 
MOSFET. 
Los transistores BJT presentan una gran problemática con el rango de corriente con 
el que pueden trabajar y la dependencia de su temperatura para un óptimo 
funcionamiento; lo contrario sucede con los transistores MOSFET, que tienen la 
capacidad de trabajar con amplios valores de corriente y no se calientan tan fácil; 
 
 5 
es importante señalar que los BJT pueden trabajar con voltajes más altos que los 
MOSFET. 
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor Field Effect Transistor son 
dispositivos de efecto de campo (Field Effect), esto quiere decir que utilizan un 
campo eléctrico, generado a partir de la alimentación de una de sus terminales 
(gate/compuerta), para crear una canal de conducción entre sus otros dos pines 
(drain/drenado y source/fuente). 
Esta figura describe la construcción de un 
transistor MOSFET con enriquecimiento N y 
sus 4 terminales (puerta, drenador, fuente y 
substrato). La puerta se encuentra separada 
del substrato por una capa de material 
dieléctrico, esto forma una arquitectura similar 
a la de las placas internas de un condensador. Al aplicar una tensión positiva en la 
puerta se inducen cargas negativas en la superficie del substrato, creando un campo 
eléctrico, creando una zona de conducción entre la fuente y el drenador. 
La tensión mínima para crear esta capa de inversión es conocida como tensión de 
umbral o threshold (VT). También es importante mencionar que si la tensión entre 
gate y source (VGS) es menor a la tensión de umbral (VT) no existirá corriente entre 
drain y source. Lo que se puede expresar matemáticamente como: 
𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇 → 𝐼𝐷𝑆 = 0 
El valor típico de VT está entre 0.5V y 3V 
Al igual que en los transistores BJT, existen 2 tipos de transistores MOSFET según 
la forma en que se polarizan: 
Canal de enriquecimiento N: Para poder activar un transistor de este tipo se necesita 
suministrar una tensión positiva (respecto a GND) a la terminal Gate, se conecta la 
terminal Source a tierra (GND) y el pin Drain a una carga conectada a positiva. Este 
tipo de MOSFET tendrá una flecha apuntando hacia la compuerta del componente 
(Gate). 
Canal de enriquecimiento P: Para poder 
activar un transistor de este tipo se 
necesita suministrar una tensión 
negativa (respecto a GND) a la terminal 
Gate, se conecta la terminalSource a 
una alimentación positiva y el pin Drain 
a una carga conectada a tierra (GND). Este tipo de MOSFET tendrá una flecha 
apuntando hacia la parte exterior de la compuerta del componente (Gate). 
 
 6 
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de 
operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un 
transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región 
de corte, región óhmica y región de saturación. 
Región de corte: El transistor estará en esta región, cuando VGS < VT. En esta zona 
se puede comparar eléctricamente el transistor con un circuito abierto. No hay 
conducción entre drain y source. 
Región de saturación: El transistor se encuentra en esta zona cuando VDS supera 
el valor denominado como tensión de saturación (VDS sat). En estas condiciones la 
corriente entre D y S no aumentará independientemente del valor de VDS. 
Región óhmica: El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el 
Drenador y Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que 
tenga la tensión entre la Puerta y el Surtidor (VGS). 
Al energizarse la terminal gate del transistor y generarse el efecto de campo, el flujo 
entre drain y source permanecerá "enclavado" ya que el campo no desaparecerá 
hasta que este sea descargado. 
PWM. 
Las siglas PWM significar Pulse With Modulation, que en otras palabras es la 
frecuencia con la que mandamos corriente a un circuito, una frecuencia cuadrada. 
En la electrónica solo tenemos dos tipos de señales el 0 y el 1 en el caso de nuestro 
circuito electrónico 5 volts serían representados como nuestros 1 y 0 volts como 
nuestro 0. 
La frecuencia de un PWM tiene que ser constante, así como la duración de cada 
pulso, normalmente estos pulsos son generados en alta frecuencia y si variamos el 
tiempo de cada pulso, el voltaje promedio de la salida puede ser controlado. Por 
ejemplo, cuando cambiamos la frecuencia de un LED o de un motor lo podemos 
notar por la intensidad del LED o por la velocidad del motor, que debería de cambiar 
según la frecuencia. El PWM igualmente es muy útil cuando utilizamos sistemas con 
baterías por esto mismo. 
 
 7 
Uno de los componentes importantes en el PWM es el potenciómetro, ya que 
podemos cambiar el valor de resistencia y así mostrar mucho mejor el incremento 
o disminución de la frecuencia, a diferencia de las resistencias comunes, que aparte 
de que mucha de la energía se pierde transformándose en calor, tampoco es muy 
útil cuando utilizamos motores. 
La señal PWM igualmente funciona para nuestros circuitos con servomotores, sin 
embargo, la señal tiene que ser distinta, la señal tiene que ser contenida en un 
tiempo de entre 1000 y 2000 microsegundos, esta señal es tan corta por el circuito 
integrado del servo, quien hace la 
indicación inmediata de la posición del 
servomotor. 
Este es un circuito de ejemplo de una 
señal 
PWM, con el potenciómetro 
controlaríamos la frecuencia de nuestro 
motor y gracias a nuestro 555 podemos 
generar las oscilaciones cuadradas para 
que funcione. 
Duty Cycle. 
Dentro de esto también entrara el denominado Duty Cycle, que no es nada más que 
el ciclo de trabajo, ciclo útil o régimen de trabajo es la relación que existe entre el 
tiempo en que la señal se encuentra en estado activo y el periodo de la misma. Su 
valor se encuentra comprendido entre 0 y 1. 
El Duty Cycle modula el ancho del pulso generado con el bloque PWM. Puede ir de 
5% a 95%; un valor más bajo indica que la señal de salida permanece a "uno" 
durante menos tiempo y un valor más alto de Duty Cycle indica que en la salida 
PWM la señal permanece más tiempo en "uno". Modificar este valor no modifica la 
frecuencia de salida, sólo cambia el tiempo en el que la señal está a "uno" o "cero". 
Esto lo lograremos diferenciar en el procedimiento práctico 3, 4 y 5, donde no solo 
modificaremos la frecuencia de salida, sino también el PWM para que se combinen 
y resulte en una gran frecuencia y un alto porcentaje de PWM para que pase el 
mayor tiempo en 1 y no podamos percibir el cambio. 
Funcionamiento del CI 555. 
El circuito lógico 555 está conformado de los 
componentes que se observan en el diagrama de la 
izquierda que explicaremos a continuación. 
Entre el pin 1 y el pin 8 del circuito lógico se conectan 
3 resistencias, cada una de 5k, y, de hecho, es 
 
 8 
conocido como 555 por sus 3 resistencias de 5k en serie. 
La tensión se divide en tercios según los segmentos entre resistencias. El circuito 
tiene 2 comparadores, el voltaje que proporciona el comparador solo se activa si el 
voltaje en la entrada + (no inversora) es mayor a la 
entrada – (inversora). 
La entrada no inversora de uno de los comparadores 
está conectada a la terminal THRESHOLD (pin 1) y la 
entrada inversora del segundo comparador está 
conectada a la terminal TRIGGER (pin 2). 
Otro componente importante en el 555 es el FLIPFLOP SR, el cual tiene 2 pines de 
entrada y 1 pin de salida. Esta es la tabla de verdad del FLIPFLOP. 
Si la entrada S y R se encuentran en 0, la 
salida no cambiara su estado, es decir, si Q 
tiene un 1 lógico y S y R tienen un 0, Q se 
quedará en un 1. 
Si hay un 0 en la S y un 1 en la R la Q 
entregará un 0 (Estado Reset). 
Si hay un 1 en la S y un 0 en la R la Q 
entregará un 1 (Estado Set). 
Cuando ambas entradas tienen un 1 lógico, 
se considera como estado prohibido por que 
no se sabe qué valor puede tomar Q. 
En este componente también hay otras 2 terminales, la Q negada y el RESET, la Q 
negada siempre mostrara el estado opuesto a la salida Q, es como tener una 
compuerta 04 que niega a la terminal Q. 
Esta Q negada está conectada a dos terminales de nuestro 
circuito integrado la terminal DISCHARGE (pin 7) y la terminal 
OUT (pin 3) 
El pin 7 pasa de la Q negada hacia in transistor PNP y el pin 
3 pasa de la Q negada a otra compuerta que lo niega, por lo 
que en el pin 3 tenemos el mismo estado que en la Q normal 
y en el pin 7 el estado de la Q negada en un transistor. 
La terminal RESET (pin 4) es como un interruptor general de 
toda la compuerta, cuando este pin recibe un 1, el FLIPFLOP 
podrá cambiar de estado cuando quiera y funcionar con 
normalidad, si este pin recibe un 0, la salida Q constantemente dará un 0 como 
señal lógica, por lo que la Q negada igual se quedara en un estado de 1 lógico hasta 
que la terminal RESET vuelva a recibir un 1 lógico. 
 
 9 
CI 555 Astable. 
El estado astable del microcontrolador se consigue 
cuando colocamos una serie de componentes pasivos 
que pondremos alrededor del circuito integrado; así 
consiguiendo una señal cuadrada en la salida del circuito 
integrado. 
Este tipo de funcionamiento se caracteriza por una salida 
continua de forma de onda cuadrada (o rectangular), con una frecuencia específica. 
El resistor R1 está conectado a la tensión designada 
como VCC y al pin de descarga (pin 7); el resistor R2 
se encuentra conectado entre el pin de descarga (pin 
7), el pin de disparo (pin 2); el pin 6 y el pin 2 
comparten el mismo nodo. 
Asimismo, el condensador se carga a través de R1 y 
R2, y se descarga solo a través de R2. La señal de 
salida tiene un nivel alto por un tiempo t1 y un nivel 
bajo por un tiempo t2, esto debido a que el pin 7 
presenta una baja impedancia a GND durante los 
pulsos bajos del ciclo de trabajo. 
CI 555 Monoestable. 
En este caso el circuito entrega un solo pulso de unancho establecido por el diseñador. La fórmula para 
calcular el tiempo de duración (tiempo en el que la salida 
está en nivel alto) es: 
T=\ln(3)*R*C 
Que proviene de la ecuación de descarga de un circuito 
RC. 
En este caso, es necesario que la señal de disparo sea 
de nivel bajo y de muy corta duración para iniciar la señal 
de salida. 
Procedimiento práctico. 
PROCEDIMIENTO PRÁCTICO 1: “OPERACIÓN DE UN TRANSISTOR 
MOSFET”. 
Realiza la conexión del siguiente diagrama. 
 
 10 
 
Presiona PB1 sólo un momento, suéltalo. ¿Qué sucede con el led indicador LED1? 
Al realizar esta acción el led se mantiene encendido, esto debido al efecto de 
memoria que posee el transistor MOSFET utilizado. 
Apaga la fuente de alimentación y repite el procedimiento anterior. ¿Qué es lo que 
sucede? 
Al encender la fuente de alimentación podemos observar como el led se mantiene 
encendido. Podríamos pensar que al accionar el pulsador nuevamente el estado del 
led cambiaria, sin embargo, esto no pasara hasta que se descargue el transistor. 
Los transistores MOSFET tienen una construcción especial que a diferencia de otros 
transistores le permite guardar su ultimo estado incluso al des energizarse. Este tipo 
de componentes también cuentan con una sensibilidad alta ya que incluso es 
posible activar y desactivar con la energía electrostática del cuerpo al tocar el pin 
de gate. 
En este circuito se observa su activación en a partir de la señal del pulsador el cual 
se encentra conectado a la terminal positiva. 
Ahora, realiza la conexión del siguiente diagrama: 
 
De nuevo presiona PB1 sólo un momento y suéltalo. Esta vez ¿Qué sucede con el 
led indicador LED 1? 
Esta vez al pulsar nuestro botón el LED solo va a encender mientras lo estemos 
presionando, si levantamos el dedo del botón este se apagará gracias a la 
resistencia que le agregamos. 
¿Qué diferencia existe en el funcionamiento de ambos circuitos? 
 
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A diferencia del anterior circuito se pudo comprobar tanto el modo de activación 
como el de desactivación el cual se logra colocando una conexión de gate a tierra 
en este caso utilizando una resistencia después del pulsador. 
¿Notas alguna ventaja de los MOSFET con respecto a los BJT? 
 El control de estos es por tensiones pequeñas y no por corrientes. 
 Generan un nivel de ruido eléctrico menor. 
 Su alta impedancia de entrada les permite retener carga por lo que pueden 
ser utilizados para almacenamiento. 
 Pueden trabajar con componentes de mayor potencia. 
 Las corrientes de trabajo son mayores. 
PROCEDIMIENTO PRÁCTICO 2: “EL MOSFET COMO TRANSISTOR DE 
POTENCIA”. 
Realiza la conexión del siguiente diagrama. 
 
Anota las observaciones que desees sobre este procedimiento. ¿Encuentras alguna 
ventaja con las características eléctricas del MOSFET con respecto a las de los 
BJT´s? 
La potencia de disipación que tienen estos transistores es más elevada que los BJT, 
de igual manera tienen una mejor conmutación en las corrientes lo que los les 
permite trabajar en circuitos de mayor potencia. 
PROCEDIMIENTO PRÁCTICO 3: “PWM A BAJA FRECUENCIA”. 
La modulación por ancho de pulso cambia el ciclo útil (Duty Cycle) de una señal 
cuadrada, es decir, cambia la cantidad del tiempo en el cual la señal se encuentra 
en un nivel alto. Realiza la conexión del siguiente circuito: 
 
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Lleva el potenciómetro hasta uno de sus extremos ¿Qué observas con respecto al 
tiempo de encendido y apagado? 
No existe ninguna variación en las oscilaciones que presenta la lámpara. 
Lleva el potenciómetro hasta el centro ¿Qué observas con respecto al tiempo de 
encendido y apagado? 
El parpadeo de esta lámpara sigue siendo el mismo, no existe variación en esta 
posición del potenciómetro. . 
Lleva el potenciómetro hasta el otro extremo ¿Qué observas con respecto al tiempo 
de encendido y apagado? 
La variación en las oscilaciones es la misma que en las posiciones anteriores esto 
se debe a la frecuencia con la que trabaja el circuito integrado 555.Aunque es poco 
perceptible el cambio de posición del potenciómetro modificaba la duración del 
estado alto que se tiene en las oscilaciones. 
Lo que acabas de realizar es a lo que se le llama Modulación por ancho de pulso. 
Pero los valores del circuito están calculados para un funcionamiento en baja 
frecuencia para que logres ver el cambio en el Duty Cycle. 
La frecuencia de oscilación debe permanecer aproximadamente igual en cualquier 
momento, lo único que cambia es el tiempo en alto de la salida. ¿Qué sucedería si 
aumentamos la frecuencia? 
Al aumentar la frecuencia el número de oscilaciones que presenta será mayor por 
lo que el parpadeo del led por los estados altos y bajos del PWM será más 
constante. 
PROCEDIMIENTO PRÁCTICO 4: “EFECTOS DE LA PWM (DIMMER)”. 
Veamos que sucede si elevamos la frecuencia de trabajo del circuito anterior. 
 
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Modifica el circuito anterior de la siguiente forma: 
 
Varía lentamente el potenciómetro de un extremo al otro y observa el efecto 
“Dimmer”. 
¿Qué sucede con la intensidad de la lámpara? 
En esta configuración Dimmer el potenciómetro tiene como funcionalidad generar 
un aumento o disminución en la intensidad luminosa de la lámpara. 
A frecuencias elevadas (a cerca de 200Hz) el Duty Cycle ya no será perceptible y 
se obtendrán algunos “efectos” en las cargas a controlar. En las lámparas 
incandescentes se consigue obtener una atenuación de la luminosidad cuando el 
Duty Cycle decremento. A esto se le llama Dimmer (para C.D.). 
PROCEDIMIENTO PRÁCTICO 5: “EFECTOS DE LA PWM (VARIACION DE 
VELOCIDAD)”. 
Veamos qué efectos tiene la PWM ahora en los motores de C.D. Modifica el circuito 
del procedimiento anterior de la siguiente forma: 
 
 
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Varía el valor del potenciómetro lentamente de un extremo al otro y observa como 
la PWM afecta a la velocidad de un motor de C.D. 
Con tu mano toca el rotor del motor, con mucho cuidado y observa ¿Existen cambios 
muy drásticos en el torque del motor? 
La velocidad de giro en el motor se ve disminuida por la fuerza que mi mano ejerce 
sobre el rotor, por lo que al motor le cuesta seguir girando derivado de ello se genera 
un aumenta en la corriente de consumo. 
Este circuito te permite variar la velocidad (desde 0% hasta 99% aprox.) de un motor 
de C.D. haciendo uso de la modulación por ancho de pulso. Gracias al uso de un 
MOSFET, el motor puede tener una demanda de corriente elevada. 
También aclarar que para los circuitos de los procedimientos 4 y 5 cambiamos el 
potenciómetro de 100k por uno de 10k para que estos funcionarán mejor, tomando 
en cuenta la frecuencia y el duty cycle. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 15 
Cuestionario. 
1. ¿Cuál es la técnica más efectiva para variar la velocidad de un motor de 
C.D.? 
La modulación de ancho de pulso (PWM) ya que tiene una mayor fiabilidad y 
además de que es mucho más sencillo en términos de que no hay que calcular o 
algo así. 
2. Justifica el uso del Transistor MOSFET en el circuito final presentado en 
esta práctica. 
La utilización de este componente se debe a su sensibilidad para la detección en el 
cambio de cargas en sus pines lo que permite implementar el PWM deuna forma 
más eficaz además de permitir el controla cargas con mayor demanda energética. 
3. ¿Para qué necesitaríamos variar la velocidad de un motor de C.D.? 
Esto es de gran funcionalidad ya que nos permite realizar labores más específicas 
a las necesidades requeridas un ejemplo claro son las ventilaciones las cuales 
dependiendo de la temperatura será la velocidad del giro en las aspas. Otra 
aplicación que se ve con frecuencia podría ser las centrifugadoras de ropa, en las 
cuales se utiliza esta variación para realizar un secado de la ropa. 
4. Explica la Modulación por Ancho de Pulso y sus características. 
Esta consiste en aumentar el ancho de un estado lógico, es decir aumentaremos el 
tiempo que tarda en estar en un nivel alto, en consecuente reduciendo el tiempo del 
estado bajo, las ventajas de este tipo de modulación es que estos cambios no 
generan cambios en el ciclo de trabajo es decir no necesitan de un aumento de 
tensión o corriente a medida que se requiera aumentar la velocidad. 
5. ¿Por qué tuvimos que construir un circuito tan largo velocidad del motor? 
¿No sería más fácil colocar un limitador de corriente? Explícalo. 
Si este limitador de corriente nos permitiera autorregular o regular el consumo de 
corriente podría ser una opción ya que nos permitiría realizar las variaciones que 
necesitamos, sin embargo, volveríamos a recaer en la modificación de la frecuencia 
de trabajo. 
 
 
 
 
 
 
 16 
Conclusiones. 
 Los transistores MOSFET tienen una gran aplicación en la electrónica 
de potencia debido las marcadas ventajas que presentan ante los 
transistores BJT, entre ellas, su amplio rango de corrientes de trabajo 
y el hecho de que no se calientan como lo hacen los bipolares. 
 Es de fundamental importancia entenderlos y aprender a usarlos pues 
gracias a su construcción interna, y el efecto de campo que se genera 
en su interior abre la puerta a un mundo completamente diferente de 
aplicaciones. 
 Los transistores de BJT representa una gran desventaja frente a los 
MOSFET que acabamos de conocer sobre todo en la parte de 
amplificación o sobre la corriente. 
 El duty cycle se trata sobre cuánto tiempo la señal estará en 1 frente 
al tiempo que esta pasa en 0 durante una frecuencia. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 17 
Anexo. 
Procedimiento 1: “Operación de un transistor MOSFET”. 
 
Procedimiento 2: “El MOSFET como transistor de potencia”. 
 
 
 18 
Procedimiento 3: “PWM a baja frecuencia”. 
 
Procedimiento 4: “Efectos de la PWM (DIMMER)”. 
 
 
 19 
Procedimiento 5: “Efectos de la PWM (variación de velocidad)”. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 20 
Bibliografía. 
1. https://uelectronics.com/transistores-bjt/ 
2. https://www.se.com/es/es/faqs/FA28227/ 
https://uelectronics.com/transistores-bjt/
https://www.se.com/es/es/faqs/FA28227/