a) Caracterización de multicapas de GaAs dopadas
En la Sala Limpia del Centro Atómico Bariloche (CAB) se encuentra instalado un equipo de Epitaxia por Haces Moleculares (MBE, por sus siglas en inglés) para elementos III-V. Este equipo permite el crecimiento de estructuras altamente epitaxiales, prácticamente sin contaminantes y con un alto control de espesores, composición y dopaje, que posibilita la fabricación de dispositivos tales como pozos cuánticos, gases bidimensionales, reflectores de Bragg, cavidades ópticas y diodos, entre otras aplicaciones [1].
Para esta práctica utilizaremos una muestra crecida en el MBE, que consiste en capas alternadas de GaAs dopadas con Si y GaAs sin dopar. Cada capa dopada con Si fue crecida aplicando distintas temperaturas a la celda de Si del equipo con el fin de lograr distintos niveles de dopaje. El objetivo es obtener el perfil de profundidad de la muestra con TOF-SIMS, analizando las diferencias existentes entre cada capa y los niveles de dopaje.