Practica 7 Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electronicos

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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO
FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLAN
INGENIERIA EN TELECOMUNICACIONES, SISTEMAS Y ELECTRONICA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS
Grupo: 1509C
Profesora: Petra Medel Ortega
Alumno: Jorge Antonio Jiménez Bernal
Practica 7 “Parámetros híbridos π”
Fecha de realización: 28/Oct/15
Fecha de Entrega: 4/Nov/15
Semestre: 2016-I
Objetivos:
· Obtener las gráficas de las relaciones entre los parámetros del transistor
· Elaborar el modelo π del TBJ en un punto de operación determinado empleando las mediciones del TBJ obtenidas de acuerdo a las tablas de la practica
Introducción:
El modelo hibrido Pi es ampliamente utilizado para analizar el amplificador de pequeña señal de un TBJ y también del MOSFET, el modelo puede calcular los parámetros eléctricos del transistor cuando se le alimenta a la base con una tensión de CA, con la adición de capacitores de acoplo y desacoplo.
Para utilizarlo se necesita analizar el circuito en CD, cuando esto pasa los capacitores se modelan como corto circuito entonces se obtienen los valores de los parámetros eléctricos del TBJ, una vez hecho eso se analizara en alterna cortocircuitando las fuentes de CD y los capacitores cerrados igualmente , esto se hace primero en la malla 2 , posteriormente ya es posible modelar el circuito Pi , y obtener el resto de los parámetros con simples cálculos.
gm=40ICQ
β=IC/IB
rπ=β/gm
En esta práctica se modelara un transistor TBJ BC547A , pero únicamente en CD
Material y Equipo:
Procedimiento experimental:
1.- Se armó en la protoboard el siguiente circuito, conectando amperímetros en la base y en el colector, ajustando el V1= 5V y V2= 0V
2.-Ahora teniendo conectado todo debidamente se varió la fuente V2 (Voltaje de Colector), así como IB con la ayuda del potenciómetro y se obtuvieron las siguientes mediciones de parámetros eléctricos del TBJ.
	IB
	VCE=0V
	VCE=1.0V
	VCE=2.0V
	VCE=3.0V
	VCE=4.0V
	uA
	VBE (V)
	Ic (mA)
	VBE (V)
	Ic (mA)
	VBE (V)
	Ic (mA)
	VBE (V)
	Ic (mA)
	VBE (V)
	Ic (mA)
	10
	0.59
	0.076
	0.6
	.160
	0.6
	.163
	0.6
	.172
	0.68
	.176
	20
	0.62
	.113
	0.64
	.790
	0.64
	.800
	0.65
	0.820
	0.7
	.850
	30
	0.63
	.115
	0.7
	9.1
	0.71
	10.5
	0.72
	10.9
	0.72
	11.3
	40
	0.63
	.115
	0.72
	9.3
	0.71
	11.8
	0.73
	12.8
	0.73
	13
	50
	0.63
	.11
	0.7
	6.3
	0.69
	6.8
	0.7
	7.1
	0.76
	7.2
	60
	0.63
	.120
	0.73
	11.8
	0.73
	16.3
	0.73
	18
	0.73
	18
	70
	0.64
	.119
	0.73
	13.4
	0.73
	17.4
	0.73
	19.9
	0.73
	22
Cuestionario:
El Voltaje en el colector (VCE) suministrado
IB es inversamente proporcional a R , entonces IB debe ser pequeña o simplemente ser muy diferente del valor de beta
Porque es el voltaje base-emisor de la juntura
Conclusiones:
La práctica se realizó satisfactoriamente excepto que en ocasiones los valores de la corriente de base fluctuaban demasiado y no se mantenían estáticos, de ahí en fuera las mediciones fueron similares a las esperadas en los cálculos teóricos
Los parámetros pi nos ayudan aún más a comprender el funcionamiento del TBJ como un amplificador de señal, así como para entender la relación que existe en sus parámetros eléctricos al variar por ejemplo la corriente de base y el voltaje del colector, esto para tener un buen funcionamiento del TBJ
Bibliografía:
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/Tr04Iee2.pdf
Apuntes de Dispositivos y Circuitos Electrónicos
Introducción al análisis de circuitos Robert l Boylestad Ed. Pearson 2004