Practica 6 Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electronicos

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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO
FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES CUAUTITLAN
INGENIERIA EN TELECOMUNICACIONES, SISTEMAS Y ELECTRONICA
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS
Grupo: 1509C
Profesora: Petra Medel Ortega
Alumno: Jorge Antonio Jiménez Bernal
Practica 6 “Polarización del TBJ”
Fecha de realización: 21/Oct/15
Fecha de Entrega: 28/Oct/15
Semestre: 2016-I
Objetivos:
· Diferenciar entre un transistor TBJ tipo NPN y PNP de acuerdo a sus valores medidos en sus terminales con el multímetro
· Medir la potencia disipada del TBJ así como sus valores de operación en las tres regiones (corte, amplificación y saturación) respectivamente
· Reconocer un transistor en mal estado
Introducción:
El TBJ es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada.
Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que se encuentra conectado.
Un transistor de unión bipolar (TBJ) es un cristal semiconductor en el que una zona tipo P o N esta entre medio de otras dos N o P. Así tenemos dos tipos: NPN o PNP.
POLARIZAR UN TRANSISTOR es aplicar tensiones para que las junturas BE y BC (Diodos) trabajen en DIRECTA o en INVERSA. Para eso se necesitan Resistencias y Fuentes. Según como se colocan esas Resistencias y Fuentes se tiene distintas configuraciones.
 Ej:
 •POLARIZACIÓN FIJA
 •POR DIVISOR DE TENSIÓN (sin RE) 
•POR REALIMENTACIÓN DE COLECTOR
 •POR REALIMENTACIÓN DE EMISOR
Polarizar el Transistor logra que este funcione en algunas de las siguientes ZONAS DE TRABAJO
Material y Equipo:
Procedimiento experimental:
1. Se procedió a armar el siguiente arreglo con los dos diferentes transistores que tenemos y registramos los valores en la siguiente tabla notando que los parámetros cambiaron de acuerdo a si es PNP o NPN
	Transistor
	BC 547 A
	BC 557
	Tipo
	NPN
	PNP
	Reb
	00
	6.57m
	Rcb
	00
	6.56m
	Rce
	00
	00
	Rbe
	6.159m
	00
	Rbc
	6.105m
	00
	Rec
	00
	00
2. Asi mismo alimentamos primero con 0V luego con 10V notando que cuando no hay voltaje el transistor no opera y con 10V hay saturación (Se usa el PNP BC557)
	Vbb
	Vbe
	Vce
	Ib
	Ic
	Región
	0(tierra)
	0
	10
	0
	0
	Corte
	10
	738.6mV
	57.8mV
	0.61mA
	14.55mA
	Amplificación
3.- Se hizo el siguiente arreglo con las resistencias respectivas y se midieron los parámetros
	Vb
	Vbe
	Vce
	Ib
	Ic
	Beta
	Región
	1.502V
	666.2mV
	4.375mV
	0.01mA
	7.08mA
	160
	Amplificación
4.- Se hizo el siguiente arreglo, nótese que solo se cambiaron las resistencias, para ver en qué región se encuentra el transistor para esta configuración.
	Vb
	Vbe
	Vce
	Ib
	Ic
	Beta
	Región
	2.514V
	769.2mV
	31.2mV
	2.6mA
	12.18mA
	160
	Saturación
5.- Ahora se cambió una resistencia por un potenciómetro observándose los siguientes valores medidos con el multímetro (voltajes y corrientes)
	Rp
	Vb
	Vbe
	Vce
	Ib
	Ic
	Beta
	Región
	0.0(Tierra)
	1.5mV
	1.5mV
	10V
	0
	0
	160
	Corte
	2.5
	1.434V
	661.1mV
	4,859V
	0.01mA
	6.46mA
	160
	Amplificación
	5
	2.195V
	712.3mV
	109.9mV
	0.1mA
	12.42mA
	160
	Saturación
Cuestionario:
Por los datos de su datasheet y los que se obtienen en las mediciones (resistencia y continuidad)
Con ayuda de un multímetro, si es un NPN cuando se conecta la punta positiva del voltímetro a los extremos y la negativa a la base (REB) no arrojaría resultados, por lo tanto la punta positiva ira en la base y la negativa la cambiaríamos entre emisor y colector. Después por simple deducción si la técnica pasada refería a un NPN, un resultado similar pero aplicado inversamente determinaría que se trata un PNP.
Cuando el VBB es igual a cero la base no se polariza entonces el transistor esta en corte y no funciona. Cuando alimentamos con 10V tenemos una sobre corriente y entra en la zona de saturación
	Tabla
	Ib
	Ic
	Vb
	Vce
	Beta
	Pde
	6.2
	0
	0
	0
	10
	0
	0
	6.2
	625.5microA
	14.58mA
	796.3mV
	68.8mV
	0
	1W
	6.3
	814.5microA
	11.19mA
	806.2mV
	25.3mV
	110
	284W
	6.4
	61microA
	10.68mA
	707mV
	1V
	110
	0.01W
	6.5
	0
	0
	1.2mV
	9.9mV
	0
	0
	6.5
	0.0035microA
	6.11mA
	700mV
	5.5mV
	174.57
	33.45W
	6.5
	0.07microA
	11.65mA
	2.07V
	988.11mV
	160
	110.11W
El 6.3 y se encuentra en saturación
Los valores de beta cambian de acuerdo al modelo del transistor empleado; por la relación en la corriente de base y la corriente del colector
La diferencia entre los circuitos 6.2 y 6.3 es el voltaje que llega al colector, que generara comportamientos distintos debido a estas diferencias de voltaje, colocando a uno en amplificación y a otro en saturación respectivamente, además de variar el coeficiente Beta de los transistores.
Al cambiar la resistencia por una de valor menor, hay más corriente a la base y el transistor se satura
EXPERIMENTALES
	Tabla
	Ib
	Ic
	Vb
	Vce
	Beta
	Pde
	6.2
	0
	0
	0
	10
	0
	0
	6.2
	625.5microA
	14.58mA
	796.3mV
	68.8mV
	0
	1W
	6.3
	814.5microA
	11.19mA
	806.2mV
	25.3mV
	110
	284W
	6.4
	61microA
	10.68mA
	707mV
	1V
	110
	0.01W
	6.5
	0
	0
	1.2mV
	9.9mV
	0
	0
	6.5
	0.0035microA
	6.11mA
	700mV
	5.5mV
	174.57
	33.45W
	6.5
	0.07microA
	11.65mA
	2.07V
	988.11mV
	160
	110.11W
TEORICOS
	Tabla
	Ib
	Ic
	Vb
	Vce
	Beta
	6.2
	0
	0
	0
	10
	0
	6.2
	636.5microA
	15.05mA
	795.3mV
	67.8mV
	0
	6.3
	810.0microA
	10.09mA
	816.2mV
	24.9mV
	110
	6.4
	59microA
	11.38mA
	710mV
	1V
	110
	6.5
	0
	0
	1.3mV
	10.0mV
	0
	6.5
	0.004microA
	6.01mA
	710mV
	5.4mV
	173.3
	6.5
	0.08microA
	12.00mA
	2.0V
	1V
	160
Como siempre hay una ligera variación en los valores experimentales ya que estos son más precisos porque muchas veces en el análisis teórico empleamos menos decimales y/o omitimos algún valor
Conclusiones:
Un transistor siempre debe estar en la región de amplificación para que lo podamos emplear como un amplificador de señal
El transistor al estar cortado se comporta como circuito abierto y no amplifica nada VCE=Fuente, así mismo si está saturado se comporta como cerrado en colector emisor y no conduce nada
El transistor es un elemento muy importante en la electrónica ya que casi toda la electrónica o más bien toda , los utiliza (Computadoras , celulares , radio transmisores etc..)
Bibliografía:
Apuntes de la materia de Dispositivos y Circuitos Electrónicos
http://www.bolanosdj.com.ar/TEORIA/LAMINATRANSISTOR.pdf
http://jas.eng.buffalo.edu